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1. 发明授权

KR101851569B1 초음파 변환기 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101851569B1
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：KR1020120136553
申请日：2012-11-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 홍석우
IPC分类号： H04R19/00 , A61B8/00 , G01N29/24
CPC分类号： B81C1/00158 , B06B1/0292 , B81B2201/0271 , B81B2207/096 , B81C1/00095 , G01N29/2406
摘要： 초음파변환기및 그제조방법이개시된다. 개시된초음파변환기는, 도전성기판상에이격되게마련되는복수의돌출부와, 상기돌출부들중 적어도하나및 상기도전성기판을관통하도록형성되는비아홀과, 상기비아홀을채우도록마련되는것으로, 금속을포함하는제1 전극과, 상기도전성기판의하면에마련되는제2 전극과, 상기돌출부들상에마련되어상기도전성기판과의사이에복수의캐비티를형성하는멤브레인과, 상기멤브레인상에상기제1 전극과접촉하도록마련되는상부전극을포함한다.

2. 发明公开

KR1020170138947A 미세 전자 기계 디바이스 및 미세 전자 기계 디바이스 제조 방법 审中-实审
标题翻译：微机电装置和制造微机电装置的方法
公开(公告)号：KR1020170138947A
公开(公告)日：2017-12-18
申请号：KR1020170070695
申请日：2017-06-07
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 버그메이스터마르쿠스 , 그릴토마스 , 헤데니그우슬라
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/019 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , H04R19/005 , H04R19/016 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要： 미세전자기계컴포넌트제조방법으로서, 층위에마스크를형성하는단계 - 마스크는구조화된표면을포함함 - 와, 구조화된표면을포함하는마스크의유리전이온도보다높은영역을가열하여구조화된표면의에지를평탄화하여주름진표면을형성하는단계와, 마스크로덮인층을에칭하고, 마스크를제거하여상기마스크의주름진표면을상기층 상부로운반하고상기층의주름진표면을형성하는단계와, 상기층 위에다이어프램을형성하여작동하도록구성된다이어프램의주름진영역을형성하는단계와, 전기도전성컴포넌트에전송된전기신호에응답하여다이어프램을작동시키는힘을제공하는것과다이어프램의작동에응답하여전기신호를제공하는것 중적어도하나를구성하는상기전기도전성컴포넌트를형성하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：一种微机电部件的制造方法，包括：形成在层的掩模，在下文掩模包括结构化表面 - 的成分，其包括结构化表面过渡的掩模的玻璃加热高温的区域中比如果结构化表面平坦化以形成波纹状表面;蚀刻被掩模覆盖的层;去除掩模以将掩模的波纹状表面输送到层上以形成层的波纹状表面; 形成响应于形成隔膜的卷曲区域的步骤被配置为响应与，隔膜的所述操作来工作，以用于操作所述振动板提供功率发送到导电部件的电信号或者甚至提供电信号haneungeot普遍并形成导电组件。

3. 发明公开

KR1020170121957A 멤스 마이크로폰 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译： MEMS麦克风及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170121957A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：KR1020160050897
申请日：2016-04-26
申请人： 주식회사 디비하이텍
发明人： 선종원 , 이주현 , 이한춘
IPC分类号： H04R19/00 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81B3/00
CPC分类号： H04R7/18 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0307 , B81C1/00158 , B81C2201/017 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2307/204
摘要： 음을전기신호로변환하여출력하는멤스마이크로폰이개시된다. 멤스마이크로폰은, 캐비티를구비하는기판, 기판의상측에구비된백 플레이트, 기판과백 플레이트사이에서기판과백 플레이트로부터이격되어위치하는진동판, 및기판과진동판사이에구비된안티버클링부를구비한다. 진동판은캐비티를덮도록구비되고, 음압을감지하여변위를발생시킨다. 안티버클링부는진동판의버클링을방지하기위해진동판을지지한다. 이에따라, 멤스마이크로폰은평상시진동판이적정기준이상아래로쳐지는것을방지할수 있으므로, 진동판이인장응력을가질수 있고, 진동판의버클링현상을방지할수 있다.
摘要翻译：公开了一种用于将声音转换成电信号并将其输出的MEMS麦克风。 MEMS麦克风，并且具有板，所述基板和所述背面振动板，其位于远离所述基板和所述板之间的后板和各部分的袋的抗屈曲的基板和设置在基板上的振动板，与基板的具有腔的上侧之间设置。膜片设置成覆盖空腔，并检测负压以产生位移。防弯部分支撑隔膜以防止隔膜弯曲。结果，MEMS麦克风可以防止隔膜降低到预定参考水平以下，使得隔膜可以具有拉应力并且防止隔膜弯曲。

