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1. 发明专利

JP2018160855A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018160855A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2017058094
申请日：2017-03-23
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：長沢弘憲
IPC分类号： H03K17/16 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03K17/687
CPC分类号： H03H11/26 , H01L27/0629 , H01L27/105 , H01L29/0847 , H03K17/162 , H03K17/56 , H03K2217/0054
摘要：【課題】同時に駆動されるMOSトランジスタ間のオン抵抗差を抑えつつ、クロストークも抑えることができる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、入力端子に接続された第1ドレインと、出力端子に接続された第1ソースと、第1ゲート絶縁膜と、第1ゲートを有するNチャネル型の第1MOSトランジスタと、入力端子に第1ドレインと並列に接続された第2ドレインと、出力端子に第1ソースと並列に接続された第2ソースと、第1ゲート絶縁膜の面積よりも大きな面積を有する第2ゲート絶縁膜と、第2ゲートを有するPチャネル型の第2MOSトランジスタと、制御端子に第1ゲートと並列に接続されたインバータと、インバータと第2ゲートとの間に設けられた遅延回路と、を備える。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018516504A 集積回路における充電/放電スイッチを実現するための回路、および集積回路における充電/放電スイッチを実現する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018516504A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2017555316
申请日：2016-03-22
申请人：ザイリンクスインコーポレイテッド , XILINX INCORPORATED
发明人：シカル, イオヌットシー. , ジェニングス, ジョンケー.
IPC分类号： H02J7/00 , H01L21/822 , H01L27/04 , H03L7/089
CPC分类号： H02J7/34 , H02J7/0016 , H02J7/0072 , H02J7/345 , H03K4/502 , H03K7/08 , H03K17/163 , H03K17/56 , H03L7/0893
摘要：集積回路における充電/放電スイッチを実現するための回路が説明される。回路は、第1のノード(204)に結合された供給バイアス経路(203)であって、第1のノードに充電バイアス電流を提供する供給バイアス経路(203)と、第1のノードとコンデンサ(202)の第1の端子(212)の間に接続された充電トランジスタ(206)と、第1のノードと接地電位(GND)の間に結合された充電スイッチ(250)であって、第1のノードを介したコンデンサの充電をイネーブルする充電スイッチ(250)と、コンデンサの第1の端子と第2のノードの間に接続された放電トランジスタ(231)と、第2のノード(236)と基準電圧の間に結合された放電スイッチ(270)であって、第2のノードを介したコンデンサの放電をイネーブルする放電スイッチ(270)と、第2のノードと接地の間に結合された接地バイアス経路(232)であって、第2のノードに放電バイアス電流を提供する接地バイアス経路(232)とを備える。また、集積回路における充電/放電スイッチを実現する方法が同じく説明される。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2017201866A パワーデバイス制御システム有权
公开(公告)号：JP2017201866A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：JP2016242642
申请日：2016-12-14
申请人：エルエス産電株式会社 , LSIS CO.,LTD.
发明人：スン−ヒ・カン , キョン−フン・ナム , キュ−スン・ペ
IPC分类号： H02M1/08
CPC分类号： H03K17/56 , H02J3/36 , Y02E60/60
摘要：【課題】HVDC、インバーターまたはESSなどのシステムに備えられるパワーデバイスに対して二重化制御を行うことによって、結果的に全体システムの信頼度を向上させられるためのパワーデバイス制御システムを提供する。【解決手段】本発明は、一つ以上のパワー素子;信号ラインを通じて上記パワー素子に対する駆動信号を提供し、第1無線モジュールを備える一つ以上の駆動モジュール;及び信号ラインを通じて上記駆動モジュールに対する制御信号を提供し、上記第1無線モジュールと対応される第2無線モジュールを備える上位制御部;を含むが、上記駆動モジュールの各々は上記第1無線モジュールを通じて上記パワー素子及び上記駆動モジュールの状態情報を上記第2無線モジュールに伝送し、上記上位制御部は、上記第2無線モジュールを通じて上記状態情報に対応される制御信号を上記第1無線モジュールに伝送するパワーデバイス制御システムを提供する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2016059036A 短絡保護用の回路、システム、及び方法审中-公开
标题翻译：短路保护电路，系统和方法
公开(公告)号：JP2016059036A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2015144795
申请日：2015-07-22
申请人：アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド
发明人：ビン・ツァン
IPC分类号： H03K17/16
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L27/0251 , H02H3/08 , G11C5/06 , H01L2924/00 , H02H9/02 , H02H9/025 , H03K17/56 , H03K17/567
摘要：【課題】絶縁ゲートバイポーラトランジスタを短絡イベントから保護するためのシステム、回路及び方法を提供する。【解決手段】スイッチ、抵抗、コンデンサー及びオプションとしての電流バッファを備える短絡保護回路804は、短絡イベントの検出に応答して絶縁ゲートバイポーラトランジスタQ1に強いプルダウンを提供し、その後、ターンオフ電流が減少する速さを制御し、これによって、絶縁ゲートバイポーラトランジスタQ1のピーク電圧を最小にする。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供用于保护绝缘栅双极晶体管免于短路事件的系统，电路和方法。解决方案：包括开关，电阻器，电容器和可选的电流缓冲器的短路保护电路804 响应于检测到短路事件而向绝缘栅双极晶体管Q1提供强大的下拉，然后控制关断电流降低的速率，从而使绝缘栅双极晶体管Q1的峰值电压最小化图8

