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101. 发明授权

KR101636523B1 듀얼 패스 스캐닝 有权
标题翻译：双通扫描
公开(公告)号：KR101636523B1
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020117030544
申请日：2010-05-19
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 반데포이트,토이니스 , 빌란트,마르코얀-자코
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70475 , G06T1/20 , G06T1/60 , H01J37/045 , H01J37/3002 , H01J37/3174 , H01J37/3175 , H01J37/3177 , H01J2237/3175 , H01J2237/31761 , H01J2237/31764 , H04N1/405
摘要： 복수의하전입자빔렛들을사용하여웨이퍼를노출하기위한방법. 방법은빔렛들사이에서비-기능빔렛들을식별하는단계, 웨이퍼의제 1 부분을노출하기위해빔렛들의제 1 서브세트를할당하는단계 - 제 1 서브세트는식별된비-기능빔렛들을제외함-, 빔렛들의제 1 서브세트를사용하는웨이퍼의제 1 부분을노출하기위한제 1 스캔을수행하는단계, 웨이퍼의제 2 부분을노출하기위한빔렛들의제 2 서브세트를할당하는단계 - 제 2 서브세트는또한식별된비-기능빔렛들을제외함-, 및빔렛들의제 2 서브세트를사용하여웨이퍼의제 2 부분을노출하기위한제 2 스캔을수행하는단계를포함하고, 웨이퍼의제 1 및제 2 부분들은겹치지않고, 함께노출될웨이퍼의완전한영역을포함한다.

102. 发明公开

KR1020160078388A 기판 전하 중성화를 위한 핀치된 플라즈마 브리지 플러드 건 审中-实审
标题翻译：用于基板充电中和的等离子体桥梁火焰枪
公开(公告)号：KR1020160078388A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020167013402
申请日：2014-10-23
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 샤지,알리 , 소넨샤인,데이비드 , 키시네프스키,마이클 , 코위,앤드류비. , 스트라토티,그레고리이.
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/67 , C23C14/48 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/32623 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/32174 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J2237/0041 , H01J2237/0044 , H01J2237/327 , H01J2237/3365 , H01L21/67213
摘要： 이온주입시스템에대한플라즈마루프어셈블리는, 절연블록부분및 절연블록부분의대향하는면들상에배치된제 1 및제 2 전도성블록부분들을포함한다. 전도성스트랩들은제 1 및제 2 전도성블록부분들사이에결합된다. 전도성블록부분들및 중심몸체부분은폐쇄형루프플라즈마챔버를형성하는리세스들을포함한다. 전원은플라즈마를생성하기위해가스물질을여기시키기위하여라디오주파수전력을폐쇄형루프플라즈마챔버내로유도적으로결합하기위해전도성블록부분들에결합된다. 제 2 전도성블록부분내의개별적인리세스는, 핀치영역에바로인접한폐쇄형루프플라즈마챔버의일 부분의단면면적보다더 작은단면치수를갖는핀치영역을포함한다. 핀치영역은제 2 전도성블록부분내에형성된출구부분에바로인접하여위치될수 있다.

103. 发明授权

KR101633829B1 반도체 이온주입설비의 소스부싱 보호장치 有权
标题翻译：用于保护半导体离子植入设备中的源极布置的装置
公开(公告)号：KR101633829B1
公开(公告)日：2016-06-28
申请号：KR1020140148431
申请日：2014-10-29
申请人： 김종훈 , 주식회사 현택 , 이현수
发明人： 이현수 , 김종훈
IPC分类号： H01J37/317
摘要： 본개시(Disclosure)는반도체이온주입설비에사용되는소스부싱(Source Bushing)의보호장치에관한것으로, 본개시의일 태양에따른반도체이온주입설비의소스부싱보호장치는, 고전압이인가되며이온을발생시키는소스헤드; 상기소스헤드의제1 측이고정되는소스플랜지; 상기소스헤드와분리되어배치되며, 그라운드전위를가지는소스라이너; 상기소스라이너가고정되며, 상기소스플랜지와분리되어배치되는소스챔버; 상기소스챔버와상기소스플랜지에양측이고정되고, 절연체로구비되는소스부싱; 상기소스헤드의상기제1 측의반대측으로서상기소스라이너에인접한제2 측에구비되는일렉트로헤드; 및상기소스라이너에일 측이고정되고, 타측은상기소스플랜지와분리되어구비되며, 상기일렉트로헤드와인접한위치에서발생되는설정된오염원이상기소스부싱에이르는경로를연장시키는경로연장부재;를포함한다.

