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1. 发明公开

KR1020140110741A 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140110741A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020140023864
申请日：2014-02-28
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 기무라시게야 , 나고하지메 , 누노우에신야
IPC分类号： H01L33/24
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/32 , H01L33/382
摘要： According to an embodiment of the present invention, a semiconductor light emitting device includes an n-type first semiconductor layer, a p-type second semiconductor layer, and a light emitting part. The first semiconductor layer and the second semiconductor layer include nitride semiconductors. The light emitting part is provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The light emitting layer includes a plurality of barrier layers and a plurality of well layers, alternately stacked. The well layer includes a first p side well layer closest to the second semiconductor layer, and a second p side well layer secondly close to the second semiconductor layer. Localized energy of an exciton of the first p side well layer is lower than localized energy of an exciton of the second p-side well layer.
摘要翻译：根据本发明的实施例，半导体发光器件包括n型第一半导体层，p型第二半导体层和发光部分。第一半导体层和第二半导体层包括氮化物半导体。发光部分设置在第一半导体层和第二半导体层之间。发光层包括交替层叠的多个阻挡层和多个阱层。阱层包括最靠近第二半导体层的第一p侧阱层和第二p侧阱层，其第二接近第二半导体层。第一p侧阱层的激子的局部化能量低于第二p侧阱层的激子的局部能量。

2. 发明授权

KR101174574B1 반도체 발광 소자 有权
公开(公告)号：KR101174574B1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：KR1020100087420
申请日：2010-09-07
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 나고하지메 , 다찌바나고이찌 , 히꼬사까도시끼 , 기무라시게야 , 누노우에신야
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/04
CPC分类号： H01L33/12 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01S5/34333
摘要： 본발명의일 실시예에따르면, 반도체발광소자는 n형및 p형반도체층들, 발광부, 다층구조체및 n측중간층을포함한다. 발광부는반도체층들사이에제공된다. 발광부는 GaN을포함하는장벽층들과장벽층들사이에제공되는웰층을포함한다. 웰층은 InGaN을포함한다. 다층구조체는 n측반도체층과발광부사이에제공된다. 다층구조체는 GaN을포함하는제1 층들, 제1 층들사이에제공되는제2 층을포함한다. 제2 층은 InGaN을포함한다. 제2 In 조성비 x2는제1 In 조성비 x1의 0.6배이상으로제1 In 조성비 x1 보다낮다. 중간층은다층구조체와발광부사이에제공되며 AlGaN (0

3. 发明公开

KR1020150001642A 질화물 반도체 소자, 질화물 반도체 웨이퍼 및 질화물 반도체 층의 형성 방법 有权
标题翻译：氮化物半导体元件，氮化物半导体器件和形成氮化物半导体层的方法
公开(公告)号：KR1020150001642A
公开(公告)日：2015-01-06
申请号：KR1020140077036
申请日：2014-06-24
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 히코사카도시키 , 요시다히사시 , 나고하지메 , 스기야마나오하루 , 누노우에신야
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/32 , H01L21/318
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/1075 , H01L29/7786 , H01L33/12 , H01L21/02 , H01L33/22 , H01L33/32
摘要： 실시예에 따르면, 적층체 및 기능층을 포함하는 질화물 반도체 소자가 제공된다. 적층체는, 제1 GaN 층, 제1 층 및 제2 GaN 층을 포함한다. 제1 GaN 층은 제1 볼록부를 포함한다. 제1 층은 제1 GaN 층에 설치되며 Si 및 Mg 중 적어도 어느 하나를 함유한다. 제2 GaN 층은 제2 볼록부를 포함한다. 제2 볼록부의 저부 길이는 제1 볼록부의 저부 길이보다 짧다. 기능층은 적층체 상에 설치되며 질화물 반도체를 포함한다.
摘要翻译：根据实施例，本发明提供一种包括层压体和功能层的氮化物半导体器件。层压体包括第一GaN层，第一层和第二GaN层。第一GaN层包括第一块单元。第一层安装在第一GaN层上，并且包括Si和Mg中的至少一种。第二GaN层包括第二块单元。第二块的下侧的长度比第一块的下侧的长度短。功能层安装在层压体上，并包括氮化物半导体。

