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1. 发明授权

KR101780680B1 광경화성 수지 조성물, 광경화성 드라이 필름, 패턴 형성 방법 및 전기·전자 부품 보호용 피막 및 전기·전자 부품 有权
标题翻译：光固化树脂组合物，光固化干膜图案形成方法，以及电气和电子零件，以及电气和电子部件的保护膜
公开(公告)号：KR101780680B1
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：KR1020130062514
申请日：2013-05-31
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 아사이사토시 , 소가교코 , 가토히데토
IPC分类号： C08L83/06 , C08K5/36 , C08K5/55 , C08J5/18
CPC分类号： G03F7/0041 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0757
摘要： 본발명은, 높은막 두께로미세한패턴형성, 특히컨택트홀패턴을용이하게행할수 있고, 또한저온에서후경화(後硬化)를행하더라도, 각종필름특성, 특히회로기판에사용되는기재(基材)에대한밀착성이우수한피막을제공할뿐만아니라, 전기·전자부품으로서의신뢰성, 특히솔더플럭스액에대한약품내성이우수하고, 나아가서는신뢰성이높은피막을제공하는광경화성수지조성물, 또한패턴형성방법및 전기·전자부품보호용피막을제공하는것을과제로한다. 상기과제를해결하기위하여, 본발명에서는, 식 (1)로표시되는반복단위를가지는중량평균분자량 3,000∼500,000의에폭시기함유고분자화합물, 식 (4)로표시되는테트라키스-(펜타플루오로페닐)보레이트음이온을가지는오늄염계의광산발생제, 용제, 및필요에따라에폭시수지로이루어지는가교제를포함하는광경화성수지조성물을제공하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明可以很容易地形成微细的图案，特别是具有高的厚度的接触孔图案，甚至固化（后硬化）reulhaeng然后在各种膜特性所使用的温度低，基板（基材），特别是一个电路板这不仅提供了优异的膜的粘附性，可靠性耐药性，特别是助焊剂溶液作为电气和电子零件yiwoosu，进一步的可靠性的光固化树脂组合物提供高的膜，以及图案形成方法和电 ·提供用于保护电子元件的涂层是一个问题。为了实现上述目的，根据本发明，按重量计含有环氧基的聚合物，其具有3000-500000的平均分子量代表四式（1），式（4），其具有由下式表示的重复单元 - （五氟苯基）根据基于盐的试剂的光酸产生剂，溶剂，和任选地具有阴离子特征在于，它提供了含有由环氧树脂的交联剂的光固化性树脂组合物。

2. 发明公开

KR1020160104188A 터치 센서, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 审中-实审
标题翻译：触摸传感器及其制造方法及包括其的显示装置
公开(公告)号：KR1020160104188A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：KR1020150026799
申请日：2015-02-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김영도 , 김훈식
IPC分类号： G06F3/041
CPC分类号： G06F3/0416 , C23F1/02 , G03F7/0002 , G03F7/0041 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F3/047 , G06F2203/04103 , H05K3/064 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , G06F3/041 , G06F2203/04102
摘要： 본발명의일 실시예에따른터치센서는, 터치기판, 제1 방향으로연장형성되는복수의제1 터치전극및 상기제1 방향에수직한제2 방향으로연장형성되는복수의제2 터치전극을포함하며, 상기복수의제1 및제2 터치전극은, 상기터치기판의동일면에형성되거나, 상기터치기판의서로다른면에각각형성되고, 상기복수의제1 및제2 터치전극의상면에는각각복수의제1 및제2 미세돌기가형성될수 있다.
摘要翻译：提供一种触摸传感器，其可以不附加粘合剂而附接。根据本发明的实施例，触摸传感器包括：触摸基板; 通过沿第一方向延伸形成的多个第一触摸电极; 以及沿垂直于第一方向的第二方向延伸形成的多个第二触摸电极。第一和第二触摸电极形成在触摸基板的相同表面上，或形成在触摸基板的不同表面。多个第一和第二微突起中的每一个可以形成在第一和第二触摸电极的上表面中。

