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1. 发明授权

KR100905134B1 경화동안 휘발성 부산물 또는 잔류물을 발생하지 않는접촉 평탄화 재료 有权
标题翻译：联系平面化材料，在固化过程中产生无挥发性副产物或残留物
公开(公告)号：KR100905134B1
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020047006248
申请日：2002-10-29
申请人： 브레우어 사이언스 인코포레이션
发明人： 시흐우셍 , 램제임스이써드
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/4763
CPC分类号： B81C1/0046 , B81C1/00611 , B81C2201/0119 , C08G59/68 , C08L63/00 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31051 , H01L21/312
摘要： 본 발명은 접촉 평탄화 공정에서 사용되는 때 경화 공정 동안 휘발성 부산물을 거의 발생하지 않는 평탄화 재료에 관한 것이다. 상기 재료는 평탄화공정 동안에 광조사에 의하여 또는 열에 의하여 경화될 수 있고, 단량체, 올리고머 또는 이들의 혼합물을 포함하고, 임의적인 성분으로서 가교제 및 유기 반응성 용매를 포함한다. 상기 용매가 사용되는 경우, 이는 상기 단량체 또는 올리고머와 화학적으로 반응함으로써 경화 공정 동안 상기 중합체 기질의 일부가 된다. 상기 평탄화 재료는 다마신, 듀얼 다마신, 이층 및 다층 소자, 마이크로 전자 기계 시스템(MEMS), 패키징, 광학 소자, 광자 소자, 광전자 소자, 마이크로 전자 소자, 및 센서 소자의 제작을 위하여 사용될 수 있다.
접촉 평탄화, 휘발성 부산물, 경화, 단량체, 올리고머, 가교제, 반응성 용매, 마이크로 전자 소자

2. 发明公开

KR1020040070432A 초소형 전기적·기계적 복합체소자의 제조방법 无效
标题翻译：制造微机电复合元件的方法
公开(公告)号：KR1020040070432A
公开(公告)日：2004-08-09
申请号：KR1020037011044
申请日：2002-12-16
申请人： 소니 주식회사
发明人： 이케다고이치 , 기노시타다카시
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00611 , B81B2201/042 , B81B2203/0118 , B81C2201/0109 , B81C2201/0119 , B81C2201/0125
摘要： 본 발명은, 구동측 전극표면의 평탄화를 도모하고, 빔형태의 불균일의 저감, 성능향상 및 성능의 균일성 향상을 도모한 정전구동형 MEMS소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 MEMS소자의 제조방법은, 기판 상에 기판측 전극을 형성하고, 희생층의 형성전 또는 형성후에 유동성막을 형성하고, 다시 평탄화 된 표면 상에 구동측 전극을 가지는 빔을 형성하고, 그 후, 희생층을 제거한다.

3. 发明授权

KR101794488B1 복합 기판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101794488B1
公开(公告)日：2017-11-06
申请号：KR1020177006433
申请日：2016-09-14
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 기타무라가즈마사 , 나가에도모키
IPC分类号： H01L41/337 , H01L41/312 , B24B37/10 , H03H3/08
CPC分类号： H01L41/337 , B24B37/10 , B81C1/00611 , H01L21/30625 , H01L21/7684 , H01L41/0805 , H01L41/18 , H01L41/312 , H01L41/338 , H03H3/02
摘要： 본발명의복합기판의제조방법은, (a) 압전기판과지지기판을접합한직경 2인치이상의접합기판의압전기판측을, 상기압전기판의두께가 20 ㎛이하가될 때까지경면연마하는공정과, (b) 상기압전기판의외주부의두께가내주부보다두꺼우며또한상기압전기판의내주부의두께의최대값과최소값의차가전체평면에서 100 ㎚이하가되도록이온빔 가공하는공정과, (c) 직경 5 ㎜이상 30 ㎜이하의연마패드를이용하여, 상기연마패드에의한압박력을일정하게유지하면서상기연마패드를회전시키며이동시켜 CMP 연마를행하고, 상기이온빔 가공에의해생긴변질층중 적어도일부를제거하여, 상기압전기판의전체면을평평하게하는공정을포함한다.

