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2. 发明专利

JP2018109968A ニューラルネットワークを利用したデータ処理装置、電子部品、および電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2018109968A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2017244583
申请日：2017-12-21
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：池田隆之
IPC分类号： G06N3/063 , G06G7/60
CPC分类号： G06N3/0635 , G06N3/04 , G06N3/0454 , G06N3/084 , H01L21/8258 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L29/7869 , H05K1/181
摘要：【課題】チップ面積の増大を低減することができるニューラルネットワークを利用したデータ処理装置を提供すること。【解決手段】オフ電流が極めて小さい酸化物半導体を有するトランジスタを用いて積和演算回路を構成する。隠れ層が有する積和演算回路同士で入出力される信号は、コンパレータを介して行う構成とする。コンパレータの出力は、次段にある隠れ層の入力信号となるデジタル信号に用いる。デジタル回路とアナログ回路とを組み合わせて、アナログデジタル変換回路またはデジタルアナログ変換回路といったチップ上の占有面積の大きい回路を削減することができる。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6229032B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6229032B2
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：JP2016203272
申请日：2016-10-17
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：小山潤
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H03K3/356 , H01L29/786
CPC分类号： H03K3/012 , G11C5/147 , G11C8/04 , H01L21/8258 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L27/1225 , H01L29/045 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H03K19/0008 , H03K3/0372 , H03K3/0375 , H01L21/823412

6. 发明专利

JPWO2016116998A1 半導体装置及びその製造方法、電力変換装置、３相モータシステム、自動車、並びに鉄道車両有权
公开(公告)号：JPWO2016116998A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016570217
申请日：2015-01-19
申请人：株式会社日立製作所
发明人：直樹手賀 , 直樹手賀 , 渡辺　直樹 , 直樹渡辺 , 慎太郎佐藤 , 慎太郎佐藤
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/12 , H02M7/48
CPC分类号： H01L29/66893 , H01L21/8258 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/66045 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7825
摘要：本発明は、高性能で、かつ、信頼性の高いパワー半導体装置を提供することを目的とする。本発明の半導体装置は、第1導電型の半導体基板と、半導体基板の裏面側に形成されているドレイン電極と、半導体基板上に形成されている第1導電型のドリフト層と、第1導電型のソース領域と、ドリフト層と電気的に接続している第1導電型の電流拡散層と、ソース領域と電流拡散層とに接している、第1導電型とは反対の第2導電型のボディ層と、ソース領域と、ボディ層と、電流拡散層と、に延在し、ボディ層よりも浅く、底面がボディ層に接しているトレンチと、トレンチの内壁に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極と、電流拡散層とゲート電極の間に形成されているゲート絶縁膜保護層層と、を有する。

7. 发明专利

JP2017108180A 半導体装置有权
公开(公告)号：JP2017108180A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2017044146
申请日：2017-03-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 今井馨太郎 , 小山潤
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/786 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L21/336 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/423 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L27/10802 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C16/02 , H01L21/8258 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L27/1156 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L29/7869 , H01L27/0922
摘要：【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタと、酸化物半導体以外の半導体材料を用いて構成された論理回路と、を有し、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、前記論理回路の少なくとも一の入力とは電気的に接続され、前記トランジスタを介して、前記論理回路に少なくとも一の入力信号が供給される半導体装置である。ここで、トランジスタのオフ電流は1×10 −13 A以下であるのが望ましい。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6143598B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6143598B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2013160783
申请日：2013-08-01
申请人：株式会社東芝
发明人：蔵口雅彦
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/267 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L29/1087 , H01L29/4175 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/8258 , H01L27/0617 , H01L27/1203 , H01L29/0623 , H01L29/2003 , H01L29/808

9. 发明专利

JP2017504951A プレーナ型異種デバイス有权
标题翻译：平面异构设备
公开(公告)号：JP2017504951A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2016526310
申请日：2013-12-18
申请人：インテル・コーポレーション
发明人：ジュン、キミン , モロー、パトリック
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/12
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L21/02524 , H01L21/02538 , H01L21/02551 , H01L21/76283 , H01L21/823412 , H01L21/8258 , H01L27/0922 , H01L27/1207 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/22 , H01L29/267 , H01L29/78
摘要：一実施形態において、第2の半導体層は、第1の半導体層の上に(例えば、複数の層転写技術を用いて)転写される。第2の層は、複数の所望のウェル内にパターニングされる。複数のウェルの間に、第1の層が露出する。S1及びS2の両方を含むプレーナ型異種基板を完成させるべく、露出された第1の層は転写された第2の層のレベルまでエピタキシャルに成長させられる。複数の異種材料は、例えば、III−V族又はIV族材料のうち1つから形成されたPチャネルデバイスが、III−V族又はIV族材料のうち1つから形成されたNチャネルデバイスと同一平面を成すように利用され得る。実施形態は、第1の層の上に転写されようとしている第2の層により、格子パラメータの適合を必要としない。また、バッファ及び/又はヘテロエピタキシーは存在しない(又はほとんど存在しない)。他の複数の実施形態は本明細書で説明される。
摘要翻译：在一个实施例中，第二半导体层，所述第一半导体层上（例如，通过使用多个的层转移技术）转移。第二层中的多个所希望的孔的图案化。多个孔之间，所述第一层被暴露。为了完成含有S1和S2，其被暴露外延生长到已传送的第二层的电平的第一层平面异质衬底。多个不同的材料，例如，从一个形成在相同的P沟道器件是从III-V族或IV族材料的III-V族或IV族材料中的一种形成的N沟道器件它可以被用于形成一个平面。实施例中，第二层是约在第一层被转移，并且不需要的晶格参数的自适应。的缓冲液和/或异质外延不存在（或几乎没有任何）。本文描述的其他多个实施方案中。

10. 发明专利

JP5950983B2 共通基板上にカラムIII−VトランジスタとともにシリコンCMOSトランジスタを有する半導体構造有权
标题翻译：具有与列III-V晶体管的硅CMOS晶体管的半导体结构在公共衬底上
公开(公告)号：JP5950983B2
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：JP2014237805
申请日：2014-11-25
申请人：レイセオンカンパニー
发明人：ホーク,ウィリアム・イー , ラロシュ,ジェフリー・アール
IPC分类号： H01L27/092 , H01L27/08 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/095 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/76 , H01L21/762 , H01L21/764 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L27/1207 , H01L21/76251 , H01L21/8258 , H01L29/045 , H01L29/267

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