专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6435992B2 エピタキシャル成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャル成長装置用リフトピン审中-公开
公开(公告)号：JP6435992B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2015109937
申请日：2015-05-29
申请人：株式会社SUMCO
发明人：櫻井雅哉
IPC分类号： H01L21/683 , C23C16/24 , C23C16/44 , C30B29/06 , C30B25/12 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/458 , C23C16/4581 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/06 , H01L21/02293 , H01L21/205 , H01L21/67115 , H01L21/68742

2. 发明专利

JP3840207B2 Insulating film and electronic devices 有权
公开(公告)号：JP3840207B2
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：JP2003197808
申请日：2003-07-16
申请人：株式会社東芝
发明人：秀喜佐竹 , 達雄清水
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L29/12 , H01L29/15 , H01L29/51 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/28185 , B82Y10/00 , H01L21/02148 , H01L21/02156 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02192 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02244 , H01L21/02255 , H01L21/02271 , H01L21/02293 , H01L21/02337 , H01L21/28194 , H01L21/28291 , H01L21/3142 , H01L21/3147 , H01L21/3162 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L21/31691 , H01L28/56 , H01L29/122 , H01L29/152 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/78
摘要： An insulating film comprising: a first barrier layer; a well layer provided; and a second barrier layer is proposed. The first barrier layer consists of a material having a first bandgap and a first relative permittivity. The well layer is provided on the first barrier layer, and consists of a material having a second bandgap smaller than the first bandgap and having a second relative permittivity larger than first relative permittivity. Discrete energy levels are formed in the well layer by a quantum effect. The second barrier layer is provided on the well layer, and consists of a material having a third bandgap larger than the second bandgap and having a third relative permittivity smaller than second relative permittivity. Alternatively, an insulating film comprising: n (n being an integer larger than 2) layers of barrier layer consisting of a material having a bandgap larger than a first bandgap and having a relative permittivity smaller than a first relative permittivity; and (n-1) layers of well layers consisting of a material having a bandgap smaller than the first bandgap and having a relative permittivity larger than the first relative permittivity, discrete energy levels being formed in the well layer by a quantum effect, each of the barrier layers and each of the well layers being stacked by turns, and discrete energy levels being formed in each of the well layers by a quantum effect, is provided. Alternatively, an insulating film having a lattice mismatch within a range of plus-or-minus 1.5% to the substrate, and further having a high barrier and a large permittivity is provided.

3. 发明专利

JP2004535062A Epitaxial SiOx barrier / insulation layer 审中-公开
公开(公告)号：JP2004535062A
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：JP2003505987
申请日：2001-06-14
申请人：ナノダイナミックスインコーポレイテッド
发明人：ラファエルツ , ジョンクレイロフグレン , チアギーワン
IPC分类号： H01L29/68 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/339 , H01L21/36 , H01L21/469 , H01L21/76 , H01L27/00 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/31612 , B82Y10/00 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02263 , H01L21/02293 , H01L21/02337 , H01L29/7613
摘要：シリコンの層及び少なくとも一つの追加の要素を、シリコン基板上に蒸着することによって、前記蒸着された層が、実質的に欠陥フリー（free of defects）なエピタキシャルシリコンが前記蒸着された層の上に蒸着されるような態様で実質的に欠陥フリーとされるステップを含む、半導体素子のために有用な、絶縁層あるいは障壁層（図１）を形成するための方法。或いは、好ましくは酸素を含む、一つあるいはそれ以上の要素の単一層が、シリコン基板上で吸着される。エピタキシャルシリコンの間に挟まれた複数の絶縁層が、障壁複合物を形成する。前記障壁複合物を備える半導体素子が開示される。