4. 发明授权

KR100885795B1 저온 폴리실리콘 박막 패널을 평탄화하기 위한 폴리실리콘평탄화 용액 失效
标题翻译：用于平面化低温聚硅薄膜的多晶硅平面解决方案
公开(公告)号：KR100885795B1
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：KR1020070048629
申请日：2007-05-18
申请人： 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크.
发明人： 김,상인 , 홍,성진
IPC分类号： H01L21/3063
CPC分类号： B81C1/00611 , B81C2201/0126 , C09K13/02 , H01L21/32134 , H01L29/6675
摘要： 본 발명은 고도로 수성이고 강염기성인 폴리실리콘 평탄화 용액 및 이 용액을 사용하여 기판 상에 침착된 비정질 실리콘 막을 저온 폴리실리콘(LTPS) 어닐링하여 제조한 폴리실리콘 막의 대체로 평면인 표면으로부터 대체로 위쪽으로 뻗은 돌출부 또는 돌기를 줄이거나 또는 본질적으로 제거하는 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 대체로 평면인 폴리실리콘 막의 표면과 고도로 수성이고 강염기성인 폴리실리콘 평탄화 용액을, 대체로 평면인 폴리실리콘 막을 현저하게 에칭하지는 않으면서 대체로 평면인 폴리실리콘 막의 표면으로부터 돌출부 또는 돌기를 선택적으로 에칭하기에 충분한 시간 동안 접촉시키는 단계를 포함하며, 상기 고도로 수성이고 강염기성인 폴리실리콘 평탄화 용액은 12 이상의 pH를 가지며, 물, 1종 이상의 강염기, 및 1종 이상의 에칭 속도 조절제를 포함한다.
폴리실리콘 평탄화 용액, 저온 폴리실리콘, 강염기, 에칭 조절제

5. 发明授权

KR101037327B1 마이크로머신의 제조방법 失效
标题翻译： MICROMACHINE生产方法
公开(公告)号：KR101037327B1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：KR1020040042251
申请日：2004-06-09
申请人： 소니 주식회사
发明人： 야마모토유이치
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00
CPC分类号： B81C1/00611 , B81B2201/0271 , B81C2201/0125 , H03H3/0072
摘要： 공간을 사이에 두고 제 1 및 제 2 전극이 설치된 마이크로머신의 제조방법에서는, 기판 상에 제 1 전극을 형성하고, 그 표면상에 스토퍼막을 형성한다. 다음에, 그 스토퍼막을 피복하도록 제 2 절연막을 형성한다. 제 2 절연막의 두께는, 제 1 전극과 스토퍼막의 총 두께보다 두껍다. 그리고, 제 2 절연막을 연마한다. 이 연마를 함으로써, 그 스토퍼막을 외측에 노출하여 평탄화한다. 그 스토퍼막 내에 개구부를 형성한 후, 그 개구부에 희생막을 매립한다. 희생막 표면과 제 2 절연막 표면을 평탄화하고, 제 2 절연막 상에 희생막을 가로지르는 제 2 전극을 형성한다. 희생막을 제거하여 제 1 전극과 제 2 전극과의 사이에 공간을 형성한다.
마이크로머신 제조방법, 전극, 희생막, 개구부, 스토퍼막

