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51. 发明授权

KR101831321B1 반도체 발광소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101831321B1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：KR1020177011398
申请日：2013-07-03
申请人： 에피스타 코포레이션
发明人： 린준-위 , 니징-화이 , 전이-밍 , 슈추치에 , 츄신치 , 루치치앙 , 린징-페이
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L21/00 , H01L25/0753 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체발광소자제조방법및 반도체발광소자에있어서, 상기방법은제1 기판(20)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을제공하는단계; 제1 기판(20) 및반도체외연적층(110)을접착하는제1 접착층(135)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을복수의외연유닛으로패턴화하여제1 기판(20)으로부터서로분리시키는단계; 표면을갖는제2 기판(30)을제공하는단계; 상기복수의제2 외연유닛을제2 기판(30)의표면으로전이시키는단계; 복수의제1 반도체발광소자를형성하도록제1 기판(20)을절단하고복수의제2 반도체발광소자를형성하도록제2 기판(30)을절단하는단계를포함한다. 복수의외연유닛은복수의제1 외연유닛(201)과복수의제2 외연유닛(202)을포함한다. 각각의제1 외연유닛(201)은제1 기하형상및 제1 면적을가지고, 각각의제2 외연유닛(202)은제2 기하형상및 제2 면적을가진다. 제1 기하형상과제2 기하형상이서로다르거나또는제1 면적과제2 면적이서로다르다.

52. 发明公开

KR1020170048615A 반도체 발광소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体发光器件的方法
公开(公告)号：KR1020170048615A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020177011398
申请日：2013-07-03
申请人： 에피스타 코포레이션
发明人： 린준-위 , 니징-화이 , 전이-밍 , 슈추치에 , 츄신치 , 루치치앙 , 린징-페이
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L21/00 , H01L25/0753 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L33/20
摘要： 반도체발광소자제조방법및 반도체발광소자에있어서, 상기방법은제1 기판(20)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을제공하는단계; 제1 기판(20) 및반도체외연적층(110)을접착하는제1 접착층(135)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을복수의외연유닛으로패턴화하여제1 기판(20)으로부터서로분리시키는단계; 표면을갖는제2 기판(30)을제공하는단계; 상기복수의제2 외연유닛을제2 기판(30)의표면으로전이시키는단계; 복수의제1 반도체발광소자를형성하도록제1 기판(20)을절단하고복수의제2 반도체발광소자를형성하도록제2 기판(30)을절단하는단계를포함한다. 복수의외연유닛은복수의제1 외연유닛(201)과복수의제2 외연유닛(202)을포함한다. 각각의제1 외연유닛(201)은제1 기하형상및 제1 면적을가지고, 각각의제2 외연유닛(202)은제2 기하형상및 제2 면적을가진다. 제1 기하형상과제2 기하형상이서로다르거나또는제1 면적과제2 면적이서로다르다.
摘要翻译：一种制造半导体发光器件和半导体发光器件的方法，该方法包括：提供第一衬底（20）;提供第二衬底（20）。提供半导体外层叠层（110）; 提供第一粘合层（135）以粘合第一基板（20）和半导体外层压板（110）; 将半导体外层叠层（110）图案化成多个外部单元并将它们与第一衬底（20）分离; 提供具有表面的第二基板（30）; 将所述多个第二外部单元转移到第二基板（30）的表面; 切割第一基板20以形成多个第一半导体发光元件并切割第二基板30以形成多个第二半导体发光元件。多个外部单元包括多个第一外部单元（201）和多个第二外部单元（202）。每个第一外部单元201具有第一几何形状和第一区域，并且每个第二外部单元202具有第二几何形状和第二区域。第一个几何项目2几何不同或第一个区域项目2的面积不同。