4. 发明专利

KR102230428B1 KR102230428B1 - Increase the volume of epitaxy regions 有权
公开(公告)号：KR102230428B1
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：KR1020190013981A
申请日：2019-02-01
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 위리엔 황
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/02 , H01L21/8234 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823412 , H01L29/41791 , H01L21/823431 , H01L21/02293 , H01L21/31116 , H01L21/762 , H01L21/823437 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7855 , H01L21/823814 , H01L29/165 , H01L29/665
摘要： 방법은 복수의 반도체 핀들 상에 게이트 스택을 형성하는 단계를 포함한다. 복수의 반도체 핀들은, 복수의 내부 핀들, 및 복수의 내부 핀들의 대향 측부들 상에 있는 제1 외부 핀과 제2 외부 핀을 포함한다. 복수의 반도체 핀들에 기초하여 에피택시 영역들이 성장되며, 제1 외부 핀의 외부 측벽을 따라 측정된 에피택시 영역들의 제1 높이는 제1 외부 핀의 내부 측벽을 따라 측정된 에피택시 영역들의 제2 높이보다 작다.

5. 发明专利

JP5114774B2 Metal layer - the tunnel barrier layer - sensor having a sensor structure and the structure 有权
公开(公告)号：JP5114774B2
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：JP2007534459
申请日：2006-09-06
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：道子吉武 , 進二郎柳生
IPC分类号： C30B29/20 , C30B1/10 , H01L21/316 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/38
CPC分类号： H01L21/31616 , H01L21/02178 , H01L21/02293 , H01L45/00

6. 发明专利

JP2012044030A Compound semiconductor manufacturing apparatus, compound semiconductor manufacturing method and compound semiconductor 有权
标题翻译：化合物半导体制造装置，化合物半导体制造方法和化合物半导体
公开(公告)号：JP2012044030A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：JP2010184775
申请日：2010-08-20
申请人： Showa Denko Kk , 昭和電工株式会社
发明人： YASUHARA HIDEKI , BANDO AKIRA
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/32 , H01S5/343
CPC分类号： H01L21/02293 , C23C16/4583 , C30B25/02 , C30B25/12 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/6875 , H01L21/68757 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/007
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compound semiconductor manufacturing method using a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method, which can inhibit departure from target values of a temperature distribution and an average wavelength on the substrate for growing compound semiconductor crystals.SOLUTION: The compound semiconductor manufacturing apparatus forming a compound semiconductor layer by using a metalorganic chemical vapor deposition method, comprises a reaction chamber, a supporter disposed in the reaction chamber on which an object to be formed is loaded such that a formed face of the object to be formed faces upward and a material supply port supplying material gases of the compound semiconductor from outside into the reaction chamber. The supporter contacts an undersurface of the object to be formed in a region from the center of a top face of the supporter to inside of an outer periphery of the object to be formed. The supporter includes a support part supporting the object to be formed so as to keep a predetermined distance between the top face of the supporter and the undersurface of the object to be formed.
摘要翻译：解决的问题：提供一种使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法的化合物半导体制造方法，其可以抑制偏离用于生长化合物半导体晶体的衬底上的温度分布和平均波长的目标值。解决方案：通过使用金属有机化学气相沉积法形成化合物半导体层的化合物半导体制造装置包括反应室，设置在反应室中的载体，在该反应室中加载待形成的物体，使得形成的表面要形成的物体朝向上方，并且材料供给口将化合物半导体的气体从外部供给到反应室中。支撑体接触待形成物体的下表面，该下表面从支撑体的顶面的中心到要形成的物体的外周的内部。支撑件包括支撑部件，其支撑要形成的物体，以便在支撑件的顶面和待形成物体的下表面之间保持预定的距离。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2016526297A 半導体処理チャンバ用の被覆されたライナーアセンブリ有权
标题翻译：经涂覆的衬垫组件，用于半导体处理腔室
公开(公告)号：JP2016526297A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2016515330
申请日：2014-04-08
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated , アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：ジョゼフエム．ラニッシュ， , ジョゼフエム．ラニッシュ， , サティシュクップラオ， , サティシュクップラオ， , ケイラーシュキランパタレイ， , ケイラーシュキランパタレイ， , ポールブリルハート， , ポールブリルハート，
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/02293 , C23C16/4411 , C23C16/481
摘要：本明細書に記載の実施形態は、半導体処理チャンバで使用する被覆されたライナーアセンブリに関する。一実施形態で、半導体処理チャンバで使用するライナーアセンブリは、円筒形のリング形状を有するライナー本体、及び、ライナー本体を被覆する被覆層を備え、被覆層は、約200nm〜約5000nmの間の一又は複数の波長において不透明である。別の実施形態で、基板上に誘電体層を堆積するための装置は、処理チャンバのチャンバ本体内に画定された内部容積を有する処理チャンバ、処理チャンバ内に配置されたライナーアセンブリであって、円筒形のリング形状を有するライナー本体を更に備える、ライナーアセンブリ、並びに、ライナー本体の外壁を被覆し且つチャンバ本体に面した被覆層であって、約200nm〜約5000nmの間の一又は複数の波長において不透明である、被覆層を含む。【選択図】図1
摘要翻译：本文所描述的实施例涉及涂覆内衬组件用于在半导体处理腔室中使用。在一个实施例中，用于半导体处理腔室使用的衬里组件，具有该衬套体的圆筒状环形的，并且包括一涂层涂覆所述衬垫体，覆盖层，一个在约200nm的〜约5000nm的或不透明的多个波长。在另一个实施方案中，用于在基板上沉积介电层的设备，所述处理腔室的腔室主体内限定具有内部体积的处理腔室，处理室内的布置衬里组件，还包括具有圆筒形的环形衬里组件的衬垫体，和，面向涂布在衬垫体的外壁和所述腔室主体，一个或多个波长之间200nm左右〜约5000nm的覆盖层在不透明的，它包括一个涂层。点域1

