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31. 发明公开

KR1020040074908A 정전구동형 초소형 전기적 기계적 복합체 소자와 그 제조방법, 광학 초소형전기적 기계적 복합체소자, 광변조소자, ＧＬＶ 디바이스 및 레이저 디스플레이 失效
标题翻译：机电驱动型微机电复合元件及其制造方法，光学微机电复合元件，光调制元件，GLV器件和激光显示器
公开(公告)号：KR1020040074908A
公开(公告)日：2004-08-26
申请号：KR1020037010996
申请日：2002-12-16
申请人： 소니 주식회사
发明人： 이케다고이치
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , G02B5/18 , G02B26/02
CPC分类号： B81C1/0015 , B81B2201/045 , B81B2203/04 , B81C2201/0109 , B81C2201/0173 , B81C2203/0109 , G02B26/0841
摘要： 본 발명은 구동측 전극표면의 평탄화, 성능의 향상, 더욱이 제조공정의 설계의 자유도의 향상을 도모한 정전구동형 MEMS소자와 그 제조방법을 제공한다. 또, 이 MEMS소자를 이용한 GLV 디바이스, 또한 이 GLV 디바이스를 이용한 레이저 디스플레이를 제공한다.
본 발명은 기판측 전극과, 기판측 전극에 대향하여 배치되고, 이 기판측 전극과의 사이에 움직이는 정전인력 또는 정전반발력에 의해 구동하는 구동측 전극을 가지고 이루는 빔을 갖추고, 기판측 전극을 반도체 기판내의 불순물 도입된 도전성 반도체영역에서 형성하여 정전구동형 MEMS소자를 구성한다.

32. 发明公开

KR1020030086989A 마이크로 구조를 이탈시키기 위한 향상된 희생층 에칭 기법 无效
标题翻译：用于偏离微结构的先进牺牲层蚀刻技术
公开(公告)号：KR1020030086989A
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：KR1020037009865
申请日：2002-02-08
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 데스폰트,마이클 , 드레츠슬레르,우테 , 게놀레트,그레고이레 , 베티저,피터
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： B81C1/00476 , B81C2201/0109
摘要： 기판으로부터 마이크로 구조를 적어도 부분적으로 이탈시키기 위한 방법이 제공된다. 본 방법은 (a) 기판(2)을 제공하는 단계와, (b) 기판(2)에 각각 전기 도전 물질을 포함하고, 각각 서로 다른 옥시도-감소 전위를 갖는 제1 층(4)과 제2 층(6)을 증착하는 단계와, (c) 제1 층(4)과 제2 층(6)을 전기적으로 접속하는 단계와, (d) 단계 (b)에서 증착된 제1 층(4)과 제2 층(6) 위에 마이크로 구조를 형성하여, 중간 구조를 생성하는 단계와, (e) 단계 (d)에서 형성된 중간 구조(10)를 전해질(12)에 담금으로써, 제2 층(6)을 전기 화학적으로 에칭하는 단계를 포함한다.

33. 发明公开

KR1020030059695A 스텝-업 구조를 갖는 외팔보 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有升压结构的装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030059695A
公开(公告)日：2003-07-10
申请号：KR1020020000434
申请日：2002-01-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이희중
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81C1/0015 , B81B3/0078 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C2201/0109 , B81C2201/014
摘要： PURPOSE: A cantilever and a method for manufacturing the same are provided to achieve an MEMS(micro electro mechanical system) driving device capable of minimizing an initial bending deformation. CONSTITUTION: A cantilever(42) having a step-up structure includes a substrate, a supporting section fixing the substrate, and a moving plate(42d) connected to the supporting section while forming a predetermined gap between the substrate and the moving plate(42d). The supporting section includes a first supporting part(42a) having a predetermined shape, a second supporting part vertically installed at an edge of the first supporting part(42a) and arranged lengthwise the moving plate(42d), and a third supporting part(42c) aligned perpendicular to an edge of the first supporting part(42a) and parallel to the second supporting plate.
摘要翻译：目的：提供悬臂及其制造方法，以实现能够最小化初始弯曲变形的MEMS（微机电系统）驱动装置。构成：具有升压结构的悬臂（42）包括基板，固定基板的支撑部和连接到支撑部的移动板（42d），同时在基板和移动板（42d）之间形成预定的间隙）。所述支撑部包括具有预定形状的第一支撑部分（42a），垂直地安装在所述第一支撑部分（42a）的边缘并且沿所述移动板（42d）纵向设置的第二支撑部分，以及第三支撑部分）垂直于第一支撑部分（42a）的边缘并且平行于第二支撑板对准。

