专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101821338B1 기판 프로세싱 시스템, 이온 주입 시스템, 및 빔라인 이온 주입 시스템 有权
公开(公告)号：KR101821338B1
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：KR1020167001833
申请日：2014-06-25
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 블레이크줄리앙
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , C23C14/22 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/50 , H01J37/3171 , H01J37/32477 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J2237/0473 , H01J2237/0475 , H01J2237/057 , H01J2237/1207 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
摘要： 기판프로세싱시스템, 이온주입시스템, 및빔라인이온주입시스템이제공된다. 텍스처링된실리콘라이너들을갖는, 이온주입시스템들, 증착시스템들및 에칭시스템들과같은기판프로세싱시스템들이개시된다. 실리콘라이너들은, 20 마이크로미터미만의높이일수 있는마이크로피라미드(micropyramid)들로서지칭되는작은특징부들을생성하는화학적처리를사용하여텍스처링된다. 이러한마이크로피라미드들이흑연라이너들에서일반적으로발견되는텍스처링된특징부들보다훨씬더 작다는사실에도불구하고, 텍스처링된실리콘은증착된코팅들을홀딩하고조각으로벗겨지는것에저항할수 있다.

2. 发明公开

KR1020170029657A 기판 프로세싱 시스템, 이온 주입 시스템, 및 빔라인 이온 주입 시스템 审中-实审
标题翻译：基板加工系统离子植入系统和离子植入系统
公开(公告)号：KR1020170029657A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020177006403
申请日：2014-06-25
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 블레이크줄리앙
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , C23C14/22 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/50 , H01J37/3171 , H01J37/32477 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J2237/0473 , H01J2237/0475 , H01J2237/057 , H01J2237/1207 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67213 , H05H1/46
摘要： 기판프로세싱시스템, 이온주입시스템, 및빔라인이온주입시스템이제공된다. 텍스처링된실리콘라이너들을갖는, 이온주입시스템들, 증착시스템들및 에칭시스템들과같은기판프로세싱시스템들이개시된다. 실리콘라이너들은, 20 마이크로미터미만의높이일수 있는마이크로피라미드(micropyramid)들로서지칭되는작은특징부들을생성하는화학적처리를사용하여텍스처링된다. 이러한마이크로피라미드들이흑연라이너들에서일반적으로발견되는텍스처링된특징부들보다훨씬더 작다는사실에도불구하고, 텍스처링된실리콘은증착된코팅들을홀딩하고조각으로벗겨지는것에저항할수 있다.
摘要翻译：公开了具有纹理硅衬垫的衬底处理系统，例如离子注入系统，沉积系统和蚀刻系统。使用化学处理来形成硅衬里，该化学处理产生小的特征，称为微锥体，其高度可以小于20微米。尽管这些微锥体比石墨衬垫中通常发现的纹理特征小得多，但纹理硅能够保持沉积的涂层并且抗剥落。还公开了对这些基板处理系统进行预防性维护的方法。

3. 发明授权

KR101494017B1 오염 물질을 수집하는 표면을 갖는 이온 주입기 有权
标题翻译：带有污染物收集表面的离子植绒
公开(公告)号：KR101494017B1
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020087013789
申请日：2006-11-10
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 링필립 , 그랩미쉘
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/028 , H01J2237/31705
摘要： 이온 주입기는 빔 라인 및 진공 또는 주입 챔버를 따라 이동하는 이온 빔을 생성하는 이온 소스를 포함하는데, 실리콘 웨이퍼와 같은 워크피스는 이온 빔에 의해 워크피스 표면의 이온 주입을 위해 이온 빔을 가로지르도록 위치된다. 라이너는 비워진 내부 영역의 적어도 일부의 경계를 형성하는 내부를 향하는 표면을 가지며, 이온 주입기 동작 동안 내부 영역 내에서 생성된 오염 물질을 캡쳐하기 위해 라이너 표면에 걸쳐 이격된 그루브를 포함한다.
이온 주입기, 주입 챔버, 이온 소스, 빔 라인, 라이너, 그루브

4. 发明公开

KR1020140135126A 이온의 질량 선택성 결정을 위한 장치 审中-实审
标题翻译：用于选择性测定离子的装置
公开(公告)号：KR1020140135126A
公开(公告)日：2014-11-25
申请号：KR1020140058458
申请日：2014-05-15
申请人： 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
发明人： 글라스마허스알브레흐트 , 알리망미혤
IPC分类号： H01J49/26
CPC分类号： H01J37/05 , H01J37/244 , H01J37/252 , H01J49/022 , H01J49/027 , H01J49/424 , H01J2237/028 , H01J2237/057
摘要： 본 발명은 하나 이상의 이온 또는 복수의 이온의 질량 선택성 결정을 위한 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 장치는 예컨대 이온 트랩(1404)을 포함하는 측정 장치에서 사용된다. 이온 트랩(1404)은 제1 개구를 가진 환형 전극(1401)을 포함한다. 제1 전극(1402)이 상기 제1 개구에 배치된다. 또한, 이온 트랩(1404)을 위한 고주파 저장 신호의 제공을 위한 증폭기(1408) 및 제1 변압기(1411)가 제공되며, 제1 변압기는, 고주파 저장 신호가 상기 제1 변압기(1411)에 의해 제1 전극(1402)에 커플링되는 방식으로, 증폭기(1408) 및 제1 전극(1402)과 연결된다.
摘要翻译：本发明涉及用于一种或多种离子的质量选择性测定的装置。根据本发明的装置例如用于包括离子阱（1404）的测量装置中。离子阱（1404）包括具有第一开口的环形电极（1401）。第一电极（1402）布置在第一开口上。此外，提供了用于为离子阱（1404）提供高频存储信号的放大器（1408）和第一变压器（1411），其中第一变压器与放大器（1408）和第一电极（1402）连接，在由第一变压器（1411）与第一电极（1402）耦合的高频存储信号的方法中。