6. 发明公开

KR1020040066107A 경화동안 휘발성 부산물 또는 잔류물을 발생하지 않는접촉 평탄화 재료 有权
标题翻译：在固化过程中不会产生挥发性副产物或残留物的接触平面化材料
公开(公告)号：KR1020040066107A
公开(公告)日：2004-07-23
申请号：KR1020047006248
申请日：2002-10-29
申请人： 브레우어 사이언스 인코포레이션
发明人： 시흐우셍 , 램제임스이써드
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/4763
CPC分类号： B81C1/0046 , B81C1/00611 , B81C2201/0119 , C08G59/68 , C08L63/00 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31051 , H01L21/312
摘要： 본 발명은 접촉 평탄화 공정에서 사용되는 때 경화 공정 동안 휘발성 부산물을 거의 발생하지 않는 평탄화 재료에 관한 것이다. 상기 재료는 평탄화공정 동안에 광조사에 의하여 또는 열에 의하여 경화될 수 있고, 단량체, 올리고머 또는 이들의 혼합물을 포함하고, 임의적인 성분으로서 가교제 및 유기 반응성 용매를 포함한다. 상기 용매가 사용되는 경우, 이는 상기 단량체 또는 올리고머와 화학적으로 반응함으로써 경화 공정 동안 상기 중합체 기질의 일부가 된다. 상기 평탄화 재료는 다마신, 듀얼 다마신, 이층 및 다층 소자, 마이크로 전자 기계 시스템(MEMS), 패키징, 광학 소자, 광자 소자, 광전자 소자, 마이크로 전자 소자, 및 센서 소자의 제작을 위하여 사용될 수 있다.

7. 发明公开

KR1020160018393A 전극이 관통 배선과 접속된 디바이스, 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：具有连接到电线的电极的装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160018393A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020150110501
申请日：2015-08-05
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 왕시난 , 세토모토유타카
IPC分类号： B06B1/02 , H01L21/768 , H01L21/48
CPC分类号： H02N1/00 , B06B1/0292 , B81C1/00 , B81C1/00134 , B81C1/00373 , B81C1/00611 , G01L1/14 , H01L21/76849 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 정전용량형트랜스듀서는, 제1 면과상기제1 면의반대측에위치하는제2 면을갖고, 상기제1 면과상기제2 면과의사이를관통하는관통배선을포함하는기판과, 상기제1 면위에설치되고, 제1 전극과, 상기제1 전극과간격을사이를두고설치된제2 전극을갖는셀을포함한다. 상기기판의제1 면측및 제2 면측에있어서의상기관통배선의표면위에는도전성보호막이배치된다.
摘要翻译：电容换能器包括：具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底和穿过第一和第二表面之间的间隙的通孔; 以及电池，其安装在第一表面上并具有安装成与第一电极分离的第一电极和第二电极。在第一表面和第二表面上的通孔的表面上布置导电保护膜。

8. 发明公开

KR1020080075439A 웨이퍼 본딩 공정 有权
标题翻译：一种波形粘结工艺
公开(公告)号：KR1020080075439A
公开(公告)日：2008-08-18
申请号：KR1020070133365
申请日：2007-12-18
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 창파-유안 , 라이충-무 , 리앙카이-치 , 우후와-수 , 호친-숭 , 시오우규오-유 , 창츄-웨이 , 리유밍-치 , 시에유안-치 , 챠이치아-시웅 , 센니크와이.엠. , 파이칭-충
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/304 , H01L21/31
CPC分类号： H01L23/585 , B81C1/0038 , B81C1/00611 , B81C2201/0125 , H01L21/31053 , H01L21/31056 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2924/0002 , Y10S438/926 , H01L2924/00
摘要： A process for wafer bonding is provided to enhance wafer bonding characteristics by improving reduction of bonding quality caused by air bubbles and delaminations. An upper metal layer is formed on a first substrate(104). The upper metal layer includes a plurality of interconnect features and a first dummy feature. A first dielectric layer is etched in a target region aligned vertically to the interconnect features and the first dummy feature of the upper metal layer(108). A CMP process is performed on the etched first dielectric layer(110). The first substrate is bonded with a second substrate after the CMP process is performed on the etched first dielectric layer(114).
摘要翻译：通过提高由气泡和分层引起的接合质量的降低，提供了用于晶片接合的工艺以提高晶片接合特性。在第一基板（104）上形成上金属层。上金属层包括多个互连特征和第一虚拟特征。在垂直于互连特征和上金属层（108）的第一虚拟特征对准的目标区域中蚀刻第一电介质层。对蚀刻的第一介电层（110）进行CMP处理。在对蚀刻的第一介电层（114）进行CMP处理之后，第一衬底与第二衬底结合。