5. 发明专利

JP5800113B2 高周波モジュール部品有权
标题翻译：高频模块部件
公开(公告)号：JP5800113B2
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：JP2015519732
申请日：2014-04-09
申请人：株式会社村田製作所
发明人：菊池謙一郎
IPC分类号： H04B1/38 , H03H7/46
CPC分类号： H03H7/46 , H01L23/552 , H01L23/66 , H03F3/19 , H03H11/04 , H03H7/0138 , H03H7/0161 , H03H7/463 , H03K17/56 , H01L2223/6655 , H01L2223/6677 , H01L2924/14 , H01L2924/1421 , H01L2924/14215 , H01L2924/15313 , H01L2924/16251 , H01L2924/3025 , H03F2200/451 , H03H2001/0085

6. 发明专利

JP5776843B2 複合半導体スイッチ装置有权
标题翻译：复合半导体开关装置
公开(公告)号：JP5776843B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2014508921
申请日：2012-04-06
申请人：三菱電機株式会社
发明人：石川純一郎
IPC分类号： H03K17/00 , H02M1/08 , H02M3/155 , H03K17/687
CPC分类号： H03K17/56 , H02M1/08 , H02M1/088 , H03K17/164 , H02M2001/0054 , H03K2217/0036 , H03K2217/0054 , Y02B70/1491