4. 发明公开

KR1020140047147A 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：氮化物半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140047147A
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020147005124
申请日：2009-12-21
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 나고하지메 , 다찌바나고이찌 , 오까도시유끼 , 기무라시게야 , 누노우에신야
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06
摘要： 충분한 광출력이 얻어지는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. n형 질화물 반도체를 갖는 제1 클래드층(13)과, 제1 클래드층(13) 위에 형성되고, In을 포함하는 질화물 반도체를 갖는 활성층(14)과, 활성층(14) 위에 형성된 GaN층(17)과, GaN층(17) 위에 형성되고, 제1 Al 조성비(x1)를 갖는 제1 AlGaN층(18)과, 제1 AlGaN층(18) 위에 형성되고, 제1 Al 조성비(x1)보다 높은 제2 Al 조성비(x2)를 갖고, 또한 GaN층(17) 및 제1 AlGaN층(18)보다 다량으로 Mg를 함유하는 p형 제2 AlGaN층(19)과, 제2 AlGaN층(19) 위에 형성되고, p형 질화물 반도체를 갖는 제2 클래드층(20)을 구비한다.

5. 发明公开

KR1020120081249A 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：氮化物半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120081249A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：KR1020127015478
申请日：2009-12-21
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 나고하지메 , 다찌바나고이찌 , 오까도시유끼 , 기무라시게야 , 누노우에신야
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06
摘要： 충분한 광출력이 얻어지는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. n형 질화물 반도체를 갖는 제1 클래드층(13)과, 제1 클래드층(13) 위에 형성되고, In을 포함하는 질화물 반도체를 갖는 활성층(14)과, 활성층(14) 위에 형성된 GaN층(17)과, GaN층(17) 위에 형성되고, 제1 Al 조성비(x1)를 갖는 제1 AlGaN층(18)과, 제1 AlGaN층(18) 위에 형성되고, 제1 Al 조성비(x1)보다 높은 제2 Al 조성비(x2)를 갖고, 또한 GaN층(17) 및 제1 AlGaN층(18)보다 다량으로 Mg를 함유하는 p형 제2 AlGaN층(19)과, 제2 AlGaN층(19) 위에 형성되고, p형 질화물 반도체를 갖는 제2 클래드층(20)을 구비한다.

6. 发明授权

KR101422452B1 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：氮化物半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101422452B1
公开(公告)日：2014-07-22
申请号：KR1020147005124
申请日：2009-12-21
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 나고하지메 , 다찌바나고이찌 , 오까도시유끼 , 기무라시게야 , 누노우에신야
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06
摘要： 충분한 광출력이 얻어지는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. n형 질화물 반도체를 갖는 제1 클래드층(13)과, 제1 클래드층(13) 위에 형성되고, In을 포함하는 질화물 반도체를 갖는 활성층(14)과, 활성층(14) 위에 형성된 GaN층(17)과, GaN층(17) 위에 형성되고, 제1 Al 조성비(x1)를 갖는 제1 AlGaN층(18)과, 제1 AlGaN층(18) 위에 형성되고, 제1 Al 조성비(x1)보다 높은 제2 Al 조성비(x2)를 갖고, 또한 GaN층(17) 및 제1 AlGaN층(18)보다 다량으로 Mg를 함유하는 p형 제2 AlGaN층(19)과, 제2 AlGaN층(19) 위에 형성되고, p형 질화물 반도체를 갖는 제2 클래드층(20)을 구비한다.
摘要翻译：一种能够获得足够光输出的氮化物半导体发光器件及其制造方法。形成在第一覆盖层13上并且具有包含In的氮化物半导体和形成在有源层14上的GaN层17的有源层14形成在第一包覆层13上，形成在GaN层17上并具有第一Al组分比x1的第一AlGaN层18和形成在第一AlGaN层18上并具有较高Al组分比x1的第二AlGaN层18 具有第二Al组分比x2并含有比GaN层17和第一AlGaN层18更大量的Mg的p型第二AlGaN层19，以及具有p型氮化物半导体的第二包层20。

7. 发明公开

KR1020110102117A 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体发光装置及制造半导体发光装置的方法
公开(公告)号：KR1020110102117A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020100086836
申请日：2010-09-06
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 고또다도루 , 나고하지메 , 오까도시유끼 , 자이마고따로 , 누노우에신야
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/11 , H01L2933/0041 , H01L2933/005
摘要： 반도체 발광 장치는 지지 기판, 발광 소자 및 언더필재를 포함한다. 발광 소자는 범프를 통해 지지 기판에 통해 접촉되는 질화물계 III-V족 화합물 반도체 층을 포함한다. 언더필재는 지지 기판 상에 지지 기판, 발광 소자 및 범프와 접촉하도록 배치되며, 상기 발광 소자의 단부면의 외측에 상기 발광 소자의 단부면을 둘러싸도록 배치되는 리브부를 포함한다.

