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1. 发明授权

KR101651923B1 고전압 구동 발광소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有高工作电压的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101651923B1
公开(公告)日：2016-08-29
申请号：KR1020140194958
申请日：2014-12-31
申请人： 최운용
发明人： 최운용
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/08 , H01L33/0016 , H01L33/0062 , H01L33/0066 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/30
摘要： 본발명은인접한활성영역사이에터널링방지층이협지되는반도체발광소자에관한것으로, 상기터널링방지층은전체활성영역중 어느하나의활성영역만을활성화시키기에충분한인가전압하에서는전자또는정공이이동할수 없는반도체층으로, 양자영역범위에서인접한두 활성영역을독립적으로분리시켜, 반도체발광소자는단일칩 내에서수직방향으로복수의독립적인활성영역을포함하여, 고전압구동이가능한것을특징으로한다.

2. 发明公开

KR1020160064075A 실리콘 핀들 상에서의 ＬＥＤ 구조체들의 형성 审中-实审
标题翻译：形成硅芯片的LED结构
公开(公告)号：KR1020160064075A
公开(公告)日：2016-06-07
申请号：KR1020167004504
申请日：2013-09-27
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 다스굽타,산삽탁 , 덴,한위 , 챠우,로버트 , 라도사블예비치,마르코 , 추-쿵,벤자민 , 가드너,사나즈
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/06 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L27/153 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L33/005 , H01L33/0062 , H01L33/48 , H01L2924/12041 , H01L2933/0008
摘要： 실리콘핀 템플릿(silicon fin template)들상에 III-V LED 구조체들을형성하는방법들이기술된다. 그러한방법들및 구조체들은실리콘핀의실리콘 (111) 평면상에 n-도핑된 III-V 층을형성하는것, n-도핑된 III-V 층상에양자우물층을형성하는것, 양자우물층 상에 p-도핑된 III-V 층을형성하는것, 및다음에 p-도핑된 III-V 층상에옴 콘택층을형성하는것을포함할수 있다.
摘要翻译：描述了在硅鳍模板上形成III-V LED结构的方法。这些方法和结构可以包括在硅鳍片的硅（111）面上形成n掺杂的III-V层，在n掺杂的III-V层上形成量子阱层，形成p掺杂的III-V 层，然后在p掺杂的III-V层上形成欧姆接触层。

3. 发明公开

KR1020160037948A 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160037948A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：KR1020167004348
申请日：2014-07-25
申请人： 코쿠리츠켄큐카이하츠호진 죠호츠신켄큐키코 , 스탠리 일렉트릭 컴퍼니, 리미티드
发明人： 이노우에신이치로 , 타마리나오키
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/50 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/0062 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0058 , H01L2933/0083
摘要： 발광파장이단파장이라도높은광 취출효율, 균일한광출력을얻을수 있는반도체발광소자, 및당해반도체발광소자를재현성, 생산성이높게제조가능한반도체발광소자의제조방법을제공한다. 반도체발광소자는, 발광층을포함하는반도체층을구비한반도체발광소자로서, 반도체발광소자의표면은광 취출면을포함한다. 광취출면및 반도체발광소자내에서서로굴절률이다른 2개의층의계면의적어도어느일방에는, 발광층부터출사되는광의파장의 0.5배를초과하는주기를갖는주기요철(周期凹凸) 구조와, 주기요철구조의표면상에위치하고, 광의파장의 0.5배이하인평균직경을갖는미세요철구조가형성되어있다.

4. 发明公开

KR1020140039032A 질화 갈륨 반극성 기판들에서 낮은 저하 발광 다이오드 구조 无效
标题翻译：氮化镓半导体基板上的低驱动发光二极管结构
公开(公告)号：KR1020140039032A
公开(公告)日：2014-03-31
申请号：KR1020147000277
申请日：2012-06-11
申请人： 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 나카무라슈지 , 덴바아스스티븐피. , 타나카신이치 , 피젤다니엘에프. , 자오유지 , 판치-치엔
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/06 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32
摘要： 유기 금속 화학 기상 증착(metal organic chemical vapor deposition; MOCVD)에 의해 질화 갈륨 (GaN) 반극성 기판에서 성장된 (Al,Ga,In)N 박막들의 발광 다이오드 구조는 감소된 저하를 보인다. 상기 소자 구조는 2 이상 주기들의 양자 우물(QW) 활성영역, QW 활성 영역 아래에 위치한 n-형 초격자 층(n-SL)들, 및 상기 QW 활성 영역 위 p-형 초격자 층(p-SL)들을 포함한다. 본 발명은 그러한 소자를 제조하는 방법도 포함한다.

