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51. 发明专利

JP2015181229A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015181229A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：JP2015043535
申请日：2015-03-05
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：高橋圭
IPC分类号： H03K17/10 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H03K17/687 , H02M1/08 , H03K19/0185
CPC分类号： H03K17/56 , H01L21/8258 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/16 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要：【課題】駆動回路の誤動作を防ぐことが可能な半導体装置等を提供する。【解決手段】電流供給用のパワーデバイスを駆動するための駆動回路において、耐圧が要求される回路(具体的には、例えばレベルシフト回路)に含まれるトランジスタとして、酸化物半導体を有するトランジスタを適用する。また、レベルシフト回路と比較して高耐圧性を要求されない回路(具体的には、例えばバッファ回路、又はフリップフロップ回路等)に含まれるトランジスタには、酸化物半導体を有するトランジスタよりも高速に動作可能なトランジスタ(例えば、シリコントランジスタ等)を用いることが好ましい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止驱动电路的故障的半导体器件。解决方案：在用于驱动用于电流供应的功率器件的驱动电路中，使用具有氧化物半导体的晶体管作为包括在电路中的晶体管（特别地，例如电平移位电路），其需要耐压。此外，优选使用与具有氧化物半导体的晶体管作为包含在电路中的晶体管（特别是诸如缓冲电路和触发器）的晶体管相比能够高速工作的晶体管（例如硅晶体管）开关电路），与电平移位电路相比不需要高耐压。

52. 发明专利

JP2015177347A レベルシフト回路审中-公开
标题翻译：水平移位电路
公开(公告)号：JP2015177347A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014052286
申请日：2014-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：串山夏樹
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K17/687 , H03K19/0185
CPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/017
摘要：【課題】トレラント機能を維持しつつ高速動作させることができる。【解決手段】実施形態のレベルシフト回路は、第1及び第2の電源ラインに接続されて入力信号を取り込む入力回路と、第1の電源ラインと第3の電源ラインとの間に並列接続される第1及び第2の信号経路と、入力信号に基づいて第1及び第2の信号経路の導通をそれぞれ制御する第1及び第2のスイッチ素子と、第1及び第2の信号経路上に、第3の電源ラインに向かって配置される第1及び第2のダイオード及びクロスカップル回路と、第3及び第4の電源ラインに接続されて、第1のダイオードの一端の第1のノードに現れる信号及び第2のダイオードの一端の第2のノードに現れる信号の少なくとも一方に基づく出力信号を出力する出力回路とを具備する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在保持宽容功能的同时进行高速运行。解决方案：电平移位电路包括：输入电路，连接到第一和第二电源线并接收输入信号; 在第一电源线和第三电源线之间并联连接的第一和第二信号路径; 第一和第二开关元件，分别基于输入信号来控制第一和第二信号路径的导通; 第一和第二二极管和交叉耦合电路，其被布置成朝向第一和第二信号路径上的第三电源线; 以及输出电路，其连接到第三和第四电源线，并且基于出现在第一二极管的一端处的第一节点中出现的信号或出现在第一节点的第二节点中的信号中的至少一个而输出输出信号第二个二极管。

53. 发明专利

JP5780178B2 高周波スイッチモジュール有权
公开(公告)号：JP5780178B2
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：JP2012037928
申请日：2012-02-23
申请人：日立金属株式会社
发明人：和智勇介 , 川本高司 , 杉山雄太
IPC分类号： H04B1/40 , H03K17/06 , H03K19/0185 , H03K17/693

54. 发明专利

JP5753931B2 半導体装置及び電子機器有权
公开(公告)号：JP5753931B2
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：JP2014120102
申请日：2014-06-11
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：木村肇
IPC分类号： H03K17/687 , H03K19/0185 , H03K17/14
CPC分类号： H01L27/1255 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G11C19/28 , H01L27/0629 , H01L27/124 , H03K19/01728 , H03K19/018521 , Y10T307/74 , Y10T307/747

55. 发明专利

JP5690469B2 差動増幅器、基準電圧発生回路、差動増幅方法及び基準電圧発生方法有权
标题翻译：差分放大器，一个参考电压产生电路，差分放大的方法和参考电压产生方法
公开(公告)号：JP5690469B2
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：JP2008219745
申请日：2008-08-28
申请人：ピーエスフォールクスコエスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. , ピーエスフォールクスコエスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l.
发明人：昭井出 , 昭井出
IPC分类号： H03F3/45 , H03F3/34 , H03K19/0185
CPC分类号： H03F3/45183 , H03F3/4565 , H03F2203/45416 , H03F2203/45521 , H03F2203/45646 , H03F2203/45648 , H03F2203/45674

56. 发明专利

JP5677129B2 信号伝達回路及びこれを用いたスイッチ駆動装置有权
标题翻译：信号传输电路和使用其的开关驱动装置
公开(公告)号：JP5677129B2
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：JP2011035997
申请日：2011-02-22
申请人：ローム株式会社
发明人：祐司石松 , 祐司石松
IPC分类号： H03K19/0185 , H02M1/08 , H03K17/687
CPC分类号： H03K19/018521 , H03K17/0822 , H03K19/00315 , H03K2017/0806

