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1. 发明授权

KR101708867B1 화합물 반도체의 퇴적 방법 및 장치 有权
标题翻译：化学化合物半导体和器件的沉积方法
公开(公告)号：KR101708867B1
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020117020985
申请日：2010-04-28
申请人： 고쿠리츠다이가쿠호우진 도쿄다이가쿠 , 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디
发明人： 오츠모토이치 , 야츠이타카시 , 카와조에타다시 , 야마자키슌스케 , 카지야마코이치 , 미즈무라미치노부 , 이토케이이치
IPC分类号： H01L21/02 , C23C14/54 , C30B25/00 , C23C16/30 , C30B29/40 , C23C16/48 , C23C16/52 , H01L33/00
CPC分类号： C23C16/481 , C23C14/548 , C23C16/303 , C23C16/52 , C30B25/00 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062
摘要： 3원계이상의화합물반도체를기판위에퇴적시킴과아울러그 발광파장을나노미터오더로조정하는것이가능한화합물반도체의퇴적방법을제공한다. 3원계이상의화합물반도체를기판위에퇴적시키는화합물반도체의퇴적방법에있어서, 화합물반도체를기판(13) 위에퇴적시키면서, 당해화합물반도체의원하는이상적인여기에너지보다도작은에너지의전파광을당해기판(13) 위에조사하여, 기판(13) 위에퇴적된화합물반도체의미립자로부터상기조사된전파광에기초하는근접장광을발생시키고, 발생시킨근접장광에기초하여화합물반도체에대하여새로운진동준위를다단계에걸쳐형성시키고, 이새로운진동준위중 전파광이지닌에너지이하의여기에너지를갖는진동준위를통하여, 화합물반도체에서의당해여기에너지에대응하는성분을당해전파광에의해여기시켜, 이것을탈리시킨다.
摘要翻译：提供一种在将化合物半导体沉积在基板上时以纳米级调节三元或更高系统的化合物半导体的发光波长的化合物半导体沉积方法。在将三元或更高系统的化合物半导体沉积在衬底上的化合物半导体沉积方法中，将化合物半导体所需的理想激发能的能量较小的传播光照射到衬底13上，同时将化合物半导体沉积在基板13，基于沉积在基板13上的化合物半导体的微粒的照射的传播光产生近场光，基于产生的近场光，以多个阶段形成化合物半导体的新的振动电平，以及对应于激发能的化合物半导体中的成分被传播光激发，通过振动水平，激发能量等于或小于传播光的能量的新的振动水平被激发，从而解吸部件。

2. 发明公开

KR1020120065266A 화합물 반도체의 퇴적 방법 및 장치 有权
标题翻译：化学化合物半导体和器件的沉积方法
公开(公告)号：KR1020120065266A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020117020985
申请日：2010-04-28
申请人： 고쿠리츠다이가쿠호우진 도쿄다이가쿠 , 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디
发明人： 오츠모토이치 , 야츠이타카시 , 카와조에타다시 , 야마자키슌스케 , 카지야마코이치 , 미즈무라미치노부 , 이토케이이치
IPC分类号： H01L21/02 , C23C14/54 , C30B25/00 , C23C16/30 , C30B29/40 , C23C16/48 , C23C16/52 , H01L33/00
CPC分类号： C23C16/481 , C23C14/548 , C23C16/303 , C23C16/52 , C30B25/00 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L21/02387
摘要： 3원계 이상의 화합물 반도체를 기판 위에 퇴적시킴과 아울러 그 발광 파장을 나노미터 오더로 조정하는 것이 가능한 화합물 반도체의 퇴적 방법을 제공한다.
3원계 이상의 화합물 반도체를 기판 위에 퇴적시키는 화합물 반도체의 퇴적 방법에 있어서, 화합물 반도체를 기판(13) 위에 퇴적시키면서, 당해 화합물 반도체의 원하는 이상적인 여기에너지보다도 작은 에너지의 전파광을 당해 기판(13) 위에 조사하여, 기판(13) 위에 퇴적된 화합물 반도체의 미립자로부터 상기 조사된 전파광에 기초하는 근접장광을 발생시키고, 발생시킨 근접장광에 기초하여 화합물 반도체에 대하여 새로운 진동 준위를 다단계에 걸쳐 형성시키고, 이 새로운 진동 준위 중 전파광이 지닌 에너지 이하의 여기에너지를 갖는 진동 준위를 통하여, 화합물 반도체에서의 당해 여기에너지에 대응하는 성분을 당해 전파광에 의해 여기시켜, 이것을 탈리시킨다.
摘要翻译：提供一种在将化合物半导体沉积在基板上时以纳米级调节三元或更高系统的化合物半导体的发光波长的化合物半导体沉积方法。在将三元或更高系统的化合物半导体沉积在衬底上的化合物半导体沉积方法中，将化合物半导体所需的理想激发能的能量较小的传播光照射到衬底13上，同时将化合物半导体沉积在基板13，基于沉积在基板13上的化合物半导体的微粒的照射的传播光产生近场光，基于产生的近场光，以多个阶段形成化合物半导体的新的振动电平，以及对应于激发能的化合物半导体中的成分被传播光激发，通过振动水平，激发能量等于或小于传播光的能量的新的振动水平被激发，从而解吸部件。