4. 发明公开

KR1020170094428A MEMS 마이크, 압력 센서 집적 구조 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译： MEMS麦克风，压力传感器一体结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170094428A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：KR1020177019456
申请日：2015-12-14
申请人： 고어텍 인크
发明人： 순,얀메이
IPC分类号： H04R31/00 , H04R19/00 , H04R19/04 , B81C1/00
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00158 , B81C2201/0105 , B81C2201/013 , G01L7/08 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2201/003 , H04R31/006 , B81C1/00301
摘要： 본발명은 MEMS 마이크, 압력센서집적구조및 그제조방법을개시한다. 공용기판에서순차적으로절연층, 제1다결정실리콘층, 희생층과제2다결정실리콘층을퇴적시키고; 제2다결정실리콘층을에칭하여진동막, 상부전극을형성하며; 희생층을부식하여마이크, 압력센서의사각공동을형성하고, 마이크, 압력센서사이의희생층을에칭하며; 제1다결정실리콘층을에칭하여마이크의배극및 압력센서의하부전극을형성하고; 공용기판의마이크배극아래측에위치하는위치를에칭하여백 공동을형성하고; 배극아래측에위치하는절연층을에칭한다. 마이크의콘덴서구조, 압력센서의콘덴서구조를공용기판에집적하여, 마이크와압력센서의집적도를향상시키고, 패키지구조전체의사이즈를크게줄일수 있으며, 또한, 공용기판에서동시에마이크와압력센서를제조할수 있고생산효율을향상시킨다.
摘要翻译：本发明公开了一种MEMS麦克风，压力传感器一体结构及其制造方法。在共同的衬底上依次沉积绝缘层，第一多晶硅层和牺牲层任务2多晶硅层; 蚀刻第二多晶硅层以形成隔膜和上电极; 蚀刻牺牲层以形成麦克风和压力传感器的方形空腔，蚀刻麦克风和压力传感器之间的牺牲层; 蚀刻第一多晶硅层以形成偶极子的下电极和麦克风的压力传感器; 通过蚀刻位于公共基板的麦克风基板下侧的位置来形成后腔; 位于阳极下侧的绝缘层被蚀刻。到麦克风电容器结构中，在公共衬底中的压力传感器的集成电容结构，改善了麦克风的集成度和压力传感器和的程度，并以显著减小封装结构的整体尺寸，并且，在同一时间产生一个麦克风和在共用基板的压力传感器并提高生产效率。

5. 发明授权

KR101761819B1 초음파 변환기 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：超声波换能器及其制造方法
公开(公告)号：KR101761819B1
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020110084822
申请日：2011-08-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정석환
IPC分类号： H04R19/02 , H04R31/00
CPC分类号： B32B37/14 , B06B1/0292 , B32B38/10 , B81C1/00158 , H02N11/00 , H04R31/00 , Y10T156/10
摘要： 개시된초음파변환기는기판, 기판상에마련된관통공이형성된지지부, 기판과지지부와각각이격되어마련된박막및 지지부와박막을연결하는연결부를포함할수 있다. 개시된초음파변환기의제조방법은복수개의 SOI 웨이퍼와 Si 웨이퍼를서로정렬없이본딩하여형성할수 있다.
摘要翻译：所公开的超声波换能器可以包括衬底，具有形成在衬底上的通孔的支撑件，与衬底和支撑件分开设置的薄膜以及连接薄膜和支撑件的连接部分。所公开的超声波换能器的制造方法可以通过将多个SOI晶片和Si晶片彼此不对准地接合来形成。