9. 发明公开

KR1020080066781A 마이크로 전자기계 시스템 공정에서의 현수형 빔의제조방법 失效
标题翻译：在MEMS工艺中制造悬挂梁的方法
公开(公告)号：KR1020080066781A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：KR1020087011016
申请日：2005-10-10
申请人： 실버브룩 리서치 피티와이 리미티드
发明人： 실버브룩키아
IPC分类号： B81C1/00 , B41J2/05 , B41J2/16
CPC分类号： B41J2/1404 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1642 , B41J2/1645 , B41J2002/14403 , B41J2002/14475 , B41J2202/11 , B81B2201/032 , B81B2201/052 , B81B2203/0109 , B81C1/00611 , B81C2201/0108 , B81C2201/0126
摘要： A method of forming a suspended beam in a MEMS process is disclosed. In the process a pit (8) is etched into a substrate (5). Sacrificial material (10) is deposited in the pit (8) and on the surrounding substrate surface. The sacrificial material (10) is then removed from the surrounding substrate surface and from the periphery of the pit (8) so that there is a gap between the sacrificial material and at least two sidewalls of the pit. The sacrificial material is then heated so that it reftows such that the remaining sacrificial material contacts the sidewalls of the pit. Material for the beam (12), which is typically a metal, is then deposited on the substrate surface and the reflowed sacrificial material, and the sacrificial material is then removed to form the suspended beam. The beam could be used as the heating element in an inkjet printer.
摘要翻译：公开了一种在MEMS工艺中形成悬挂梁的方法。在该过程中，凹坑（8）被蚀刻到衬底（5）中。牺牲材料（10）沉积在凹坑（8）中和周围的基底表面上。然后将牺牲材料（10）从周围的衬底表面和凹坑（8）的周边移除，使得在牺牲材料和凹坑的至少两个侧壁之间存在间隙。然后将牺牲材料加热，使得其牺牲使得剩余的牺牲材料接触凹坑的侧壁。然后将通常为金属的梁（12）的材料沉积在衬底表面和回流牺牲材料上，然后去除牺牲材料以形成悬挂梁。该光束可用作喷墨打印机中的加热元件。

10. 发明公开

KR1020060074219A 실리콘 마이크로 미러의 제작 방법 失效
标题翻译：制造硅微镜的方法
公开(公告)号：KR1020060074219A
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020040112885
申请日：2004-12-27
申请人： 전자부품연구원
发明人： 김건년
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00349 , B81C1/00436 , B81C1/00611 , B81C2201/0118 , G02B26/0833
摘要： 본 발명은 실리콘 마이크로 미러의 제작 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 실리콘 기판과 단결정 실리콘을 사용하여 편평하고 견고하며 평탄도가 우수한 마이크로 미러와 구동기를 제작하기 위한 마이크로 미러의 제작 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실리콘 마이크로 미러의 제작 방법은 제1 실리콘 기판의 상/하부에 절연막을 증착하는 단계; 상기 제1 실리콘 기판의 하부를 식각하는 단계; 제2 기판 상부에 금속 전극이 형성될 부분을 식각한 후, 금속 박막을 증착하는 단계; 상기 증착된 금속 박막 상에 제1 금속막을 증착하는 단계; 상기 제1 실리콘 기판과 상기 제2 기판을 접합하는 단계; 상기 제1 실리콘 기판의 절연막을 화학기계적연마하는 단계; 상기 제1 실리콘 기판을 패터닝하는 단계 및 상기 제1 실리콘 기판 상에 제2 금속막을 증착하는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
본 발명의 실리콘 마이크로 미러의 제작 방법은 고가의 SOI 기판 대신에 실리콘 기판을 사용하고, 다결정 실리콘을 이용하지 않고 단결정 실리콘을 사용함으로써 기계적인 강도와 광학적인 특성이 우수하고, 일반적인 실리콘 기판을 사용하기에 경제적이며, 공정이 단순해지는 효과가 있다.
마이크로 미러, 단결정 실리콘

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