104. 发明授权

KR101633959B1 향상된 완전성 투사 렌즈 조립체 有权
标题翻译：增强型投影镜头组件
公开(公告)号：KR101633959B1
公开(公告)日：2016-06-27
申请号：KR1020127011814
申请日：2010-10-08
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 코닝,요한요오스트 , 스테인브링크,스티옌윌렘헤르만 , 쉬퍼,바르트
IPC分类号： H01J37/12 , H01J37/317 , H01J37/04 , B82Y10/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/045 , H01J37/12 , H01J2237/0435 , H01J2237/1205
摘要： 본발명은하류측방향에서위치된이미지평면상으로복수의하전입자빔렛을안내하기위한투사렌즈조립체모듈및 이런투사렌즈조립체를조립하는방법에관한것이다. 특히, 본발명은향상된구조적완전성및/또는그 최하류측전극의증가된배치정밀도를갖는모듈형투사렌즈조립체를개시하고있다.

105. 发明授权

KR101631930B1 이온 빔 조사 장치 有权
标题翻译：离子束辐照器件
公开(公告)号：KR101631930B1
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：KR1020147024309
申请日：2013-02-13
申请人： 닛신 이온기기 가부시기가이샤 , 가부시키가이샤 알박
发明人： 야마모토,요시아키 , 김영두 , 오비세,요시노리 , 오카야마,사토히로
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/20 , H01J37/30 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01J2237/20221 , H01J2237/20292 , H01L21/67173 , H01L21/67213 , H01L21/67259 , H01L21/67712 , H01L21/6776
摘要： 이온빔 조사장치(10)는기판(S)을보유하는반송트레이(T)가수용되는진공조(14)와, 진공조(14) 내에서반송트레이(T)가반송방향으로반송되는반송부와, 진공조(14) 내의소정의조사부위에이온빔을조사하는이온빔 조사부들(21L, 21U)과, 반송트레이(T)의위치를검출하는위치검출부들(23A 내지 23D)을구비한다. 위치검출부들(23A 내지 23D)은반송트레이(T)에있어서부위를나타내며반송방향으로배열된서로다른복수의지표들의각각을반송트레이(T)의반송을통하여소정의촬상위치에서촬상하며, 상기촬상된지표에근거하여촬상위치에대한반송트레이(T)의위치를검출한다.

106. 发明公开

KR1020160060888A 이온주입기용 전자방출 캐소드 有权
标题翻译：离子植入物阴极
公开(公告)号：KR1020160060888A
公开(公告)日：2016-05-31
申请号：KR1020140162941
申请日：2014-11-20
申请人： 주식회사 밸류엔지니어링
发明人： 김민선 , 황규태
IPC分类号： H01J37/317 , H01J29/04
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J29/04 , H01J2237/31701
摘要： 본발명은이온주입기용이온발생장치의아크챔버내부에설치되는전자방출캐소드로서, 상기아크챔버의일측에고정되고, 내부에필라멘트가설치되는공간이형성된캐소드측부와, 상기아크챔버방향으로노출되고, 전자를방출하는표면을가지는캐소드전면부를포함하고, 상기캐소드전면부는함몰형상의표면을가지는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种电子发射阴极，该电子发射阴极安装在用于离子注入机的离子发生器的电弧室的内部，并且包括：阴极侧部分，其固定在电弧室的一侧，其中用于实现灯丝的空间为形成在阴极侧部分内部; 以及阴极前部，其朝向电弧室露出并具有发射电子的表面。阴极前部的特征在于包括凹陷表面。根据本发明，通过改变安装在离子注入机的离子发生器的电弧室内的电子发射阴极的结构，可以提高离子发生器的离子发生效率。

107. 发明授权

KR101625372B1 β-ＮＭＲ용 편극빔 생성 장치 有权
标题翻译： - 产生用于β检测核磁共振的偏振光束的装置
公开(公告)号：KR101625372B1
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：KR1020130125369
申请日：2013-10-21
申请人： 기초과학연구원
发明人： 이주한 , 김기동 , 신택수 , 김용균 , 김선기
IPC分类号： H01J37/317 , H01J27/22
摘要： 본발명에따른β-NMR용편극빔생성장치는가속부; 표적부; 가열수단; 및집속부;을포함하는것을특징으로한다.

