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1. 发明专利

JP2021175124A 半導体集積回路及び半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021175124A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020079147
申请日：2020-04-28
申请人：キオクシア株式会社
发明人：清水優 , 井上諭 , 藤沢公 , 高田由美
IPC分类号： H03K19/0185 , H03F3/45 , H03F1/44 , G11C7/10 , G11C16/10 , H03K19/0175
摘要：【課題】一つの実施形態は、データ信号を入力回路から後段の回路へ適切に転送できる半導体集積回路及び半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】一つの実施形態によれば、入力回路を有する半導体集積回路が提供される。入力回路は、第1のアンプと第2のアンプとを有する。第2のアンプは、第1のアンプに電気的に接続されている。第2のアンプは、第1のトランジスタと第2のトランジスタと第3のトランジスタと第4のトランジスタと時定数付加回路とを有する。第1のトランジスタは、ゲートが第1のアンプの第1のノードに電気的に接続されている。第2のトランジスタは、ゲートが第1のアンプの第2のノードに電気的に接続されている。第3のトランジスタは、第1のトランジスタのドレイン側に配されている。第4のトランジスタは、第2のトランジスタのドレイン側に配されている。時定数付加回路は、第3のトランジスタのゲートと第3のトランジスタのドレイン及び第4のトランジスタのゲートとの間に電気的に接続されている。【選択図】図5

2. 发明专利

JP6952619B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6952619B2
公开(公告)日：2021-10-20
申请号：JP2018028609
申请日：2018-02-21
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：樫原洋次 , 武田晃一
IPC分类号： H03K19/0185

3. 发明专利

JPWO2019244230A1 半導体集積回路装置およびレベルシフタ回路审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019244230A1
公开(公告)日：2021-07-08
申请号：JP2018023232
申请日：2018-06-19
申请人：株式会社ソシオネクスト
发明人：飯田真久 , 祇園雅弘
IPC分类号： H03K19/0185
摘要：半導体集積回路装置(100)は、第1電源(VDD1)と出力端子(1)の間に設けられた第1及び第2トランジスタ(11,12)と、第1電源(VDD1)から第2電源(VBIAS)を生成する降圧回路と、第2電源(VBIAS)と第3電源(VDD3)のうちの高い電位を第4電源(VINT)として出力する電源スイッチ回路(3)と、第1電源(VDD1)と第4電源(VINT)の間で遷移するレベルシフタ回路(4)とを備える。第1トランジスタ(11)のゲートには、レベルシフタ回路(4)の出力が接続され、第2トランジスタ(12)のゲートには、第4電源(VINT)が接続されている。

4. 发明专利

JP2021093585A レベルシフタ回路审中-公开
公开(公告)号：JP2021093585A
公开(公告)日：2021-06-17
申请号：JP2019221960
申请日：2019-12-09
申请人：ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
发明人：神宮宜克
IPC分类号： G09G3/20 , H03K19/0185
摘要：【課題】高周波数の入力信号の電圧を変化させて出力するレベルシフタ回路を提供する。【解決手段】第1電位レベルと第1基準電位レベルとの間のレベルを有する入力信号が入力される第1入力端子及び第2入力端子と、前記第1電位レベルより高い第2電位レベルと第2基準電位レベルとの間のレベルを有する出力信号が出力される第1出力端子及び第2出力端子と、前記第2電位レベルの電圧を供給する第2電位供給ノードと、前記第2基準電位レベルの電圧を供給する基準電位供給ノードと、第1及び第2インピーダンス素子と、第1〜4トランジスタと、第1及び第2ノードと、を備えており、前記第1インピーダンス素子及び第2インピーダンス素子のそれぞれが、少なくとも3つの端子を有している、レベルシフタ回路を提供する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6871519B2 半導体集積回路有权
公开(公告)号：JP6871519B2
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：JP2018512797
申请日：2017-02-20
申请人：株式会社ソシオネクスト
发明人：飯田真久
IPC分类号： H03K17/693 , H03K17/16 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03K19/0185

6. 发明专利

KR102237733B1 KR102237733B1 - Buffer circuit robust to variation of reference voltage signal 有权
公开(公告)号：KR102237733B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020140173680A
申请日：2014-12-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 엄윤주 , 배승준 , 문대식 , 박준영 , 안민수
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 버퍼 회로는 제1 차동 증폭기, 제2 차동 증폭기, 제3 차동 증폭기 및 혼합기를 포함한다. 제1 차동 증폭기는 입력 신호 및 기준 전압 신호에 기초하여 양성 차동 신호 및 음성 차동 신호를 생성한다. 제2 차동 증폭기는 양성 차동 신호 및 음성 차동 신호에 기초하여 제1 신호를 생성한다. 제3 차동 증폭기는 양성 차동 신호 및 음성 차동 신호에 기초하여 제1 신호와 위상이 상이한 제2 신호를 생성한다. 혼합기는 제1 신호와 제2 신호를 혼합한 신호를 출력 신호로서 출력한다.

7. 发明专利

KR20210034305A KR20210034305A - Capacitive coupled level shifter performing periodic refresh operation for conditional switching signals and opertiond method thereof 审中-公开
公开(公告)号：KR20210034305A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR1020190116075A
申请日：2019-09-20
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김철우 , 맹준영 , 박인호 , 전진우
IPC分类号： H03K19/0185 , G05F1/56 , H03K17/22
CPC分类号： H03K19/018521 , G05F1/56 , H03K17/223
摘要： 본 출원의 일 실시예에 따르는 용량성 결합 레벨 시프터는 복수의 커패시터들이 각각 결합된 복수의 전압 트랜지스터들을 이용하여, 공급전압과 상기 공급전압의 두배 크기의 더블전압 중 하나의 전압을 제공하는 전압제공부, 상기 하나의 전압을 출력전압으로 NMOS 스위치에 전달하는 전압전달부 및 상기 출력전압의 레벨에 따라 기설정된 주기적인 리프레시 동작에 기초하여, 상기 복수의 커패시터들 중 적어도 둘의 커패시터에 대한 리프레시 동작을 순차적으로 수행시키는 리프레시 지원부를 포함한다.

8. 发明专利

JP6845375B2 電位変換回路及び表示パネル有权
公开(公告)号：JP6845375B2
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2020509512
申请日：2017-11-08
申请人：深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司
发明人：張先明
IPC分类号： G09G3/20 , H03K19/096 , H03K19/0185

9. 发明专利

JP6843799B2 半導体装置及び電力変換システム有权
公开(公告)号：JP6843799B2
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2018110888
申请日：2018-06-11
申请人：三菱電機株式会社
发明人：今西元紀
IPC分类号： H01L27/04 , H02M1/08 , H01L29/06 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H03K19/0185 , H01L21/822

10. 发明专利

JP6819739B2 レベルシフト回路有权
公开(公告)号：JP6819739B2
公开(公告)日：2021-01-27
申请号：JP2019140776
申请日：2019-07-31
申请人：富士電機株式会社
发明人：赤羽正志
IPC分类号： H03K19/0185

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