3. 发明公开

KR1020080051131A 산화아연 나노 세선의 근접장 광촉매 无效
标题翻译：包括氧化锌纳米颗粒的近场光电子学
公开(公告)号：KR1020080051131A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020087004664
申请日：2005-08-31
申请人： 학교법인 포항공과대학교 , 고쿠리츠다이가쿠호우진 도쿄다이가쿠
发明人： 이규철 , 오츠모토이치 , 야츠이타카시
IPC分类号： B01J23/06 , B82B3/00 , B01J21/06 , B82Y30/00
CPC分类号： B01J35/004 , B01D53/885 , B01D2255/802 , B01J21/06 , B01J23/06 , B01J35/06 , B01J37/0238 , B82Y30/00 , C01G9/02 , C02F1/725
摘要： A photocatalyst comprising ZnO instead of titanium is provided to reduce production costs of the photocatalyst significantly, and a photocatalyst in which ZnO is formed as nanowires is provided to obtain an electric potential required for the generation of hydrogen without the use of additional electrodes or the application of additional voltage by near fields generated from pointed ends of the nanowires. A near-field photocatalyst using near field light formed from an pointed end of a nanowire comprises: a substrate; and a base which is formed on the substrate and formed from nanomaterial comprising one or more selected from ZnO, TiO2, GaP, ZrO2, SiCdS, KTaO2, KTaNBO, CdSe, SrTiO3, Nb2O3, Fe2O3, WO2, SaO2 or mixture thereof as a main component, wherein the nanomaterial is formed in shapes of nanowires comprising a nanoneedle, a nanorod, and a nanotube. The ZnO nanomaterial has a diameter of less than 5 to 200 nm, and a length of 0.5 to 100 mum. The substrate is selected from a group consisting of a silicon substrate, a glass substrate, a quartz substrate, a Pyrex substrate, a sapphire substrate, and a plastic substrate. The ZnO nanomaterial is oriented on the substrate perpendicularly to the substrate. The ZnO nanomaterial is formed on the substrate by a metal-organic vapor-phase epitaxy process, a metal-organic chemical vapor deposition process, a sputtering process, a thermal or electron beam evaporation process, a pulse laser deposition process, a vapor-phase transport process, and a chemical synthesis process. Further, the nanomaterial is coated by a compound selected from a group consisting of MgO, CdO, GaN, AlN, InN, GaAs, GaP, InP or the mixture thereof.
摘要翻译：提供包含ZnO代替钛的光催化剂以显着降低光催化剂的生产成本，并且提供其中形成ZnO作为纳米线的光催化剂以获得在不使用附加电极或应用的情况下产生氢所需的电位由纳米线的尖端产生的近场产生附加电压。使用由纳米线的尖端形成的近场光的近场光催化剂包括：基板; 以及形成在基板上并由纳米材料形成的基底，其包含选自ZnO，TiO 2，GaP，ZrO 2，SiCdS，KTaO 2，KTaNBO，CdSe，SrTiO 3，Nb 2 O 3，Fe 2 O 3，WO 2，SaO 2或其混合物中的一种或多种作为主要组分，其中所述纳米材料形成为包括纳米针，纳米棒和纳米管的纳米线的形状。 ZnO纳米材料的直径小于5至200nm，长度为0.5至100μm。衬底选自由硅衬底，玻璃衬底，石英衬底，Pyrex衬底，蓝宝石衬底和塑料衬底组成的组。 ZnO纳米材料在垂直于衬底的衬底上取向。 ZnO纳米材料通过金属 - 有机气相外延法，金属有机化学气相沉积法，溅射法，热或电子束蒸发法，脉冲激光沉积法，气相法运输过程和化学合成过程。此外，纳米材料由选自MgO，CdO，GaN，AlN，InN，GaAs，GaP，InP或其混合物的化合物涂覆。

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