专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101296432B1 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드와 이의 제조 방법 有权
标题翻译：具有大角度角度的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101296432B1
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020120023419
申请日：2012-03-07
申请人： 옵토 테크 코포레이션
发明人： 린,첸옌 , 린,융밍 , 예,포춘 , 유,젱웨이 , 라이,치밍 , 펭,룽한
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/08 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0012 , H01L33/0062 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 발광 다이오드는 기판, 복수의 기둥 구조체, 충전 구조체, 투명한 도전층, 제 1 전극, 및 제 2 전극을 포함한다. 이들 기둥 구조체는 기판상에 형성된다. 각각의 기둥 구조체는 제 1 타입의 반도체 층, 활성층, 및 제 2 타입의 반도체 층을 포함한다. 제 1 타입의 반도체 층은 기판상에 형성된다. 기둥 구조체는 제 1 타입의 반도체 층을 통해 서로 전기적으로 접속된다. 충전 구조체는 기둥 구조체 사이에 형성된다. 충전 구조체와 기둥 구조체의 제 2 타입의 반도체 층은 투명한 도전층으로 커버된다. 제 1 전극은 투명한 도전층과 접속 상태이다. 제 2 전극은 제 1 타입의 반도체 층과 접속 상태이다.
摘要翻译：发光二极管包括基板，多个柱结构，填充结构，透明导电层，第一电极和第二电极。这些柱结构形成在基板上。每个柱结构包括第一类型半导体层，有源层和第二类型半导体层。在基板上形成第一类型的半导体层。柱结构通过第一类型半导体层彼此电连接。填料结构形成在柱结构之间。柱结构的填充结构和第二类型半导体层被透明导电层覆盖。第一电极与透明导电层接触。第二电极与第一类型半导体层接触。

2. 发明公开

KR1020120102539A 넓은 시야각을 갖는 발광 다이오드와 이의 제조 방법 有权
标题翻译：具有大角度角度的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120102539A
公开(公告)日：2012-09-18
申请号：KR1020120023419
申请日：2012-03-07
申请人： 옵토 테크 코포레이션
发明人： 린,첸옌 , 린,융밍 , 예,포춘 , 유,젱웨이 , 라이,치밍 , 펭,룽한
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/08 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/0012 , H01L33/0062 , H01L2224/45139 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to increase side optical extraction efficiency through an incline plane of the sidewall of the light emitting diode. CONSTITUTION: A column structure body is formed on a substrate(100). The column structure body comprises an N-type layer(102), an active layer(104), and a P-type layer(106). A passivation layer(108) is formed on the surface of the N-type layer. An electrical insulating layer(110) is charged in a section between sidewalls of the passivation layer. A first electrode(114) contacts with a sub-wavelength surface structure of a transparent conductive layer(112). A second electrode contacts with a semiconductor layer of a first type. A semiconductor of a second type is covered by the transparent conductive layer. The semiconductor layer of the first type is the N-type layer. The semiconductor of the second type is the P-type layer.
摘要翻译：目的：提供一种发光二极管及其制造方法，以通过发光二极管的侧壁的倾斜平面增加侧光提取效率。构成：在基板（100）上形成列结构体。列结构体包括N型层（102），有源层（104）和P型层（106）。在N型层的表面上形成钝化层（108）。在绝缘层的侧壁之间的部分中充电电绝缘层（110）。第一电极（114）与透明导电层（112）的亚波长表面结构接触。第二电极与第一类型的半导体层接触。第二类型的半导体被透明导电层覆盖。第一类型的半导体层是N型层。第二类型的半导体是P型层。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式