5. 发明授权

KR101346592B1 개선된 이온 빔 수송을 위한 기술 有权
标题翻译：改进离子束运输技术
公开(公告)号：KR101346592B1
公开(公告)日：2014-01-02
申请号：KR1020097008298
申请日：2007-09-26
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 벤베니스트,빅토르
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J2237/004 , H01J2237/028 , H01J2237/04756
摘要： 개선된 이온 빔 수송을 위한 기술이 개시된다. 일 실시예에 있어서, 상기 기술은, 이온 빔을 발생시키기 위한 이온 소스, 상기 이온 빔의 이온 입자들로부터 원하는 이온 종들을 선택하기 위한 질량 분석기, 상기 이온 빔에서 이온들의 에너지를 감소시키는 이온 감속기, 상기 이온 빔으로부터의 이온들이 주입되는 적어도 하나의 대상체를 지지하기 위한 엔드 스테이션, 및 상기 이온 감속기에 도달하기 전에 상기 이온 빔으로부터 중성적으로 대전된 입자들을 제거하는 중성 입자 분리기를 포함하는 이온 주입 시스템으로 실현될 수 있다.

6. 发明公开

KR1020080016900A 하전된 빔 덤프 및 입자 어트랙터 有权
标题翻译：充电梁和颗粒吸引器
公开(公告)号：KR1020080016900A
公开(公告)日：2008-02-22
申请号：KR1020077030938
申请日：2006-06-02
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 반더포트존 , 후앙용장
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/304
CPC分类号： H01J37/244 , H01J37/045 , H01J37/09 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/026 , H01J2237/028 , H01J2237/30433 , H01J2237/31705
摘要： A system, method, and apparatus for mitigating contamination during ion implantation are provided. An ion source (112), end station (117), and mass analyzer (106) positioned between the ion source and the end station are provided, wherein an ion beam (110) is formed from the ion source and travels through the mass analyzer to the end station. An ion beam dump assembly comprising a particle collector, particle attractor, and shield are associated with the mass analyzer, wherein an electrical potential of the particle attractor is operable to attract and constrain contamination particles within the particle collector, and wherein the shield is operable to shield the electrical potential of the particle attractor from an electrical potential of an ion beam within the mass analyzer.
摘要翻译：提供了一种用于减少离子注入期间污染的系统，方法和装置。提供了一种位于离子源和终端之间的离子源（112），端站（117）和质量分析器（106），其中离子束（110）由离子源形成并且通过质量分析器到终点站。包括粒子收集器，颗粒吸引子和屏蔽的离子束转储组件与质量分析器相关联，其中，所述粒子吸引子的电位可操作以吸引和约束所述颗粒收集器内的污染颗粒，并且其中所述屏蔽件可操作为屏蔽质子分析仪内离子束电位的吸引子的电位。

7. 发明公开

KR1020020033159A 전자빔 리소그래피법에서 전자분무의 최소화 无效
标题翻译：电子束光刻中电子雾化的最小化
公开(公告)号：KR1020020033159A
公开(公告)日：2002-05-04
申请号：KR1020027001079
申请日：2000-07-28
申请人： 에텍 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 인네스로버트 , 베네클라젠리에이치 , 사글알랜엘 , 바빈세르게이브이 , 화첸
IPC分类号： H01J37/09
CPC分类号： H01J37/09 , H01J2237/028 , H01J2237/3175
摘要： 전자빔리소그래피법에서전자분무효과를감소시키는차폐어셈블리 (24). 전자빔컬럼의마지막개구와빔 타겟사이에위치한이 차폐어셈블리는타겟의전자빔입사점을향하는날카로운에지 (28) 를가진복수의베인 (26) 이고, 이들베인은차폐어셈블리의중앙을통과하는전자빔경로 (18) 주위에동심원적그리고원뿔형으로되어있다. 또한, 날카로운에지는외부베인면에대해서 10°내지 20°사이의각을가진베인들의단부에서경사면을나타내고, 이들경사면은전자빔경로를향하도록한다. 또한, 차폐어셈블리는빔입사점 (22) 를향하는각을가진베인들을가지고, 원뿔형베인어셈블리의정점이빔입사점과일치하도록할 수있다.
摘要翻译：一种用于减少电子束光刻中电子雾效应的屏蔽组件。位于电子束柱最终孔和束目标之间的该屏蔽具有多个叶片，其尖锐边缘指向靶上的电子束入射点; 叶片是圆锥形的并且围绕电子束路径同心，该电子束路径穿过组件的中心。此外，锋利的边缘使得它们在叶片的端部处呈现相对于外部叶片表面成10°和20°之间的倾斜表面，并且这些倾斜表面朝向电子束路径。此外，屏蔽组件还可以具有朝向光束入射点成角度的叶片，使得锥形叶片组件的顶点与光束入射点重合。

