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1. 发明公开

KR1020160027015A 기판 프로세싱 시스템들 내의 텍스처링된 실리콘 라이너들 审中-实审
标题翻译：衬底加工系统中的纹理硅衬板
公开(公告)号：KR1020160027015A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020167001833
申请日：2014-06-25
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 블레이크줄리앙
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , C23C14/22 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/50 , H01J37/3171 , H01J37/32477 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J2237/0473 , H01J2237/0475 , H01J2237/057 , H01J2237/1207 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
摘要： 텍스처링된실리콘라이너들을갖는, 이온주입시스템들, 증착시스템들및 에칭시스템들과같은기판프로세싱시스템들이개시된다. 실리콘라이너들은, 20 마이크로미터미만의높이일수 있는마이크로피라미드(micropyramid)들로서지칭되는작은특징부들을생성하는화학적처리를사용하여텍스처링된다. 이러한마이크로피라미드들이흑연라이너들에서일반적으로발견되는텍스처링된특징부들보다훨씬더 작다는사실에도불구하고, 텍스처링된실리콘은증착된코팅들을홀딩하고조각으로벗겨지는것에저항할수 있다. 이러한기판프로세싱시스템들에대하여예방적인유지보수를수행하기위한방법들이또한개시된다.
摘要翻译：公开了具有纹理硅衬垫的衬底处理系统，例如离子注入系统，沉积系统和蚀刻系统。使用化学处理来形成硅衬里，该化学处理产生小的特征，称为微锥体，其高度可以小于20微米。尽管这些微锥体比石墨衬垫中通常发现的纹理特征小得多，但纹理硅能够保持沉积的涂层并且抗剥落。还公开了对这些基板处理系统进行预防性维护的方法。

2. 发明公开

KR1020090089295A 이온 주입기를 위한 새롭고 향상된 빔 라인 구조 有权
标题翻译：用于离子植入物的新的改进的束线结构
公开(公告)号：KR1020090089295A
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：KR1020097008924
申请日：2007-09-13
申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
发明人： 반데르베르크,보 , 스플린터,패트릭
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/1471 , H01J37/04 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/0475 , H01J2237/055 , H01J2237/1501 , H01J2237/152 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/3045 , H01J2237/31703
摘要： A parallelizing component of an ion implantation system comprises two angled dipole magnets that mirror one another and serve to bend an ion beam traversing therethrough to have a substantially ''s'' shape. This s bend serves to filter out contaminants of the beam, while the dipoles also parallelize the beam to facilitate uniform implant properties across the wafer, such as implant angle, for example. Additionally, a deceleration stage is included toward the end of the implantation system so that the energy of the beam can be kept relatively high throughout the beamline to mitigate beam blowup. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：离子注入系统的平行化部件包括两个成角度的偶极子磁体，其彼此相互反射并用于弯曲穿过其中的离子束以具有基本上“”“的形状。该弯曲用于滤除光束的污染物，而偶极子也使光束平行化，以促进跨晶片的均匀植入性质，例如植入角度。此外，朝向植入系统的端部包括减速阶段，使得束的能量可以在整个束线中保持相对较高以减轻束的膨胀。 ®KIPO＆WIPO 2009

3. 发明授权

KR101354632B1 이온 주입기를 위한 새롭고 향상된 빔 라인 구조 有权
标题翻译：用于离子植入物的新的改进的束线结构
公开(公告)号：KR101354632B1
公开(公告)日：2014-02-04
申请号：KR1020097008924
申请日：2007-09-13
申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
发明人： 반데르베르크,보 , 스플린터,패트릭
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/1471 , H01J37/04 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/0475 , H01J2237/055 , H01J2237/1501 , H01J2237/152 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/3045 , H01J2237/31703
摘要： 이온 주입 시스템의 병렬화 부재는 서로 반사하는 두 개의 각진 쌍극자 자석을 포함하고, 이를 관통하는 이온 빔을 굽혀서 거의 "s" 형상을 갖도록 한다. 이러한 s 굽힘은 이온 빔의 오염 물질을 여과하여 제거하는데 기여하고, 또한 쌍극자는 빔을 병렬화시켜 예를 들어 주입각과 같은 웨이퍼에 걸친 균일한 주입 성질을 촉진시킨다. 또한, 감속 단계는 주입 시스템의 엔드(end)를 향해 포함되고 이에 의해 이온 빔의 에너지는 빔라인을 통해 비교적 높게 유지될 수 있고 이로써 빔 블로우업(beam blowup)을 완화시킨다.

4. 发明公开

KR1020080006451A 이온 빔 유도관 无效
标题翻译：离子束导管
公开(公告)号：KR1020080006451A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：KR1020070062945
申请日：2007-06-26
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 골드버그,리챠드데이비드
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/026 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/0475 , H01J2237/18 , H01J2237/31705
摘要： An ion beam guide tube is provided to easily measure a beam of charged ions by configuring a passage having a minimum dimension across a length for blocking a view through the passage perpendicular with an axis and the length on which the passage is arranged with an acute angle. A guide tube(16) is placed on an injector near to a wafer(12) on which ion is implanted, in order to limit charged particles being used for neutralizing the wafer during an ion implantation. The guide tube includes an axis, an opening end for receiving an ion beam(11) along the axis, a tube wall parallel with the axis substantially, and an opening(19) for forming a gas transfer passage from an inner side to an outer side of the guide tube through the tube wall. The gas transfer passage has a minimum dimension across a length for blocking a view through the gas transfer passage perpendicular with the axis and the length on which the gas transfer passage is arranged with an acute angle.
摘要翻译：离子束引导管被设置成通过配置具有最小尺寸的通道来容易地测量带电离子束，所述通道具有通过垂直于轴线的通道阻挡视图的长度，并且具有锐角的通道的长度。引导管（16）放置在靠近其上注入离子的晶片（12）附近的注射器上，以便限制用于在离子注入期间中和晶片的带电粒子。引导管包括轴线，用于沿着轴线接收离子束（11）的开口端，基本上与轴线平行的管壁和用于从内侧到外部形成气体输送通道的开口（19）导管的一侧通过管壁。气体输送通道具有通过垂直于轴线的气体输送通道和气体输送通道以锐角配置的长度的长度上的最小尺寸。