8. 发明授权

KR100789028B1 반도체 장치 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR100789028B1
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：KR1020060082170
申请日：2006-08-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다찌바나고이찌 , 혼고지에 , 나고하지메 , 누노우에신야
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , Y10S257/918
摘要： 반도체 장치는, 활성층, 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 활성층과 상기 제1 반도체층의 사이에 배치되며, 제1 도전형의 불순물로 도핑되고 전자 또는 정공의 오버플로를 방지하는 오버플로 방지층, 상기 활성층과 상기 오버플로 방지층의 사이, 및 상기 오버플로 방지층과 상기 제1 반도체층의 사이 중 적어도 한 곳에 배치되는 제1 도전형의 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 활성층의 사이에 배치되며, 상기 오버플로 방지층, 상기 제1 반도체층, 및 상기 제2 반도체층보다 작은 밴드갭을 갖고 제1 도전형의 불순물의 확산을 방지하는 불순물 확산 방지층을 포함한다.
불순물 확산 방지층, 활성층, 레이저 다이오드, GaN, 가이드층, 오버플로 방지층
摘要翻译：半导体装置，其被布置在有源层，第一半导体层，有源层和第一导电类型的第一半导体层之间的溢出，掺杂与由电子或空穴溢出防止第一导电类型的杂质层，所述有源层和所述阻挡层之间的溢出，以及第二半导体层，并且所述第一半导体层和所述第一导电类型的有源层和在溢出的层被布置在第一位置上方的所述半导体层之间的至少一个设置在之间，它包括溢出层，第一半导体层，并且所述第二型的杂质扩散层具有更小的带隙比所述半导体层，以防止所述第一导电类型的杂质的扩散。

9. 发明公开

KR1020070026091A 반도체 장치 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020070026091A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020060082170
申请日：2006-08-29
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 다찌바나고이찌 , 혼고지에 , 나고하지메 , 누노우에신야
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , Y10S257/918
摘要： A semiconductor device is provided to enhance device characteristics by preventing first type ions from diffusing into an active layer using a diffusion barrier layer. A semiconductor device includes an active layer(5), a first semiconductor layer of first conductive type, an overflow preventing layer(7) between the active layer and the first semiconductor layer, a second semiconductor layer of first conductive type between the active layer and the overflow preventing layer, and a diffusion barrier layer. The diffusion barrier layer(8) is arranged between the first semiconductor layer and the active layer. The diffusion barrier layer has a smaller band gap than those of the overflow preventing layer, the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
摘要翻译：提供半导体器件以通过使用扩散阻挡层防止第一类型离子扩散到有源层中来增强器件特性。半导体器件包括有源层（5），第一导电类型的第一半导体层，有源层和第一半导体层之间的溢出防止层（7），在有源层和第二半导体层之间的第一导电类型的第二半导体层溢出防止层和扩散阻挡层。扩散阻挡层（8）布置在第一半导体层和有源层之间。扩散阻挡层具有比溢出防止层，第一半导体层和第二半导体层更小的带隙。

10. 发明授权

KR101559210B1 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 失效
公开(公告)号：KR101559210B1
公开(公告)日：2015-10-12
申请号：KR1020130159990
申请日：2013-12-20
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 나고하지메 , 기무라시게야 , 하라다요시유키 , 누노우에신야
IPC分类号： H01L33/06 , H01L33/04 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/325 , H01S5/3211 , H01S5/3407 , H01S5/34333 , H01S5/34346
摘要： 한실시형태에따르면, 반도체발광소자는질화물반도체를포함하는 n형반도체층, p형반도체층및 발광층을포함한다. 상기 p형반도체층은 Mg을포함하는 AlGaN(0≤x1

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