34. 发明公开

KR1020030059159A 전극구조, 박막 구조체의 제조방법 无效
标题翻译：电极结构，薄膜结构的制造方法
公开(公告)号：KR1020030059159A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020037004514
申请日：2001-07-30
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 호리카와마키오 , 이시바시키요시 , 오쿠무라미카
IPC分类号： H01L49/02
CPC分类号： B81C1/00095 , B81B2203/0307 , B81C2201/0109 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은, 다른 절연막을 제거하지 않고 희생막을 제거하는 전극구조, 박막구조체의 제조방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다. 그리고, 상기 목적을 달성하기 위해, 희생막(51), 질화막(47)으로 덮어진 배선(45)의 표면을 개구하는 앵커홀(52)을 형성한다. 앵커홀(52)은 질화막(47)이 갖는 홀부(47c)와 희생막(51)의 개구(51a)로 구성된다. 홀부(47c)는 배선(45)의 표면의 에지부(45a)보다도 제1 소정거리(d1)만큼 배선(45)의 내측으로 들어가 개구한다. 개구(51a)는 홀부(470)보다도 제2 소정거리(d2)만큼 후퇴하여 개구한다. 제1 및 제2 소정거리(d1, d2)의 존재에 의해, 희생막(51)을 제거하기 위한 에천트가 산화막(33)으로 칩입하는 거리가 길다.

35. 发明授权

KR101807146B1 고감도 마이크로폰 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101807146B1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：KR1020160116721
申请日：2016-09-09
申请人： 현대자동차주식회사
发明人： 유일선
IPC分类号： H04R19/04 , H04R19/00 , H04R19/01 , H04R31/00
CPC分类号： H04R19/04 , B81B3/0075 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , H01L51/0048 , H04R19/005 , H04R31/00 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R19/016
摘要： 고감도마이크로폰및 그제조방법이개시된다. 본발명의실시예에따른고감도마이크로폰은, 중앙부에관통구가형성된기판; 상기기판상에서상기관통구를덮는형태로배치되는진동막; 상기진동막의상부에공기층을두고이격설치되며, 상기공기층방향으로관통된복수의공기유입구를포함하는고정막; 및상기고정막과진동막사이에탄성이있는수직기둥으로형성되어인가전압에관계없이마찰력에의해상기진동막을기계적으로고정하는복수의지지체를포함한다.

36. 发明授权

KR101763198B1 자기 재료들 사이의 갭 有权
标题翻译：磁性材料之间的差距
公开(公告)号：KR101763198B1
公开(公告)日：2017-07-31
申请号：KR1020140026632
申请日：2014-03-06
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 티엔,웨이 , 인투리,벤카테스와라라오 , 린,더그 , 인,후하칭 , 치우,지아오밍
IPC分类号： G11B5/23 , G11B5/62
CPC分类号： G11B5/3176 , B81C1/00611 , B81C2201/0109 , C09K13/00 , C23F4/00 , G03F7/0041 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3109 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163
摘要： 일실시예에따르면, 방법은재료의비자기갭 층을자기재료의주극층 위에증착하는단계; 재료의희생층을재료의비자기갭 층위에증착하는단계; 재료의희생층을전적으로제거하지않으면서재료의희생층의일부를에칭하는단계; 및증착하는부가희생재료를에칭된희생층에증착하는단계에의해구현될수 있다.
摘要翻译：根据一个实施例，一种方法包括：在磁性材料的主极层上沉积材料的非磁性间隙层; 在材料的非磁性间隙层上沉积牺牲材料层; 蚀刻牺牲层材料的一部分而不完全去除牺牲材料层; 并且在蚀刻的牺牲层上沉积附加的牺牲材料。