3. 发明公开

KR1020160016002A 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 审中-实审
标题翻译：耐腐蚀剥离剂组合物和使用它的剥离材料的方法
公开(公告)号：KR1020160016002A
公开(公告)日：2016-02-15
申请号：KR1020140099097
申请日：2014-08-01
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 최한영 , 고경준 , 최선미
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , C11D11/0047 , G03F7/0041 , G03F7/422 , G03F7/423 , H01L21/31133
摘要： 본발명은분자내에하나이상의비닐기를포함하는아미드화합물, 유기아민화합물, 및글리콜에테르화합물을포함하는레지스트박리액조성물및 이를이용한레지스트의박리방법을제공한다.
摘要翻译：提供一种抗蚀剂剥离溶液组合物，其包含分子中含有至少一个乙烯基的酰胺化合物，有机胺化合物和二醇醚化合物。此外，提供了使用其的抗蚀剂剥离方法。根据本发明，由于剥离溶液中含有的酰胺化合物具有极强的极性，所以本发明的抗蚀剂剥离溶液组合物具有消除通过蚀刻而变形的抗蚀剂图案的突出效果。

4. 发明授权

KR101567731B1 미세 패턴을 형성하기 위한 글라스 에칭 방법 有权
标题翻译：通过蚀刻在玻璃上形成微图案的方法
公开(公告)号：KR101567731B1
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：KR1020140137999
申请日：2014-10-14
申请人： 변인수 , 배영옥 , 이준하
发明人： 변인수 , 배영옥 , 이준하
IPC分类号： C03C15/00 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0041 , C03C15/00 , G03F1/80 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/40
摘要： 본발명은미세패턴을형성하기위한글라스에칭방법에관한것이다. 상기글라스에칭방법은, 글라스위에포지티브감광액을스핀코팅하는단계; 상기글라스를가열하는단계; 미세패턴이인쇄된포토마스크필름을상기글라스위에위치시키는단계; 상기포토마스크필름에자외선을조사하는단계; 상기포토마스크필름을제거하고상기글라스를현상액에침지시키는단계; 상기글라스를가열하는단계; 50 중량%의불화암모늄수용액과 2 중량%의불화수소수용액의혼합액이채워진배스내에상기글라스를침지시켜상기미세패턴부분을에칭하는단계; 세정액으로상기글라스위의상기감광액을제거하는단계; 세정액으로상기글라스를세척하는단계; 를포함한다. 이러한구성에따르면, 글라스를에칭하기위한에칭액의농도비율을최적화하고, 배스내의온도를최적화하여에칭된면이낮은표면거칠기를갖도록미세패턴을정밀하게에칭할수 있는미세패턴을형성하기위한글라스에칭방법을제공할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于形成精细图案的玻璃蚀刻方法。玻璃蚀刻方法包括以下步骤：将阳性敏化溶液旋涂在玻璃上; 加热玻璃; 定位在玻璃上印有精细图案的光掩模薄膜; 向光掩模膜辐射超声波; 去除光掩模膜并将玻璃浸入显影溶液中; 加热玻璃; 通过将玻璃浸入填充有溶液的浴中来蚀刻形成微细图案的部分，其中混合50重量％的氟化铵溶液和2重量％的氟化氢溶液; 使用清洁溶液去除玻璃上的敏化溶液; 并使用清洁溶液清洁玻璃。根据该结构，本发明可以提供通过优化用于蚀刻玻璃的蚀刻溶液的浓度和浴的内部温度来精细蚀刻精细图案以具有蚀刻表面的表面粗糙度的玻璃蚀刻方法。

5. 发明公开

KR1020150109834A 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 审中-实审
标题翻译：耐腐蚀剥离剂组合物和使用它的剥离材料的方法
公开(公告)号：KR1020150109834A
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020140033223
申请日：2014-03-21
申请人： 동우 화인켐 주식회사
发明人： 고경준 , 김성식 , 이유진
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： G03F7/425 , G03F7/0041 , G03F7/20 , G03F7/422 , G03F7/423 , H01L21/31133
摘要： 본발명은헥사히드로피리미딘-5-올(Hexahydropyrimidin-5-ol)을포함하는레지스트박리액조성물에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及包含六氢嘧啶-5-醇的抗蚀剂剥离剂组合物。