5. 发明公开

KR1020140035964A 고 방출 파워 및 저 효율 저하의 반극성 청색 발광 다이오드들 无效
标题翻译：高排放功率和低效二极管蓝光发光二极管
公开(公告)号：KR1020140035964A
公开(公告)日：2014-03-24
申请号：KR1020137034582
申请日：2012-06-11
申请人： 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 나카무라슈지 , 덴바아스스티븐피. , 피젤다니엘에프. , 판지-치엔 , 자오유지 , 다나카신이치
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/02 , H01L33/04
CPC分类号： H01L33/0062 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L33/06 , H01L33/16
摘要： 높은 방출 파워 및 낮은 효율 저하의 반극성 청색 발광 다이오드들이 개시된다.

6. 发明公开

KR1020120044823A 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 无效
标题翻译：发光装置，发光装置包装和照明系统
公开(公告)号：KR1020120044823A
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020100106335
申请日：2010-10-28
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 한영훈 , 정명훈
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/42 , F21V8/00 , F21K99/00
CPC分类号： H01L33/22 , F21K9/00 , F21K9/61 , F21K9/65 , G02B6/0073 , H01L33/0062 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0091
摘要： PURPOSE: A light emitting device, a light emitting device package and a lighting system are provided to improve the brightness of a light unit by upwardly reflecting light from the lower side of a light guide plate through a reflection member. CONSTITUTION: A first conductive semiconductor layer(110) is formed on a substrate(101). An active layer(115) is formed on the first conductive semiconductor layer. A second conductive semiconductor layer(116) is formed on the active layer. A light extraction structure(114) is formed on the upper side of a third semiconductor layer(112). A first electrode(131) is formed on the upper side of the third semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供发光器件，发光器件封装和照明系统，以通过向上反射来自导光板的下侧的光通过反射构件来改善光单元的亮度。构成：在基板（101）上形成第一导电半导体层（110）。在第一导电半导体层上形成有源层（115）。在有源层上形成第二导电半导体层（116）。光提取结构（114）形成在第三半导体层（112）的上侧。第一电极（131）形成在第三半导体层的上侧。

7. 发明公开

KR1020120040856A 발광 소자 및 발광 소자 패키지 有权
标题翻译：发光器件和发光器件封装
公开(公告)号：KR1020120040856A
公开(公告)日：2012-04-30
申请号：KR1020100102334
申请日：2010-10-20
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 송현돈
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/0062 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/387
摘要： PURPOSE: A light emitting device and a light emitting device package is provided to increase effective radiation area by etching only a light emitting structure region corresponding to a contact electrode part. CONSTITUTION: A light emitting structure(120) comprises a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer are laminated on a substrate. Contact electrodes(210) are touched with the first conductive semiconductor layer. A passivation layer(130) is arranged on the second conductive semiconductor layer and the active layer and between the contact electrodes. A first electrode(150) is formed on the contact electrodes.
摘要翻译：目的：提供发光器件和发光器件封装，以通过仅蚀刻对应于接触电极部分的发光结构区域来增加有效辐射面积。构成：发光结构（120）包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层。将第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层层叠在基板上。接触电极（210）与第一导电半导体层接触。钝化层（130）布置在第二导电半导体层和有源层上以及接触电极之间。第一电极（150）形成在接触电极上。