108. 发明公开

KR1020160034388A 화학적 시약의 원격 전달 审中-实审
标题翻译：远程输送化学试剂
公开(公告)号：KR1020160034388A
公开(公告)日：2016-03-29
申请号：KR1020167004599
申请日：2014-07-21
申请人： 엔테그리스, 아이엔씨.
发明人： 스위니조셉디 , 존스에드워드이 , 빌올렉 , 탕잉 , 데프레조셉알 , 비숍스티븐이
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/36 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/3171 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01J2237/24564 , H01J2237/3365
摘要： 보다낮은전압에있는소스용기로부터보다높은전압에있는하나이상의유체-이용툴까지유체를제공하기위해, 유체를원격전달하기위한유체저장및 분배시스템및 방법이개시되며, 유체는아크방전, 방전, 조기이온화또는다른이상성질이없이관련전압갭을교차하며, 다중유체-이용툴이원격소스용기에의해공급되는경우, 다중용기중 다른용기의독립적인작동동안에적당한압력레벨에서다중툴의각각으로효율적으로유체가공급된다.

109. 发明公开

KR1020160030839A 이온주입장치 및 이온빔의 조정방법 审中-实审
标题翻译：离子植入装置和离子束调节方法
公开(公告)号：KR1020160030839A
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：KR1020150111348
申请日：2015-08-07
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 와타나베가즈히로 , 다카하시유우지 , 우에노유스케
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/05
CPC分类号： H01J37/304 , H01J37/05 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/055 , H01J2237/24514
摘要： 이온주입장치의생산성의저하를회피하면서, 에너지정밀도의향상을실현한다. 이온주입장치의에너지분석슬릿(28)은, 주어진주입조건하에서행해지는주입처리에사용되는표준슬릿개구(110)와, 표준슬릿개구(110)보다높은에너지정밀도를가지고, 고주파선형가속기의가속파라미터를조정하기위하여사용되는고정밀도슬릿개구(112)를전환가능하게구성되어있다. 가속파라미터는, 고주파선형가속기에공급되는이온중 적어도일부가목표에너지로가속되도록, 또한, 빔계측부에의하여계측되는빔전류량이목표빔전류량에상당하도록, 주어진주입조건에관하여결정된다.
摘要翻译：本发明是为了在避免离子注入装置的生产劣化的同时实现能量精度的提高。离子注入装置的能量分析狭缝（28）包括用于在给定植入条件下执行的植入过程的标准狭缝开口（110）和与精确切割开口（110）相比具有更高能量精度的高精度狭缝开口（112）标准狭缝开口（110），用于调节高频直线加速器的加速度参数。基于给定的植入条件来确定加速度参数，以加速提供给具有目标能量的高频线性加速器的至少一部分离子，并且还允许由束测量部分测量的束电流对应于目标束电流。

110. 发明公开

KR1020160027015A 기판 프로세싱 시스템들 내의 텍스처링된 실리콘 라이너들 审中-实审
标题翻译：衬底加工系统中的纹理硅衬板
公开(公告)号：KR1020160027015A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020167001833
申请日：2014-06-25
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 블레이크줄리앙
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , C23C14/22 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/50 , H01J37/3171 , H01J37/32477 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J2237/0473 , H01J2237/0475 , H01J2237/057 , H01J2237/1207 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
摘要： 텍스처링된실리콘라이너들을갖는, 이온주입시스템들, 증착시스템들및 에칭시스템들과같은기판프로세싱시스템들이개시된다. 실리콘라이너들은, 20 마이크로미터미만의높이일수 있는마이크로피라미드(micropyramid)들로서지칭되는작은특징부들을생성하는화학적처리를사용하여텍스처링된다. 이러한마이크로피라미드들이흑연라이너들에서일반적으로발견되는텍스처링된특징부들보다훨씬더 작다는사실에도불구하고, 텍스처링된실리콘은증착된코팅들을홀딩하고조각으로벗겨지는것에저항할수 있다. 이러한기판프로세싱시스템들에대하여예방적인유지보수를수행하기위한방법들이또한개시된다.
摘要翻译：公开了具有纹理硅衬垫的衬底处理系统，例如离子注入系统，沉积系统和蚀刻系统。使用化学处理来形成硅衬里，该化学处理产生小的特征，称为微锥体，其高度可以小于20微米。尽管这些微锥体比石墨衬垫中通常发现的纹理特征小得多，但纹理硅能够保持沉积的涂层并且抗剥落。还公开了对这些基板处理系统进行预防性维护的方法。

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