5. 发明授权

KR101821338B1 기판 프로세싱 시스템, 이온 주입 시스템, 및 빔라인 이온 주입 시스템 有权
公开(公告)号：KR101821338B1
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：KR1020167001833
申请日：2014-06-25
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 블레이크줄리앙
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , C23C14/22 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/50 , H01J37/3171 , H01J37/32477 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J2237/0473 , H01J2237/0475 , H01J2237/057 , H01J2237/1207 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
摘要： 기판프로세싱시스템, 이온주입시스템, 및빔라인이온주입시스템이제공된다. 텍스처링된실리콘라이너들을갖는, 이온주입시스템들, 증착시스템들및 에칭시스템들과같은기판프로세싱시스템들이개시된다. 실리콘라이너들은, 20 마이크로미터미만의높이일수 있는마이크로피라미드(micropyramid)들로서지칭되는작은특징부들을생성하는화학적처리를사용하여텍스처링된다. 이러한마이크로피라미드들이흑연라이너들에서일반적으로발견되는텍스처링된특징부들보다훨씬더 작다는사실에도불구하고, 텍스처링된실리콘은증착된코팅들을홀딩하고조각으로벗겨지는것에저항할수 있다.

6. 发明公开

KR1020170029657A 기판 프로세싱 시스템, 이온 주입 시스템, 및 빔라인 이온 주입 시스템 审中-实审
标题翻译：基板加工系统离子植入系统和离子植入系统
公开(公告)号：KR1020170029657A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020177006403
申请日：2014-06-25
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 블레이크줄리앙
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/32 , C23C14/22 , H01L21/67 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C14/22 , C23C14/564 , C23C16/4404 , C23C16/50 , H01J37/3171 , H01J37/32477 , H01J2237/0213 , H01J2237/022 , H01J2237/028 , H01J2237/0473 , H01J2237/0475 , H01J2237/057 , H01J2237/1207 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/67213 , H05H1/46
摘要： 기판프로세싱시스템, 이온주입시스템, 및빔라인이온주입시스템이제공된다. 텍스처링된실리콘라이너들을갖는, 이온주입시스템들, 증착시스템들및 에칭시스템들과같은기판프로세싱시스템들이개시된다. 실리콘라이너들은, 20 마이크로미터미만의높이일수 있는마이크로피라미드(micropyramid)들로서지칭되는작은특징부들을생성하는화학적처리를사용하여텍스처링된다. 이러한마이크로피라미드들이흑연라이너들에서일반적으로발견되는텍스처링된특징부들보다훨씬더 작다는사실에도불구하고, 텍스처링된실리콘은증착된코팅들을홀딩하고조각으로벗겨지는것에저항할수 있다.
摘要翻译：公开了具有纹理硅衬垫的衬底处理系统，例如离子注入系统，沉积系统和蚀刻系统。使用化学处理来形成硅衬里，该化学处理产生小的特征，称为微锥体，其高度可以小于20微米。尽管这些微锥体比石墨衬垫中通常发现的纹理特征小得多，但纹理硅能够保持沉积的涂层并且抗剥落。还公开了对这些基板处理系统进行预防性维护的方法。

7. 发明公开

KR1020010013166A 이온빔 에칭용 장치 및 방법 无效
标题翻译：用于离子束蚀刻的装置和方法
公开(公告)号：KR1020010013166A
公开(公告)日：2001-02-26
申请号：KR1019997011150
申请日：1998-05-25
申请人： 유니베르시떼 삐에르 에 마리 퀴리
发明人： 브리앙드,진-피에르
IPC分类号： H01J37/305
CPC分类号： H01J37/317 , H01J37/3056 , H01J2237/0475
摘要： The invention concerns a device and a method for ion beam etching for producing an etched surface (2) on a semiconductor (1) or insulant. The device comprises a positive ion source (20), means for guiding (23) an ion beam (42), a system for detecting the spatial and temporal interaction of the ions and the etched surface, means for interrupting (24) the beam and means for displacing the etched surface relatively to the beam. A processing unit (29) is connected to the displacing means, to the detecting means and to the beam interrupting means and controls, preferably iteratively, successive operations detecting interaction of the ion beam and the etched surface, interrupting the beam, relative displacing of the etched surface with respect to the beam position and restoring the beam.
摘要翻译：本发明涉及用于在半导体（1）或绝缘体上产生蚀刻表面（2）的离子束蚀刻的装置和方法。该装置包括正离子源（20），用于引导（23）离子束（42）的装置，用于检测离子和蚀刻表面的空间和时间相互作用的系统，用于中断（24）光束和用于相对于梁移动蚀刻表面的装置。处理单元（29）连接到移动装置，连接到检测装置和光束中断装置，并优选迭代地控制检测离子束和被蚀刻表面的相互作用的连续操作，中断束，相对移位相对于光束位置蚀刻表面并恢复光束。

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