53. 发明公开

KR1020160100835A MOCVD 반응공정을 개선하는 공정 부품 및 그 방법 无效
标题翻译：工艺组件和改进MOCVD反应过程的方法
公开(公告)号：KR1020160100835A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020160016211
申请日：2016-02-12
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 허,시아오밍 , 구오,쉬핑
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/00 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C30B29/406 , C23C16/4404 , C30B25/08 , H01L33/0062
摘要： 본발명은 MOCVD 반응공정을개선하는공정부품및 그방법에관한것이다. 상기개선원리는 MOCVD 반응챔버내에서스테인리스강본체상에치밀한보호막을코팅하고, 상기보호막의성분전부가 MOCVD 증착공정동안필요한가스원소의성분으로구성되거나, 또는 MOCVD 반응가스와반응하지않는성분으로구성된다. 보호막의성분은알루미늄, 갈륨, 및마그네슘중 적어도하나및 질소및 산소중 적어도하나로구성된화합물, 또는 MOCVD 공정에서가스와반응하지않는화학특성이안정한기타재료를포함한다. 상기보호막은 MOCVD 공정에서반응가스와반응하지않거나, MOCVD 반응챔버에오염물질을증가하지않으므로, MOCVD 생산공정의초기화시간을단축하고, MOCVD 설비의생산효율을향상시킨다. 보호막은공극률이 1% 미만인치밀한조직을갖고, 보호막의두께는 1㎚-0.5㎜이다.
摘要翻译：本发明涉及一种改进MOCVD反应过程的方法组分和方法。改进的原理是在MOCVD反应室中涂覆紧密保护膜的不锈钢体，其中紧密保护膜的整个组成由MOCVD沉积过程中所需的气体元素或不与 MOCVD反应气体。保护膜的组成包括由Al，Ga和Mg中的至少一种以及氧和氮中的至少一种构成的化合物，或者与MOCVD工艺中的气体不反应的具有稳定化学特性的其它材料。保护膜不会与MOCVD工艺中的反应气体反应或MOCVD反应室中的污染物不增加。因此，降低MOCVD工艺的初始化时间，提高MOCVD设备的生产效率。保护膜具有紧凑的质感，孔隙率小于1％，保护膜的厚度为1nm至0.5mm。

54. 发明公开

KR1020150064496A 발광 다이오드 및 그 제조방법 无效
标题翻译：一种发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150064496A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020130149294
申请日：2013-12-03
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김성복 , 배성범
IPC分类号： H01L33/10 , H01L33/12 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/005 , H01L33/0062 , H01L33/12
摘要： 본발명은기판상에형성된버퍼층; 개구영역을포함하는마스크패턴과, 상기마스크패턴의개구영역을채우며상기마스크패턴상에형성된반도체막이교대로적층되어다층구조로형성되며, 상기버퍼층상에형성된분산브래그반사기(DBR:Distributed Bragg Reflector); 및상기분산브래그반사기(DBR:Distributed Bragg Reflector) 상에형성된발광구조를포함하는발광다이오드소자및 그제조방법을제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法。发光二极管装置包括形成在基板上的缓冲层，分布布拉格反射器（DBR），其通过交替堆叠包括开口区域的掩模图案和填充开口区域的半导体膜形成多层结构掩模图案并形成在掩模图案上并形成在缓冲层上，以及形成在DBR上的发光结构。

55. 发明授权

KR101485690B1 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101485690B1
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：KR1020130090603
申请日：2013-07-31
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 기무라시게야 , 나고하지메 , 다치바나고이치 , 누노우에신야
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/04
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/06
摘要： 일 실시 형태에 따르면, 반도체 발광 소자는 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 발광층을 포함한다. 제2 반도체층은 제1 반도체층의 [0001] 방향 측에 제공된다. 발광층은 제1 웰층, 제2 웰층 및 제1 장벽층을 포함한다. 제1 장벽층의 In 조성비는 제1 웰층 및 제2 웰층의 조성비보다 낮다. 장벽층은 제1 부분과 제2 부분을 포함한다. 제2 부분은 제1 영역과 제2 영역을 갖는다. 제1 영역은 제1 부분의 In 조성비보다 높은 제1 In 조성비를 갖는다. 제2 영역은 제1 영역과 제1 웰층 사이에 제공된다. 제2 영역은 제1 In 조성비보다 낮은 제2 In 조성비를 갖는다.