8. 发明授权

KR101434676B1 빔처리장치 有权
标题翻译：梁加工设备
公开(公告)号：KR101434676B1
公开(公告)日：2014-08-26
申请号：KR1020080036012
申请日：2008-04-18
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 츠키하라미츠쿠니 , 가바사와미츠아키 , 마츠시타히로시 , 야기타다카노리 , 아마노요시타카 , 후지이요시토
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1477 , H01J2237/0042 , H01J2237/028
摘要： 본 발명은, 2극식 편향스캐닝 전극을 포함하는 빔 스캐너를 구비한 빔처리장치에 관한 것이다.
상기 빔 스캐너는 또한, 상기 2극식 편향스캐닝 전극의 상류측 및 하류측 근방에 각각 배치되어, 하전입자빔 통과용 직사각 형상의 개구를 가지는 차폐 억제전극 어셈블리를 가진다. 각 차폐 억제전극 어셈블리는, 하나의 억제전극과 이를 사이에 끼우는 2개의 차폐 접지전극으로 이루어지는 어셈블리 전극이다. 상기 2극식 편향스캐닝 전극의 전측부 및 후측부 전체를, 상기 2개의 차폐 접지전극으로 차폐하였다.
빔, 하전입자, 편향스캐닝, 어셈블리, 억제전극, 빔 스캐너빔

9. 发明授权

KR101306541B1 빔 정지 및 빔 조정 방법 有权
标题翻译：梁停止和光束调谐方法
公开(公告)号：KR101306541B1
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020077030940
申请日：2006-06-02
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 반더포트존 , 후앙용장
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/36
CPC分类号： H01J37/244 , H01J37/045 , H01J37/09 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/026 , H01J2237/028 , H01J2237/30433 , H01J2237/31705
摘要： 이온 주입과 관련된 오염을 완화하는 시스템, 방법, 및 장치가 제공된다. 이온 소스, 최종 스테이션, 및 상기 이온 소스와 최종 스테이션 사이에 배치된 질량 분석기가 제공되며, 여기서 이온 빔은 소스로부터 형성되고, 빔 정지 어셈블리의 위치에 기초하여, 질량 분석기를 통하여 최종 스테이션으로 선택적으로 이동한다. 빔 정지 어셈블리는 선택적으로 이온 빔이 질량 분석기에 진입하고/진입하거나 상기 질량 분석기를 빠져나가지 못하도록 하여, 이온 주입 시스템의 기동과 같은 전이 기간 동안 불안정한 이온 소스와 관련된 오염을 최소화한다.
이온 주입, 이온 소스, 최종 스테이션, 질량 분석기, 이온 빔.

10. 发明公开

KR1020090074563A 전자빔 노광 장비 失效
标题翻译：电子束曝光装置
公开(公告)号：KR1020090074563A
公开(公告)日：2009-07-07
申请号：KR1020080000383
申请日：2008-01-02
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 장동식
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/09 , H01J2237/0213 , H01J2237/028 , G03F7/2059 , G03F7/70383
摘要： An electron beam exposure apparatus is provided to eliminate the reflected and scattered electrons on a resist layer and to suppress a fogging effect, thereby improving the linewidth uniformity of a mask pattern in a photomask fabrication process. An exposure apparatus comprises the following units. An electron gun generates electron beams(101) for exposing a resist layer(301) of a substrate. An electron beam column unit induces the route of the electron beams generated from the electron gun. An electronic gathering unit(400) absorbs the scattered electron(103) emitted from the surface of the resist layer. The electron gathering unit consists of a plate body(401), electron inducing holes and an absorbing tunnel. The plate body has a surface facing toward the surface of the resist layer. The electron inducing holes formed on the surface of the plate boy induce the scattered electrons.
摘要翻译：提供电子束曝光装置以消除抗蚀剂层上的反射和散射电子，并且抑制起雾效果，从而提高光掩模制造工艺中掩模图案的线宽均匀性。曝光装置包括以下单元。电子枪产生用于使衬底的抗蚀剂层（301）暴露的电子束（101）。电子束柱单元引起从电子枪产生的电子束的路线。电子收集单元（400）吸收从抗蚀剂层的表面发射的散射电子（103）。电子收集单元由板体（401），电子诱导孔和吸收通道组成。板体具有面向抗蚀剂层的表面的表面。形成在板状男孩表面上的电子诱导孔引起散射电子。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式