7. 发明专利

JPWO2013098900A1 レベルシフタ、インバータ回路及びシフトレジスタ有权
标题翻译：电平移位器，逆变器电路和移位寄存器
公开(公告)号：JPWO2013098900A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2012532804
申请日：2011-12-28
申请人：パナソニック株式会社
发明人：雅史松井 , 雅史松井
IPC分类号： H03K19/0185 , G11C19/00 , G11C19/28 , H03K19/0944
CPC分类号： H03K17/56 , G11C19/00 , G11C19/184 , G11C19/28 , H03K19/017509 , H03K19/018507 , H03K19/20
摘要：専用電源を必要とせず、かつ、トランジスタがデプレッション特性であっても昇圧特性の劣化を抑制できるレベルシフタを提供する。本発明のレベルシフタ(1)は、入力電圧が印加される入力端子と、コンデンサ(13)と、入力端子とコンデンサ(13)の一方の電極との間に配置されゲート電極がコンデンサ(13)の他方の電極に接続された第1トランジスタ(11)と、入力端子とコンデンサ(13)の他方の電極との間に配置された第2トランジスタ(12)と、入力端子に入力電圧が入力されている期間に、第2トランジスタ(12)を導通状態から非導通状態へと切り換える信号を生成して当該信号を第2トランジスタ(12)のゲート電極に供給する信号生成部(20)と、上記期間中に第2トランジスタ(12)が非導通状態となることにより変換されたコンデンサ(13)の他方の電極の電圧を出力電圧として出力する出力端子とを備える。
摘要翻译：而不需要专用的电源，并提供了一个电平转换器的晶体管可以抑制恶化甚至上升特性耗尽特性。本发明的电平移位器（1）包括：被施加的输入电压的输入端，一个电容器（13），设置在所述输入端子中的一个电极与电容器的电容器（13）（13）之间的栅电极第一晶体管（11）连接到另一个电极，以及布置在所述输入端子中的另一个电极和所述电容器（13）（12）之间的第二晶体管，所述输入电压被输入到输入端子期间在其中有被提供的信号发生器来的信号的栅电极，以产生一个信号，用以从导通状态切换所述第二晶体管（12）到非导通状态的第二晶体管（12）和（20）的期间，该期间介质两第二晶体管（12）蛾非导通状态资本不同Niyori转化另一个电容器（13）安装在其他场电极场电压WO输出电压Toshite输出到输出端子门WO装备。

8. 发明专利

JP5644943B2 半導体モジュール、上下アームキットおよび３レベルインバータ有权
标题翻译：半导体模块中，上臂和下臂的试剂盒和3电平逆变器
公开(公告)号：JP5644943B2
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：JP2013519503
申请日：2012-06-06
申请人：富士電機株式会社
发明人：省吾小川 , 省吾小川
IPC分类号： H02M7/483 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48
CPC分类号： H02M7/537 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L29/7393 , H01L29/861 , H01L2224/0603 , H01L2224/48139 , H01L2224/49111 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H02M7/003 , H02M7/487 , H02M7/5387 , H03K17/56 , H01L2924/00

9. 发明专利

JP5565267B2 Selector circuit, processor system 有权
公开(公告)号：JP5565267B2
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：JP2010238521
申请日：2010-10-25
申请人：富士通株式会社
发明人：智浩田中
IPC分类号： H03K17/693 , H03K17/04 , H03K19/017 , H03K19/096
CPC分类号： G11C8/08 , G11C8/10 , H03K17/56 , H03K17/693 , H03K19/096 , H03K19/0963

10. 发明专利

JPWO2012153458A1 制御装置有权
公开(公告)号：JPWO2012153458A1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：JP2013513907
申请日：2012-04-06
申请人：富士電機株式会社
发明人：和美高際 , 和美高際
IPC分类号： H03K17/00 , G01R31/26 , G01R31/28 , H03K17/08 , H03K17/687
CPC分类号： H03K17/56 , G01R19/0092 , G01R31/2607 , H03K17/166 , H03K17/167 , H03K17/168 , H03K2217/0027
摘要：本発明は、スイッチング素子を駆動制御するトランジスタの出力電流の測定を、評価ボードを改良せずに、既存のICテスタを使用して精度良く測定可能な装置を提供する。本発明の一態様は、駆動回路(50)と、スイッチング素子(Q6)の駆動制御を行う複数のトランジスタ(61)〜(65)と、トランジスタ動作制御部(70)とを備える。スイッチング素子(Q6)をターンオフさせるトランジスタは、複数のトランジスタ(64)、(65)からなる。トランジスタ動作制御部(70)は、通常動作のときには、駆動回路(50)から出力される同一の駆動信号(S4)で2つのトランジスタ(64)、(65)を同時または一括してオンオフ制御する。試験動作時には、トランジスタ(64)、(65)のうちの1つを順に選択し、この選択されたトランジスタに同一の駆動信号(S4)を供給して、トランジスタ(64)、(65)を個別に駆動する。

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