6. 发明公开

KR1020150103365A 감에너지성 수지 조성물 审中-实审
标题翻译：能量敏感性树脂组合物
公开(公告)号：KR1020150103365A
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：KR1020157018023
申请日：2013-12-25
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 노다구니히로 , 지사카히로키 , 시오타다이 , 소메야가즈야
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , C08K5/33
CPC分类号： G03F7/0041 , C07C323/47 , C07D209/86 , C07D233/56 , C07D233/60 , C08G73/1042 , C08G73/105 , C08G73/1067 , C08G73/1071 , C08G73/1078 , C08K5/33 , C08K5/34 , C09D179/08 , G03F7/0045 , G03F7/0387 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/40 , C08K5/3445
摘要： 저온에서의 열 처리로도 내열성이 우수하고, 유전율이 낮은 폴리이미드 수지를 부여하는 감에너지성 수지 조성물, 상기 감에너지성 수지 조성물을 사용하는 폴리이미드막 또는 폴리이미드 성형체의 제조 방법, 및 상기 감에너지성 수지 조성물을 사용하는 패턴 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 관련된 감에너지성 수지 조성물은 테트라카르복실산 2무수물 및 디아민을 반응시켜 얻어지는 폴리아믹산과, 용제와, 광 및/또는 열의 작용에 의해 분해되어 염기 및/또는 산을 발생하는 화합물 (A) 를 함유한다. 본 발명에 관련된 폴리이미드막 또는 폴리이미드 성형체의 제조 방법은 상기 조성물로 이루어지는 도막 또는 성형체를 형성하고, 노광 또는 가열에 의해 상기 도막 또는 성형체 중의 화합물 (A) 를 분해하는 것을 포함한다. 본 발명에 관련된 패턴 형성 방법은 상기 조성물로 이루어지는 도막 또는 성형체를 형성하고, 선택적으로 노광하고, 노광 후에 현상하고, 현상 후에 가열하는 것을 포함한다.

7. 发明授权

KR101430058B1 함불소 술폰산염 수지, 레지스트 조성물, 패턴 형성 방법, 중합성 함불소 술폰산염, 중합성 함불소 술폰산 및 중합성 함불소 술폰산오늄염의 제조 방법 有权
标题翻译：含氟硫酸盐树脂，耐蚀组合物，图案形成方法，含可聚合氟化物的含硫磺酸盐，含可聚合氟化物的含硫酸和用于制备含可聚合氟化物的含硫酸钠盐的方法
公开(公告)号：KR101430058B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020120098241
申请日：2012-09-05
申请人： 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드
发明人： 모리가즈노리 , 나리즈카사토루 , 아메미야후미히로 , 후지와라마사키
IPC分类号： C08G75/24 , C08L81/08 , G03F7/004 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/10 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2601/18 , C07C2603/74 , C08F28/04 , C08F220/24 , C08F220/28 , C08F220/38 , C08F222/14 , C08F222/18 , C08F228/04 , C08F2220/382 , G03F7/004 , G03F7/0041 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2039 , G03F7/2041 , G03F7/30
摘要： 패턴 형성 후에 러프니스가 발생하거나, 패턴 자체를 잘 그릴 수 없는 등의 결함을 방지하기 위하여, 수지 중에 광산 발생 기능을 포함시킨 레지스트 수지로서, 「산의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 부위」와 「광산 발생 기능을 가지는 부위」가 규칙적으로 배치된 레지스트 수지를 제공한다.
하기 일반식 (3)으로 나타내어지는 반복 단위를 가지는 함불소 술폰산염 수지.
[화학식 1]

(식 중, A는 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다. n은 1~10의 정수를 나타낸다. W는 2가의 연결기를 나타낸다. R
1 은 산불안정기를 나타낸다. M
+ 는, 1가의 카티온을 나타낸다.)

8. 发明公开

KR1020140079032A 신규 흡광제 및 이를 포함하는 유기 반사 방지막 형성용 조성물 有权
标题翻译：用于制备包含其的有机抗反应保护层的新型吸收剂和组合物
公开(公告)号：KR1020140079032A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020120148493
申请日：2012-12-18
申请人： 금호석유화학 주식회사
发明人： 최정훈 , 이은교 , 이진한 , 한은희 , 김삼민
IPC分类号： G02B1/111 , G02B1/04 , G03F7/004 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/26 , G02B1/04 , G02B1/11 , G02B1/111 , G03F7/004 , G03F7/0041 , G03F7/0045 , G03F7/11
摘要： Provided in the present invention are an absorber of the following chemical formula 1 which has excellent absorbing properties for a reflected light generated during an exposure in a lithography process requiring a fine pattern formation, especially in a lithography process forming an ultra-fine pattern using a 248 nm KrF excimer laser, and thus, is useful for formation of an organic antireflective layer and a formation of a fine pattern of a semiconductor device using the same; and a composition for forming an organic antireflective layer comprising the same. [Chemical formula 1] Each substituent in the formula is the same as described in the specification.
摘要翻译：在本发明中提供了以下化学式1的吸收体，其特征在于在形成超微细图案的光刻工艺中，其特征在于使用 248nm KrF准分子激光器，因此可用于形成有机抗反射层和形成使用其的半导体器件的精细图案; 以及用于形成包含该组合物的有机抗反射层的组合物。 [化学式1]式中的每个取代基与说明书中所述相同。

