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1. 发明公开

KR1020160100835A MOCVD 반응공정을 개선하는 공정 부품 및 그 방법 无效
标题翻译：工艺组件和改进MOCVD反应过程的方法
公开(公告)号：KR1020160100835A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：KR1020160016211
申请日：2016-02-12
申请人： 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드, 상하이
发明人： 허,시아오밍 , 구오,쉬핑
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/00 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC分类号： C30B29/406 , C23C16/4404 , C30B25/08 , H01L33/0062
摘要： 본발명은 MOCVD 반응공정을개선하는공정부품및 그방법에관한것이다. 상기개선원리는 MOCVD 반응챔버내에서스테인리스강본체상에치밀한보호막을코팅하고, 상기보호막의성분전부가 MOCVD 증착공정동안필요한가스원소의성분으로구성되거나, 또는 MOCVD 반응가스와반응하지않는성분으로구성된다. 보호막의성분은알루미늄, 갈륨, 및마그네슘중 적어도하나및 질소및 산소중 적어도하나로구성된화합물, 또는 MOCVD 공정에서가스와반응하지않는화학특성이안정한기타재료를포함한다. 상기보호막은 MOCVD 공정에서반응가스와반응하지않거나, MOCVD 반응챔버에오염물질을증가하지않으므로, MOCVD 생산공정의초기화시간을단축하고, MOCVD 설비의생산효율을향상시킨다. 보호막은공극률이 1% 미만인치밀한조직을갖고, 보호막의두께는 1㎚-0.5㎜이다.
摘要翻译：本发明涉及一种改进MOCVD反应过程的方法组分和方法。改进的原理是在MOCVD反应室中涂覆紧密保护膜的不锈钢体，其中紧密保护膜的整个组成由MOCVD沉积过程中所需的气体元素或不与 MOCVD反应气体。保护膜的组成包括由Al，Ga和Mg中的至少一种以及氧和氮中的至少一种构成的化合物，或者与MOCVD工艺中的气体不反应的具有稳定化学特性的其它材料。保护膜不会与MOCVD工艺中的反应气体反应或MOCVD反应室中的污染物不增加。因此，降低MOCVD工艺的初始化时间，提高MOCVD设备的生产效率。保护膜具有紧凑的质感，孔隙率小于1％，保护膜的厚度为1nm至0.5mm。

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