57. 发明专利

JP2015033248A 半導体駆動装置及び半導体装置有权
标题翻译：半导体驱动器件和半导体器件
公开(公告)号：JP2015033248A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013162248
申请日：2013-08-05
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： IMANISHI MOTONORI , SAKAI KENJI , NAKAJIMA TANKI
IPC分类号： H02M1/08 , H02M7/48 , H03K19/0185
CPC分类号： H02H9/04 , H02H7/1227
摘要：【課題】例えばDラッチ回路などを含むレベルシフト回路において、負サージの悪影響を抑制可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体駆動装置は、負サージ検出回路32と、レベルシフト回路31とを備える。負サージ検出回路32は、P側SW素子1aとN側SW素子1bとの接続点1cにおいて負サージが発生したか否かを検出する。レベルシフト回路31は、負サージ検出回路32で負サージの発生が検出された場合に、P側SW素子1aの駆動に用いられている駆動電圧を保持する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制包括例如D锁存电路的电平移位电路中的负载浪涌的不利影响的技术。解决方案：半导体驱动装置包括负浪涌检测电路32和电平负浪涌检测电路32检测在P侧SW元件1a和N侧SW元件1b之间的连接点1c处是否产生负浪涌。当由负浪涌检测电路32检测到负浪涌的产生时，电平移位电路31保持用于驱动P侧SW元件1a的驱动电压。

58. 发明专利

JP5664473B2 回路装置及び電子機器有权
公开(公告)号：JP5664473B2
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：JP2011134678
申请日：2011-06-17
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：範和塚原 , 範和塚原 , 山田　敦史 , 敦史山田 , 桑野　俊一 , 俊一桑野 , 康宏 ▲高▼橋 , 康宏 ▲高▼橋 , 佐藤　比佐夫 , 比佐夫佐藤
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/0175

59. 发明专利

JP2015019389A 半導体装置及び電子機器有权
标题翻译：半导体器件和电子设备
公开(公告)号：JP2015019389A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2014171286
申请日：2014-08-26
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： KOYAMA JUN , ASAMI MUNEHIRO , SHIONOIRI YUTAKA , ATAMI TOMOAKI
IPC分类号： G09G3/36 , H03K19/0185 , G09G3/20 , G09G3/32 , H01L51/50
CPC分类号： H03K19/018578 , G09G3/3208 , G09G3/3225 , G09G3/3685 , G09G2310/0289 , G09G2310/0291
摘要：【課題】駆動回路の低駆動電圧化に対応し、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも十分な振幅変換能力を有するレベルシフタを提供する。【解決手段】信号の電圧振幅の変換部分に、カレントミラー回路150および差動回路160を利用したレベルシフタを用いる。トランジスタ105、106を介して差動回路160に入力された信号の電位差を増幅して出力するため、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも、トランジスタのしきい値の影響を受けることなく、正常な電圧振幅の変換を可能とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：即使在输入信号的电压幅度低的同时也提供具有足够的幅度转换能力的电平移位器，同时对应于驱动电路的降低的驱动电压。解决方案：使用电流镜电路150的电平移位器和差分电路160用于信号的电压幅度的转换部分。由于通过晶体管105和106输入到差分电路160的信号的电位差被放大和输出，所以即使在输入的电压幅度时也可以进行正常的电压振幅转换而不受晶体管的阈值的影响信号低。

60. 发明专利

JP2015012351A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015012351A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2013134496
申请日：2013-06-27
申请人：マイクロンテクノロジー, インク. , Micron Technology Inc , マイクロンテクノロジー, インク.
发明人： NAKAMURA KOHEI
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K19/0948
CPC分类号： G11C7/1039 , G11C5/147 , G11C7/106 , G11C7/1063 , G11C7/1066 , G11C7/1084 , G11C7/1087 , G11C7/1093 , G11C7/222 , G11C11/4074 , G11C11/4076 , G11C11/4093
摘要：【課題】入力信号と出力信号のデューティ比の差が小さいレベルシフト回路を提供する。【解決手段】外部電圧VDDによって動作し、振幅が内部電圧VPERIである第1の信号を受けるノードT1及びその反転信号を受けるノードT2Aによって制御され、ノードT3に第2の信号を出力するレベル変換部110と、内部電圧VPERIによって動作し、第1の信号を遅延した第3の信号をノードT3Aに出力する遅延回路130,150と、外部電圧VDDによって動作し、ノードT3にゲート電極が接続されたトランジスタMP21及びノードT3Aにゲート電極が接続されたトランジスタMN22が直列に接続されてなる出力回路140Bと、を備える。本発明によれば、入力信号Inと出力信号Outのデューティ比の差を縮小することが可能となる。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在输入信号和输出信号之间具有小的占空比差异的电平移位电路。解决方案：一种半导体器件包括：电平转换部分110，其工作在外部电压VDD上，由节点T1接收振幅为内部电压VPERI的第一信号，接收到其反相信号的节点T2A向节点T3输出第二信号; 在内部电压VPERI上工作的延迟电路130,150，以将从第一信号延迟的第三信号输出到节点T3A; 以及在外部电压VDD上工作并包括晶体管MP21与连接到节点T3的栅电极的串联连接的输出电路140B和具有连接到节点T3A的栅电极的晶体管MN22。根据本发明，可以在输入信号In和输出信号Out之间减小占空比的差异。

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