6. 发明公开

KR1020170058286A 수직 전극 트랜스듀서를 위한 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：垂直电极传感器的系统和方法
公开(公告)号：KR1020170058286A
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：KR1020160149005
申请日：2016-11-09
申请人： 인피니온 테크놀로지스 아게
发明人： 데헤,알폰스 , 글라서,크리스토프
IPC分类号： H04R19/00 , H04R19/04
CPC分类号： H04R19/04 , B81B3/0008 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/04 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , H04R3/00 , H04R7/122 , H04R19/005 , H04R31/00 , H04R31/003 , H04R2207/00 , H04R2201/003
摘要： 실시예에따르면, 멤브레인을갖는미세전자기계시스템(MEMS) 트랜스듀서를동작시키는방법은제1 쌍의정전구동전극들을사용하여멤브레인의면외편향과제1 쌍의정전구동전극들상의전압사이에서변환하는단계를포함한다. 제1 쌍의정전구동전극들은멤브레인상에서면외방향으로연장하여형성되고제1 쌍의정전구동전극들사이에가변용량을형성한다.
摘要翻译：根据一个实施例，操作使用第一对静电驱动电极具有膜微机电系统（MEMS）换能器对的挑战的出平面外偏转静电驱动电极的一对膜的电压之间进行转换的方法等等。第一对静电驱动电极以形成形成为在膜的第一对静电驱动电极之间的可变排量的横向方向延伸。

7. 发明公开

KR1020150144750A 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 초음파 트랜스듀서 및 그 형성 방법 审中-实审
标题翻译：补充金属氧化物半导体（CMOS）超声波传感器及其形成方法
公开(公告)号：KR1020150144750A
公开(公告)日：2015-12-28
申请号：KR1020157029571
申请日：2014-03-13
申请人： 버터플라이 네트워크, 인크.
发明人： 로스버그,조나단,엠. , 피페,키스,지. , 랄스톤,타일러,에스. , 찰바트,그레고리,엘. , 산체스,네바다,제이.
IPC分类号： H01L29/84 , B81B7/00 , H04R19/00 , B06B1/02 , B81C1/00 , G01N29/24 , H01L21/8238
CPC分类号： B81C1/00301 , B06B1/02 , B06B1/0292 , B81B7/007 , B81C1/00134 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2201/0195 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , G01N29/2406 , H01L29/84 , H04R19/005
摘要： 상보성금속산화물반도체(CMOS) 초음파트랜스듀서들(CUTs)과 CUT들을형성하기위한방법들이설명된다. CUT들은모놀리식으로통합된초음파트랜스듀서들과, 이트랜스듀서들과관련하여작동하기위한집적회로들을포함할수 있다. CUT들은초음파촬상장치들및/또는고강도집속초음파(HIFU) 장치들과같은초음파장치들에사용될수 있다.
摘要翻译：描述了互补金属氧化物半导体（CMOS）超声波换能器（CUT）以及用于形成CUT的方法。 CUT可以包括用于与换能器连接的单体集成超声换能器和集成电路。 CUT可用于超声波装置，例如超声成像装置和/或高强度聚焦超声（HIFU）装置。

8. 发明公开

KR1020150105237A 지지 구조체 및 지지 구조체를 형성하는 방법 有权
标题翻译：支持结构和形成支持结构的方法
公开(公告)号：KR1020150105237A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020150031064
申请日：2015-03-05
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 데헤알폰스 , 가블레인하르드 , 크룸바인울리히
IPC分类号： H04R19/00 , H04R19/04
CPC分类号： B23Q3/18 , B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , H04R7/18 , H04R17/00 , H04R19/005 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2307/207 , H04R2499/11 , H04R19/04
摘要： 캐리어와, 서스펜디드 구조체와, 서스펜디드 구조체를 캐리어에 고정시키도록 구성된 원형의 오목한 형태를 갖는 홀딩 구조체를 포함하고, 홀딩 구조체의 테이퍼드 측면은 서스펜디드 구조체와 물리적으로 연결하는 멤브레인을 캐리어에 고정시키기 위한 구조체가 개시된다. 서스펜디드 구조체를 지지하기 위해 캐리어 상에 홀딩 구조체를 형성하는 방법이 더 개시된다. 방법은, 캐리어 상에 홀딩 구조체를 형성하는 단계와, 홀딩 구조체 상에 서스펜디드 구조체를 형성하는 단계와, 오목한 형태를 갖는 홀딩 구조체를 형상화하는 단계와, 홀딩 구조체의 테이퍼드 측면을 서스펜디드 구조체와 물리적으로 연결하도록 홀딩 구조체를 배열하는 단계를 포함할 수 있다.
摘要翻译：公开了一种用于将膜固定到载体的结构。该结构包括载体; 悬挂式结构; 以及具有圆形凹形的保持结构，以将悬挂结构固定到载体上，其中保持结构的锥形侧将结构物物理地连接到悬挂结构。还公开了一种在载体上形成保持结构以支撑悬挂结构的方法。该方法可以包括在载体上形成保持结构的步骤; 在所述保持结构上形成悬挂结构; 使保持结构成形为使得保持结构具有凹形; 并且将所述保持结构布置成使得所述保持结构的锥形侧物理地连接到所述悬挂结构。