8. 发明专利

JP5644256B2 化合物半導体の製造装置及び化合物半導体の製造方法有权
标题翻译：制造化合物半导体制造装置的方法和化合物半导体
公开(公告)号：JP5644256B2
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：JP2010184775
申请日：2010-08-20
申请人：豊田合成株式会社
发明人：秀樹安原 , 秀樹安原 , 章坂東 , 章坂東
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/02293 , C23C16/4583 , C30B25/02 , C30B25/12 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/6875 , H01L21/68757 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/007

9. 发明专利

JP5214251B2 Equipment of high-density low-energy plasma vapor phase epitaxy 有权
公开(公告)号：JP5214251B2
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：JP2007557614
申请日：2006-02-28
申请人：スルザーメテコアーゲー
发明人：カーネル、ハンスヴォン
IPC分类号： H01L21/205 , C23C14/06 , C23C14/24 , C30B23/08 , C30B29/38 , H01L21/203 , H01S5/323
CPC分类号： H01L21/02293 , C30B23/02 , C30B23/06 , C30B23/08 , C30B25/105 , C30B29/38 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T428/266

10. 发明专利

JPWO2007029754A1 アルミナ膜基板及びその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2007029754A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：JP2007534459
申请日：2006-09-06
申请人：独立行政法人物質・材料研究機構
发明人：道子吉武 , 道子吉武 , 進二郎柳生 , 進二郎柳生
IPC分类号： C30B29/20 , C30B1/10 , H01L21/316 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/38
CPC分类号： H01L21/31616 , H01L21/02178 , H01L21/02293 , H01L45/00
摘要：上記課題を解決するために、発明1のアルミナ膜基板は、前記アルミナ膜が高速電子線回折による検査の結果、縞状となるほどに平坦な表面を有することを特徴とする構成を採用した。発明2は、発明1のアルミナ膜基板を製造する方法であって、アルミニウムを含有した基板表面を平坦に研磨した後、酸素雰囲気中にて加熱することにより、前記基板中のアルミニウムを表面に偏析してエピタキシャルアルミナ膜を形成させることを特徴とする構成を採用した。薄膜の厚さが均一で、耐圧性にすぐれ5×109V/m以上の電圧を印加しても絶縁破壊を起こさずにトンネル電流を流すことができ、トンネル電流の大きさに場所によるばらつきを生じさせないトンネルバリア層を有し、トンネル電流を利用する各種素子に適用した場合、動作効率、信頼性、寿命を向上させることができるトンネルバリア層材料を提供する。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式