56. 发明公开

KR1020140110873A 광활성 소자들에서의 사용을 위한 희석 질화물 반도체 물질들을 제조하는 방법들 및 관련된 구조물들 审中-实审
标题翻译：用于光电器件和相关结构的稀释氮化物半导体材料的制备方法
公开(公告)号：KR1020140110873A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020147017071
申请日：2012-11-12
申请人： 소이텍
发明人： 아레나샹탈 , 스콧로빈 , 카니자레스클라우디오
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0687 , H01L21/02 , H01L33/32 , H01L31/042
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L27/153 , H01L31/03048 , H01L31/0687 , H01L31/1848 , H01L33/0062 , H01L33/08 , H01S5/32341 , H01S5/32358 , Y02E10/544
摘要： 이미 형성된 질화물의 적어도 일부를 아세닉을 포함하는 희석 질화물 III-V족 반도체 물질로 변형하기 위해 이미 형성된 질화물 물질 내에서 일부 N 원자들을 As 원자들로 대체함으로써 희석 질화물 III-V족 반도체 물질들이 형성될 수 있다. 이 방법들은 광전지들 및 광에미터들과 같은 광활성 소자들의 제조에 채용될 수 있다. 상기 방법들은 금속유기 화학기상 증착(MOCVD) 또는 기상 에피택시(HVPE) 챔버와 같은 퇴적 챔버 내에서 수행될 수 있다.

57. 发明公开

KR1020140017443A 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140017443A
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020130090603
申请日：2013-07-31
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 기무라시게야 , 나고하지메 , 다치바나고이치 , 누노우에신야
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/04
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/06
摘要： A semiconductor light emitting element according to one embodiment of the present invention includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light emitting layer. The second semiconductor layer is provided in the [0001] direction of the first semiconductor layer. The light emitting layer includes a first well layer, a second well layer, and a first barrier layer. The In composition ratio of the first barrier layer is lower than the composition ratios of the first well layer and the second well layer. The first barrier layer includes a first part and a second part. The second part includes a first region and a second region. The first region includes a first In composition ratio which is higher than the In composition ratio of the first part. The second region is provided between the first region and the first well layer. The second region has a second In composition ratio which is lower than the first In composition ratio.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例的半导体发光元件包括第一半导体层，第二半导体层和发光层。第二半导体层设置在第一半导体层的[0001]方向上。发光层包括第一阱层，第二阱层和第一势垒层。第一阻挡层的In组成比低于第一阱层和第二阱层的组成比。第一阻挡层包括第一部分和第二部分。第二部分包括第一区域和第二区域。第一区域包括高于第一部分的In组成比的第一In组成比。第二区域设置在第一区域和第一阱层之间。第二区域具有低于第一In组成比的第二In组成比。

58. 发明授权

KR101351396B1 반극성 (Ｇａ,Ａｌ,Ｉｎ,Ｂ)Ｎ 박막들, 헤테로구조들, 및소자들의 성장 및 제조에 대한 기술 有权
标题翻译：用于生长和制造半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件的技术
公开(公告)号：KR101351396B1
公开(公告)日：2014-02-07
申请号：KR1020077030909
申请日：2006-06-01
申请人： 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 , 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 패럴로버트엠.주니어 , 베이커트로이제이. , 챠크라보르티아르판 , 하스켈벤자민에이. , 패티슨피.모건 , 샤르마라자트 , 미쉬라우메쉬케이. , 덴바스스티븐피. , 스펙제임스에스. , 나카무라슈지
IPC分类号： H01L29/15 , H01L31/0312
CPC分类号： H01L33/16 , B82Y20/00 , C30B23/025 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L33/0004 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要： 특정 소자 어플리케이션에 대한 원하는 물질 특성들을 확인하는 단계, 상기 원하는 물질 특성들에 근거하여 반극성 성장 배향을 선택하는 단계, 상기 선택된 반극성 성장 배향의 성장을 위해 적합한 기판을 선택하는 단계, 상기 기판 상에 평면의 반극성 (Ga,Al,In,B)N 템플릿 또는 핵생성 층을 성장시키는 단계, 및 상기 평면의 반극성 (Ga,Al,In,B)N 템플릿 또는 핵생성 층 상에 상기 반극성 (Ga,Al,In,B)N 박막들, 헤테로구조들 또는 소자들을 성장시키는 단계를 포함하는 반극성 (Ga,Al,In,B)N 박막들, 헤테로구조들, 및 소자들의 성장 및 제조를 위한 방법. 상기 방법은 상기 반극성 (Ga,Al,In,B)N 박막들, 헤테로구조들, 및 소자들의 큰 영역이 상기 기판 표면과 평행인 것을 도출한다.
반극성, 박막, 템플릿, 핵생성, 성장 배향

