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1. 发明专利

JP2016219826A 半導体装置の作製方法有权
标题翻译：一种用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016219826A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2016152451
申请日：2016-08-03
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 丸山穂高 , 及川欣聡 , 栃林克明
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/08 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/28185 , H01L29/045 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L21/02667 , H01L27/1229
摘要：【課題】結晶性の優れた酸化物半導体層を形成して電気特性の優れたトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図ることを目的の一つとする。【解決手段】第1の加熱処理で第1の酸化物半導体層を結晶化し、その上部に第2の酸化物半導体層を形成し、温度と雰囲気の異なる条件で段階的に行われる第2の加熱処理によって表面と略垂直な方向にc軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層の形成と酸素欠損の補填を効率良く行い、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第3の加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層に再度酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成し、第4の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面に水素を供給する。【選択図】図3
摘要翻译： A和可通过形成结晶优异的氧化物半导体层来制造具有优异的电特性的晶体管，它是目的之一实现这种大型显示装置和高性能半导体器件的实际应用。第一氧化物半导体层是由第一热处理而结晶，第二氧化物半导体层被形成在其上的，在不同的温度条件和气氛分阶段第二是热处理补偿具有在c轴在一个表面基本上垂直方向上排列由有效地进行，以形成氧化物绝缘在与氧化物半导体层接触层的结晶区的氧化物半导体层中形成与氧不足，通过进行第三热处理，氧化物半导体层再次可以将氧供应到，氧化物绝缘层，并形成氮化物绝缘含氢层，通过进行第四热处理，至少供给氢到氧化物半导体层和氧化物绝缘层之间的界面。点域

2. 发明专利

JP6042415B2 半導体デバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP6042415B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2014509113
申请日：2013-03-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：秋山浩二 , 東島裕和 , 田村知大 , 青山真太郎 , 和村有
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/316 , H01L21/31 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/02356 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28158 , H01L21/28185 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L29/401 , H01L29/517 , H01L28/40

3. 发明专利

JP5985697B2 半導体装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP5985697B2
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：JP2015082950
申请日：2015-04-15
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 丸山穂高 , 及川欣聡 , 栃林克明
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/477 , H01L21/20 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/28185 , H01L29/045 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L21/02667 , H01L27/1229

4. 发明专利

JPWO2013150920A1 半導体デバイスの製造方法及び基板処理システム有权
标题翻译：半导体器件制造方法和基板处理系统
公开(公告)号：JPWO2013150920A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：JP2014509113
申请日：2013-03-26
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：秋山　浩二 , 浩二秋山 , 裕和東島 , 裕和東島 , 知大田村 , 知大田村 , 青山　真太郎 , 真太郎青山 , 有和村 , 有和村
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02356 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/46 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/28158 , H01L21/28185 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L28/40 , H01L29/401 , H01L29/517
摘要：ソース・ドレイン及びチャネルが形成された被処理体上に酸化ハフニウム及び酸化ジルコニウムを含むゲート絶縁膜を成膜する工程と、前記絶縁膜を600℃以下の温度で結晶化熱処理する工程と、を含み、前記結晶化熱処理後の前記絶縁膜の比誘電率が27以上である、半導体デバイスの製造方法。
摘要翻译：包括形成形成栅极绝缘所述目标对象到所述源极 - 漏极和沟道上含铪氧化物和锆氧化物膜的步骤，热处理在600℃下结晶的绝缘膜的温度的或更少的步骤，结晶化热处理后的绝缘膜的介电常数为27以上时，制造半导体器件的方法。

5. 发明专利

JP5801676B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5801676B2
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：JP2011220257
申请日：2011-10-04
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：赤坂泰志 , 秋山浩二 , 東島裕和
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/316 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28229 , H01L21/26566 , H01L21/266 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/31111 , H01L21/823462 , H01L21/823857 , H01L29/517 , H01L21/02318

7. 发明专利

JPWO2013132766A1 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：一种制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JPWO2013132766A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014503449
申请日：2013-02-20
申请人：旭化成エレクトロニクス株式会社
发明人：将吾香月 , 将吾香月 , 敏郎坂本 , 敏郎坂本
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/26506 , H01L21/28167 , H01L21/28185 , H01L21/2822 , H01L21/324 , H01L29/51 , H01L29/78 , Y10S438/981
摘要：シリコン基板1に熱酸化を施して、第1の領域と第2の領域とにそれぞれ第1のゲート酸化膜11を形成する工程と、第1のゲート酸化膜11上にCVD酸化膜11を形成する工程と、CVD酸化膜11と第1のゲート酸化膜11とを介して、第1の領域と第2の領域とにそれぞれフッ素(F)を注入する工程と、第2の領域の第1のゲート酸化膜11上からCVD酸化膜11を除去する工程と、第2の領域から第1のゲート酸化膜11を除去する工程と、シリコン基板1に熱酸化を施して、第2の領域に第2のゲート酸化膜21を形成する工程と、を含む。
摘要翻译：在硅衬底1进行热氧化，并形成第一栅氧化膜11，分别为第一区域和第二区域，形成在第一栅极氧化膜11上的CVD氧化膜11 的步骤，通过CVD氧化膜11和第一栅氧化膜11，各自为氟（F）注入到第一区域和第二区域，所述第一第二区域的步骤在栅极氧化膜11除去CVD氧化膜11，及从该区域11中的第二第一栅极氧化膜层，它经受热氧化，在硅衬底1中，第二区域上和形成第二栅极氧化膜21，一个。

8. 发明专利

JP5590886B2 Fluorine plasma process on the high-k gate stack for defect passivation 有权
公开(公告)号：JP5590886B2
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：JP2009530575
申请日：2007-09-26
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：フィリップ，エー．クラウス，
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/3115 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L29/518

10. 发明专利

JPWO2012133433A1 ゲート絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012133433A1
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：JP2013507625
申请日：2012-03-27
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：行則森田 , 行則森田
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/0228 , H01L21/02181 , H01L21/02356 , H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L29/517
摘要： HfO2層をゲート絶縁膜とするゲート絶縁膜の形成方法において、界面にSiO2層が形成されない、極薄の等価酸化膜厚を持ったhigher-kのゲートスタックを実現する。シリコン基板(1)上にHfO2層(2)を原子層成長法により形成する工程と、HfO2層(2)上に酸素吸収効果のある酸素制御金属層(3)を形成する工程と、HfO2層(2)が結晶化する温度に加熱する熱処理をする工程と含むゲート絶縁膜の形成方法である。熱処理工程より前に、HfO2層(2)中に含まれる結晶成長核の量を制御する。

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