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1. 发明公开

KR1020150074203A 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150074203A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020157015365
申请日：2013-07-03
申请人： 에피스타 코포레이션
发明人： 린준-위 , 니징-화이 , 전이-밍 , 슈추치에 , 츄신치 , 루치치앙 , 린징-페이
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L21/00 , H01L25/0753 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체발광소자제조방법및 반도체발광소자에있어서, 상기방법은제1 기판(20)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을제공하는단계; 제1 기판(20) 및반도체외연적층(110)을접착하는제1 접착층(135)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을복수의외연유닛으로패턴화하여제1 기판(20)으로부터서로분리시키는단계; 표면을갖는제2 기판(30)을제공하는단계; 상기복수의제2 외연유닛을제2 기판(30)의표면으로전이시키는단계; 복수의제1 반도체발광소자를형성하도록제1 기판(20)을절단하고복수의제2 반도체발광소자를형성하도록제2 기판(30)을절단하는단계를포함한다. 복수의외연유닛은복수의제1 외연유닛(201)과복수의제2 외연유닛(202)을포함한다. 각각의제1 외연유닛(201)은제1 기하형상및 제1 면적을가지고, 각각의제2 외연유닛(202)은제2 기하형상및 제2 면적을가진다. 제1 기하형상과제2 기하형상이서로다르거나또는제1 면적과제2 면적이서로다르다.

2. 发明授权

KR101732992B1 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101732992B1
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020157015365
申请日：2013-07-03
申请人： 에피스타 코포레이션
发明人： 린준-위 , 니징-화이 , 전이-밍 , 슈추치에 , 츄신치 , 루치치앙 , 린징-페이
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L21/00 , H01L25/0753 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체발광소자제조방법및 반도체발광소자에있어서, 상기방법은제1 기판(20)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을제공하는단계; 제1 기판(20) 및반도체외연적층(110)을접착하는제1 접착층(135)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을복수의외연유닛으로패턴화하여제1 기판(20)으로부터서로분리시키는단계; 표면을갖는제2 기판(30)을제공하는단계; 상기복수의제2 외연유닛을제2 기판(30)의표면으로전이시키는단계; 복수의제1 반도체발광소자를형성하도록제1 기판(20)을절단하고복수의제2 반도체발광소자를형성하도록제2 기판(30)을절단하는단계를포함한다. 복수의외연유닛은복수의제1 외연유닛(201)과복수의제2 외연유닛(202)을포함한다. 각각의제1 외연유닛(201)은제1 기하형상및 제1 면적을가지고, 각각의제2 외연유닛(202)은제2 기하형상및 제2 면적을가진다. 제1 기하형상과제2 기하형상이서로다르거나또는제1 면적과제2 면적이서로다르다.

3. 发明授权

KR102040748B1 반도체 발광소자 有权
公开(公告)号：KR102040748B1
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：KR1020187004470
申请日：2013-07-03
申请人： 에피스타 코포레이션
发明人： 린준-위 , 니징-화이 , 전이-밍 , 슈추치에 , 츄신치 , 루치치앙 , 린징-페이
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/38

4. 发明授权

KR101831321B1 반도체 발광소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101831321B1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：KR1020177011398
申请日：2013-07-03
申请人： 에피스타 코포레이션
发明人： 린준-위 , 니징-화이 , 전이-밍 , 슈추치에 , 츄신치 , 루치치앙 , 린징-페이
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L21/00 , H01L25/0753 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체발광소자제조방법및 반도체발광소자에있어서, 상기방법은제1 기판(20)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을제공하는단계; 제1 기판(20) 및반도체외연적층(110)을접착하는제1 접착층(135)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을복수의외연유닛으로패턴화하여제1 기판(20)으로부터서로분리시키는단계; 표면을갖는제2 기판(30)을제공하는단계; 상기복수의제2 외연유닛을제2 기판(30)의표면으로전이시키는단계; 복수의제1 반도체발광소자를형성하도록제1 기판(20)을절단하고복수의제2 반도체발광소자를형성하도록제2 기판(30)을절단하는단계를포함한다. 복수의외연유닛은복수의제1 외연유닛(201)과복수의제2 외연유닛(202)을포함한다. 각각의제1 외연유닛(201)은제1 기하형상및 제1 면적을가지고, 각각의제2 외연유닛(202)은제2 기하형상및 제2 면적을가진다. 제1 기하형상과제2 기하형상이서로다르거나또는제1 면적과제2 면적이서로다르다.

5. 发明公开

KR1020170048615A 반도체 발광소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体发光器件的方法
公开(公告)号：KR1020170048615A
公开(公告)日：2017-05-08
申请号：KR1020177011398
申请日：2013-07-03
申请人： 에피스타 코포레이션
发明人： 린준-위 , 니징-화이 , 전이-밍 , 슈추치에 , 츄신치 , 루치치앙 , 린징-페이
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/20 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L21/00 , H01L25/0753 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L33/20
摘要： 반도체발광소자제조방법및 반도체발광소자에있어서, 상기방법은제1 기판(20)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을제공하는단계; 제1 기판(20) 및반도체외연적층(110)을접착하는제1 접착층(135)을제공하는단계; 반도체외연적층(110)을복수의외연유닛으로패턴화하여제1 기판(20)으로부터서로분리시키는단계; 표면을갖는제2 기판(30)을제공하는단계; 상기복수의제2 외연유닛을제2 기판(30)의표면으로전이시키는단계; 복수의제1 반도체발광소자를형성하도록제1 기판(20)을절단하고복수의제2 반도체발광소자를형성하도록제2 기판(30)을절단하는단계를포함한다. 복수의외연유닛은복수의제1 외연유닛(201)과복수의제2 외연유닛(202)을포함한다. 각각의제1 외연유닛(201)은제1 기하형상및 제1 면적을가지고, 각각의제2 외연유닛(202)은제2 기하형상및 제2 면적을가진다. 제1 기하형상과제2 기하형상이서로다르거나또는제1 면적과제2 면적이서로다르다.
摘要翻译：一种制造半导体发光器件和半导体发光器件的方法，该方法包括：提供第一衬底（20）;提供第二衬底（20）。提供半导体外层叠层（110）; 提供第一粘合层（135）以粘合第一基板（20）和半导体外层压板（110）; 将半导体外层叠层（110）图案化成多个外部单元并将它们与第一衬底（20）分离; 提供具有表面的第二基板（30）; 将所述多个第二外部单元转移到第二基板（30）的表面; 切割第一基板20以形成多个第一半导体发光元件并切割第二基板30以形成多个第二半导体发光元件。多个外部单元包括多个第一外部单元（201）和多个第二外部单元（202）。每个第一外部单元201具有第一几何形状和第一区域，并且每个第二外部单元202具有第二几何形状和第二区域。第一个几何项目2几何不同或第一个区域项目2的面积不同。

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