9. 发明公开

KR1020150060900A MEMS 장치 및 공정 审中-实审
标题翻译： MEMS器件和工艺
公开(公告)号：KR1020150060900A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020157010650
申请日：2013-09-19
申请人： 시러스 로직 인터내셔널 세미컨덕터 리미티드
发明人： 젠킨스,콜린로버트 , 호엑스트라,쳐크 , 보이드,유안
IPC分类号： H04R19/00 , B81B3/00 , B81C1/00
CPC分类号： H04R19/005 , B81B3/0021 , B81B3/0075 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00158 , H01L41/09 , H01L41/0926 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , H04R1/222 , H04R23/006 , H04R2201/003 , Y10T29/49005 , H01L2924/00014
摘要： 본출원은 MEMS 장치, 특히 MEMS 용량성트랜스듀서, 및음향적쇼크에증가된강건성및 탄성을제공하는그러한 MEMS 트랜스듀서를형성하는공정에관한것이다. 본출원은제1 볼륨(109)과제2 볼륨(110) 사이에지지되는가요성멤브레인(101)을갖는트랜스듀서구조를설명한다. 트랜스듀서구조는상기제1 및제2 볼륨중 적어도하나와소통하는적어도하나의가변벤트구조(401)를포함하고, 상기가변벤트구조는적어도하나의이동가능한부분을포함하고, 상기이동가능한부분은그것을가로지르는압력차에응답하여상기벤트구조를통하는유로의크기를변화시키도록이동할수 있다. 가변벤트는멤브레인을통하여형성될수 있고, 이동가능한부분은멤브레인의표면으로부터멀리편향될수 있는하나이상의채널에의해정해진멤브레인의부분일수 있다. 가변벤트는바람직하게는정상범위의압력차에서폐쇄되지만높은압력차에서멤브레인위와아래의공기의보다빠른등화를제공하기위해개방된다.

10. 发明公开

KR1020140092777A 폴리머층을 가지는 ＭＥＭＳ 디바이스, 폴리머층을 가지는 ＭＥＭＳ 디바이스의 시스템, 폴리머층을 가지는 ＭＥＭＳ 디바이스의 제조방법 有权
标题翻译：具有聚合物层的MEMS器件，具有聚合物层的MEMS器件的系统，制备具有聚合物层的MEMS器件的方法
公开(公告)号：KR1020140092777A
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：KR1020140004938
申请日：2014-01-15
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 데헤알폰스
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/02 , H04R1/00 , B81C1/00 , B81C3/00 , H04R31/00
CPC分类号： B81C1/00325 , B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C2201/013 , B81C2201/0159 , B81C2201/0198
摘要： An MEMS device, a method to manufacture the MEMS device, and a system for the MEMS device are provided. According to an embodiment of the present invention, the MEMS device comprises: a first polymer layer; an MEMS substrate arranged on the first polymer layer; and an MEMS structure supported by the MEMS substrate. The MEMS device additionally comprises a first opening arranged on the MEMS substrate and a second opening arranged on the first polymer layer.
摘要翻译：提供MEMS器件，制造MEMS器件的方法和用于MEMS器件的系统。根据本发明的实施例，MEMS器件包括：第一聚合物层; 布置在所述第一聚合物层上的MEMS基板; 以及由MEMS衬底支撑的MEMS结构。 MEMS器件还包括布置在MEMS衬底上的第一开口和布置在第一聚合物层上的第二开口。

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