37. 发明公开

KR1020140111962A 자기 재료들 사이의 갭 有权
标题翻译：磁性材料之间的差距
公开(公告)号：KR1020140111962A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020140026632
申请日：2014-03-06
申请人： 시게이트 테크놀로지 엘엘씨
发明人： 티엔,웨이 , 인투리,벤카테스와라라오 , 린,더그 , 인,후하칭 , 치우,지아오밍
IPC分类号： G11B5/23 , G11B5/62
CPC分类号： G11B5/3176 , B81C1/00611 , B81C2201/0109 , C09K13/00 , C23F4/00 , G03F7/0041 , G11B5/1278 , G11B5/187 , G11B5/232 , G11B5/235 , G11B5/3109 , G11B5/3116 , G11B5/3143 , G11B5/3163 , G11B5/23 , G11B5/31 , G11B5/62
摘要： According to an embodiment of the present invention, a method can be realized by steps of vaporizing and depositing the non-magnetic gap layer of a material on the main polar layer of a magnetic material; vaporizing and depositing the sacrificing layer of the material on the non-magnetic gap layer; etching some parts of the sacrificing layer of the material without entirely eliminating the sacrificing layer of the material; and vaporizing and depositing additional sacrificing material on the etched sacrificing layer.
摘要翻译：根据本发明的实施例，可以通过在磁性材料的主极性层上蒸发并沉积材料的非磁隙层的步骤来实现方法; 在所述非磁隙层上蒸发并沉积所述材料的牺牲层; 蚀刻材料的牺牲层的一些部分，而不完全消除材料的牺牲层; 并在蚀刻的牺牲层上蒸发并沉积额外的牺牲材料。

38. 发明公开

KR1020130118228A 평면 캐비티 ＭＥＭＳ 및 관련 스트럭처, 그 제조 방법 및 디자인 스트럭처 有权
标题翻译：平面腔体MEMS及相关结构，其制造方法及其设计结构
公开(公告)号：KR1020130118228A
公开(公告)日：2013-10-29
申请号：KR1020127033926
申请日：2011-06-08
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 던바,조지,에이. , 허,중-샹 , 몰링,제프리,씨. , 머피,윌리암,제이. , 스탬퍼,앤서니,케이.
IPC分类号： H01L29/84
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
摘要： 적어도 하나의 미세전자기계시스템 (MEMS)를 형성하는 방법은 기판상에 하부 배선 층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법은 상기 하부 배선 층으로부터 복수의 분리된 와이어들 (14)를 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 방법은 상기 복수의 분리된 와이어들 위에 전극빔 (38)을 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 전극빔과 상기 복수의 분리된 와이어들을 형성하는 단계 중 적어도 하나는 후속 실리콘 증착 (50)에서 힐록(hillock)들과 트리플 포인트(triple point)들을 최소화하는 레이아웃으로 형성된다.

39. 发明公开

KR1020110014709A ＭＥＭＳ 장치 내의 제어된 부착성을 위한 저온 비정질 실리콘 희생층 无效
标题翻译：用于MEMS器件中控制粘合的低温非晶硅绝缘层
公开(公告)号：KR1020110014709A
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：KR1020117000008
申请日：2009-06-03
申请人： 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 웹스터,제임스,랜돌프 , 투,탄,응이아 , 얀,시아오밍 , 정,원석
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0008 , B81B2201/042 , B81C2201/0107 , B81C2201/0109 , B81C2201/115 , G02B26/001 , Y10T428/24917
摘要： 전자기계시스템 장치의 이동식 구성요소의 영구 부착성 혹은 정지마찰을 경감시키는 해당 전자기계시스템 장치의 제조방법이 제공된다. 상기 방법은 개선되고 재현가능한 표면 조도를 지니는 비정질 실리콘 희생층을 제공한다. 상기 비정질 실리콘 희생층은 상기 전자기계시스템 장치에 이용되는 통상의 재료에 대한 우수한 부착성을 더욱 발휘한다.

40. 发明公开

KR1020100075556A 다요소 희생 구조체 无效
标题翻译：多元化的结构
公开(公告)号：KR1020100075556A
公开(公告)日：2010-07-02
申请号：KR1020107009135
申请日：2007-09-28
申请人： 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 플로레스,루시오 , 코굿,라이어 , 얀,시아오밍 , 후앙,셩-청 , 양,치아웨이 , 수,이판 , 투,탄응히아 , 루오,치 , 갈리,브라이언제임스 , 체이스,다나 , 쑤,강
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/00 , H01L21/02
CPC分类号： B81C1/00476 , B81B2201/042 , B81C2201/0109 , B81C2201/0132 , B81C2201/0142
摘要： A MEMS comprising a sacrificial structure, which comprises a faster etching portion and a slower etching portion, exhibits reduced damage to structural features when in forming a cavity in the MEMS by etching away the sacrificial structure. The differential etching rates mechanically decouple structural layers, thereby reducing stresses in the device during the etching process. Methods and systems are also provided.
摘要翻译：包括较快蚀刻部分和较慢蚀刻部分的牺牲结构的MEMS在通过蚀刻掉牺牲结构而在MEMS中形成空腔时表现出对结构特征的减小的损害。差分蚀刻速率机械地去耦合结构层，从而在蚀刻过程中减少器件中的应力。还提供了方法和系统。

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