8. 发明公开

KR1020120040854A 발광 소자 无效
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020120040854A
公开(公告)日：2012-04-30
申请号：KR1020100102332
申请日：2010-10-20
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 손효근 , 정명훈
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/00 , F21K99/00
CPC分类号： H01L33/22 , F21K9/00 , H01L33/0062 , H01L2933/0091
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to improve luminous efficiency by diffusely reflecting light generated from an active layer and emitted toward a substrate. CONSTITUTION: A substrate(110) has one dent portion within a unit chip domain. A light emitting structure(120) comprises a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer. The first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer are successively grown up on the substrate. An electrode is formed on the light emitting structure. The light emitting structure has bending corresponding to the bending of the dent portion.
摘要翻译：目的：提供一种发光装置，通过漫反射从有源层产生的光并朝向衬底发射来提高发光效率。构成：衬底（110）在单元芯片区域内具有一个凹陷部分。发光结构（120）包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层。第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层在衬底上相继长大。在发光结构上形成电极。发光结构具有对应于凹部的弯曲的弯曲。

9. 发明公开

KR1020120028103A Ⅲ족 질화물 나노로드 발광 소자 제조방법 有权
标题翻译：纳米发光装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020120028103A
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020100090115
申请日：2010-09-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 성한규 , 정훈재 , 양정자 , 손철수
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/00 , H01L33/24 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/24 , H01L33/0062
摘要： PURPOSE: A III family nitride nano rod light emitting device manufacturing method is provided to increase the contact area between an active layer and a conductive semiconductor layer, thereby increasing light emitting efficiency of a III family nitride nano rod light emitting device. CONSTITUTION: An insulation film has an opening which exposes a portion of a substrate. The insulation film is formed on the substrate. First conductive type III family nano rod seed layers(26a,36a,46a) grows on the substrate by supplying an III family element supply source gas and a nitrogen supply source gas. The III family element supply source gas and an impurity supply source gas are supplied in a pulse mode. An N supply source gas is continuously supplied to grow a first conductive III family nitride nano rod(26,36,46) on a first conductive III family nitride nano rod seed layer. An active layer is formed on a surface of each first conductive III family nitride nano rod. A second conductive nitride semiconductor layer is formed on an active layer.
摘要翻译：目的：提供III族氮化纳米棒发光器件制造方法，以增加有源层与导电半导体层之间的接触面积，从而提高III族氮化纳米棒发光器件的发光效率。构成：绝缘膜具有露出基板的一部分的开口。绝缘膜形成在基板上。第一导电III族纳米棒种子层（26a，36a，46a）通过提供III族元件供应源气体和氮气源气体在衬底上生长。 III族系列元件供应源气体和杂质源气体以脉冲模式供给。连续供应N个供应源气体以在第一导电III族氮化物纳米棒种子层上生长第一导电III族氮化物纳米棒（26,36,46）。在每个第一导电III族氮化纳米棒的表面上形成有源层。在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。

10. 发明公开

KR1020120017103A 발광 소자 및 그 형성방법 无效
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120017103A
公开(公告)日：2012-02-28
申请号：KR1020100079580
申请日：2010-08-18
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 장정훈
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/40 , H01L33/00 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0062 , H01L33/025 , H01L33/40
摘要： PURPOSE: A light emitting device and a forming method thereof are provided to maximize light emitting efficiency by increasing the reunion efficiency of an electrical hole and electronics in a light emitting layer. CONSTITUTION: A light-emitting layer is formed between a first semiconductor layer(220) and a second semiconductor layer(240). The light-emitting layer comprises a first region, a second region, and a multiple quantum well structures in which a well layer and a barrier are repeatedly laminated by turns. The first region is formed between the first semiconductor layer and the second region. The second region is formed between the first region and the second semiconductor layer. An energy band gap of the well layer of the first region gradually diminishes toward the second region. An energy band gap of the well layer of the second region is constant and lower than the most small band gap of the well layer of the first region.
摘要翻译：目的：提供发光器件及其形成方法，以通过增加发光层中的电孔和电子元件的再聚合效率来最大化发光效率。构成：在第一半导体层（220）和第二半导体层（240）之间形成发光层。发光层包括第一区域，第二区域和多个量子阱结构，其中阱层和势垒反复层叠。第一区域形成在第一半导体层和第二区域之间。第二区域形成在第一区域和第二半导体层之间。第一区域的阱层的能带隙朝向第二区域逐渐减小。第二区域的阱层的能带隙恒定并且低于第一区域的阱层的最小的带隙。

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