59. 发明授权

KR101296432B1 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드와 이의 제조 방법 有权
标题翻译：具有大角度角度的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101296432B1
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020120023419
申请日：2012-03-07
申请人： 옵토 테크 코포레이션
发明人： 린,첸옌 , 린,융밍 , 예,포춘 , 유,젱웨이 , 라이,치밍 , 펭,룽한
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/08 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0012 , H01L33/0062 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 발광 다이오드는 기판, 복수의 기둥 구조체, 충전 구조체, 투명한 도전층, 제 1 전극, 및 제 2 전극을 포함한다. 이들 기둥 구조체는 기판상에 형성된다. 각각의 기둥 구조체는 제 1 타입의 반도체 층, 활성층, 및 제 2 타입의 반도체 층을 포함한다. 제 1 타입의 반도체 층은 기판상에 형성된다. 기둥 구조체는 제 1 타입의 반도체 층을 통해 서로 전기적으로 접속된다. 충전 구조체는 기둥 구조체 사이에 형성된다. 충전 구조체와 기둥 구조체의 제 2 타입의 반도체 층은 투명한 도전층으로 커버된다. 제 1 전극은 투명한 도전층과 접속 상태이다. 제 2 전극은 제 1 타입의 반도체 층과 접속 상태이다.
摘要翻译：发光二极管包括基板，多个柱结构，填充结构，透明导电层，第一电极和第二电极。这些柱结构形成在基板上。每个柱结构包括第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层。在基板上形成第一类型的半导体层。柱结构通过第一类型半导体层彼此电连接。填料结构形成在柱结构之间。柱结构的填充结构和第二类型半导体层被透明导电层覆盖。第一电极与透明导电层接触。第二电极与第一类型半导体层接触。

60. 发明公开

KR1020120065266A 화합물 반도체의 퇴적 방법 및 장치 有权
标题翻译：化学化合物半导体和器件的沉积方法
公开(公告)号：KR1020120065266A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020117020985
申请日：2010-04-28
申请人： 고쿠리츠다이가쿠호우진 도쿄다이가쿠 , 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디
发明人： 오츠모토이치 , 야츠이타카시 , 카와조에타다시 , 야마자키슌스케 , 카지야마코이치 , 미즈무라미치노부 , 이토케이이치
IPC分类号： H01L21/02 , C23C14/54 , C30B25/00 , C23C16/30 , C30B29/40 , C23C16/48 , C23C16/52 , H01L33/00
CPC分类号： C23C16/481 , C23C14/548 , C23C16/303 , C23C16/52 , C30B25/00 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L21/02387
摘要： 3원계 이상의 화합물 반도체를 기판 위에 퇴적시킴과 아울러 그 발광 파장을 나노미터 오더로 조정하는 것이 가능한 화합물 반도체의 퇴적 방법을 제공한다.
3원계 이상의 화합물 반도체를 기판 위에 퇴적시키는 화합물 반도체의 퇴적 방법에 있어서, 화합물 반도체를 기판(13) 위에 퇴적시키면서, 당해 화합물 반도체의 원하는 이상적인 여기에너지보다도 작은 에너지의 전파광을 당해 기판(13) 위에 조사하여, 기판(13) 위에 퇴적된 화합물 반도체의 미립자로부터 상기 조사된 전파광에 기초하는 근접장광을 발생시키고, 발생시킨 근접장광에 기초하여 화합물 반도체에 대하여 새로운 진동 준위를 다단계에 걸쳐 형성시키고, 이 새로운 진동 준위 중 전파광이 지닌 에너지 이하의 여기에너지를 갖는 진동 준위를 통하여, 화합물 반도체에서의 당해 여기에너지에 대응하는 성분을 당해 전파광에 의해 여기시켜, 이것을 탈리시킨다.
摘要翻译：提供一种在将化合物半导体沉积在基板上时以纳米级调节三元或更高系统的化合物半导体的发光波长的化合物半导体沉积方法。在将三元或更高系统的化合物半导体沉积在衬底上的化合物半导体沉积方法中，将化合物半导体所需的理想激发能的能量较小的传播光照射到衬底13上，同时将化合物半导体沉积在基板13，基于沉积在基板13上的化合物半导体的微粒的照射的传播光产生近场光，基于产生的近场光，以多个阶段形成化合物半导体的新的振动电平，以及对应于激发能的化合物半导体中的成分被传播光激发，通过振动水平，激发能量等于或小于传播光的能量的新的振动水平被激发，从而解吸部件。

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