9. 发明公开

KR1020140066190A 패턴 형성 방법, 감전자선성 또는 감극자외선성 수지 조성물, 레지스트막, 이들을 사용한 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스 审中-实审
标题翻译：图案形成方法，感光导电或负紫外线树脂组合物，抗蚀剂膜，使用其制造电子器件的方法以及电子器件
公开(公告)号：KR1020140066190A
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：KR1020147006904
申请日：2012-09-11
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 타키자와히로오 , 츠바키히데아키 , 히라노슈지
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , C08F212/14 , C08F220/10 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0041 , C08F12/20 , C08F12/24 , C08F212/14 , C08F212/32 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2037 , G03F7/2059 , G03F7/325 , H01J37/3174
摘要： 본 발명은 (A) 산분해성 반복단위를 갖고, 산의 작용에 의해 유기용제를 포함하는 현상액 중에서의 용해도가 감소할 수 있는 수지, (B) 전자선 또는 극자외선의 조사에 의해 산을 생성시킬 수 있는 화합물, 및 (C) 용제를 포함하는 감전자선성 또는 감극자외선성 수지 조성물로 막을 형성하는 공정 (1); 전자선 또는 극자외선으로 상기 막을 노광하는 공정 (2); 및 상기 막의 노광 후에 유기용제를 포함하는 현상액으로 상기 막을 현상함으로써 네거티브형 패턴을 형성하는 공정 (4)을 이 순서로 포함하는 패턴 형성 방법으로서, 상기 화합물(B)의 함량은 상기 조성물의 전체 고형분을 기준으로 하여 21질량%~70질량%이다.

10. 发明公开

KR1020140029330A 포토애시드 발생제를 함유하는 말단 그룹을 포함하는 폴리머, 그 폴리머를 포함하는 포토레지스트, 및 장치의 제조방법 有权
标题翻译：包含光致发生器的端部组合物，包含聚合物的光电聚合物的聚合物，以及制造器件的方法
公开(公告)号：KR1020140029330A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020130104055
申请日：2013-08-30
申请人： 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 크레이머존더블유. , 아리올라다니엘제이.
IPC分类号： C08F20/10 , C08F28/00 , G03F7/004 , G03F7/028
CPC分类号： G03F7/0041 , C08F2/38 , C08F220/28 , C08F2220/1891 , C08F2220/387 , C08F2438/03 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/20 , C08F20/10 , G03F7/028 , G03F7/2002 , C08F2220/282 , C08F2220/1866 , C08F220/24
摘要： A polymer of the present invention includes a product which is formed by polymerizing an unsaturated monomer represented by chemical formula (I) and a chain transfer agent. In the chemical formula (I), X1 represents a single bond and is -O-, -S-, -C(=O)-O-, -O-C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NR-, -NR-C(=O)-, -NR-C(=O)-NR-, -S(=O)2-O-, -O-S(=O)2-O-, -NR-S(=O)2-, or -S(=O)2-NR, wherein R is H, C1-10 alkyl, C3-10 cycloalkyl, or C6-10 aryl. [Reference numerals] (AA) Film thickness(�)
摘要翻译：本发明的聚合物包括通过使由化学式（I）表示的不饱和单体和链转移剂聚合形成的产物。在化学式（I）中，X 1表示单键，并且是-O - ， - S-，-C（= O）-O-，-OC（= O） - ， - OC（= O）-O- ，-C（= O）-NR - ， - NR-C（= O） - ， - NR-C（= O）-NR - ， - S（= O）2-O-，-OS（= O） 2-O-，-NR-S（= O）2 - 或-S（= O）2 -NR，其中R是H，C 1-10烷基，C 3-10环烷基或C 6-10芳基。（附图标记）（AA）膜厚度（）

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