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1. 发明专利

JP6894978B2 スイッチング素子制御回路及びパワーモジュール有权
公开(公告)号：JP6894978B2
公开(公告)日：2021-06-30
申请号：JP2019542946
申请日：2017-09-25
申请人：新電元工業株式会社
发明人：鈴木健一 , 宮澤亘
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/14 , H02M1/08

2. 发明专利

JPWO2019058490A1 スイッチング素子制御回路及びパワーモジュール审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019058490A1
公开(公告)日：2020-11-12
申请号：JP2017034179
申请日：2017-09-21
申请人：新電元工業株式会社
发明人：鈴木健一 , 宮澤亘
IPC分类号： H03K17/14 , H03K17/04 , H03K17/687 , H02M1/08
摘要：本発明のスイッチング素子制御回路100は、第3電極電圧を制御する第3電極電圧制御部10と、スイッチング素子の動作温度を検出する温度検出部20と、初期閾値電圧、及び、初期閾値電圧を測定したときの初期温度、並びに、閾値電圧の温度特性を記憶する記憶部30と、スイッチング素子の動作温度、初期閾値電圧、及び、初期閾値電圧を測定したときの初期温度を含む情報、並びに、閾値電圧の温度特性に関する情報に基づいてスイッチング素子の動作時の閾値電圧を算出する閾値電圧算出部とを備え、第3電極電圧制御部は、閾値電圧算出部によって算出された動作時の閾値電圧に基づいて第3電極電圧を制御することを特徴とする。本発明のスイッチング素子制御回路100によれば、動作時の閾値電圧が初期閾値電圧から変動する場合でも、スイッチング損失を小さくすることが可能となる。

3. 发明专利

JP6758029B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6758029B2
公开(公告)日：2020-09-23
申请号：JP2015137510
申请日：2015-07-09
申请人：ローム株式会社
发明人：野村尚弘 , 真鍋貴俊
IPC分类号： H03K17/14 , H03F1/30 , H03F3/45 , H03K5/08

4. 发明专利

JPWO2018070308A1 電力素子の駆動回路审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018070308A1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：JP2017036047
申请日：2017-10-03
申请人：富士電機株式会社
发明人：大橋英知
IPC分类号： H03K17/567 , H03K17/08 , H03K17/14 , H03K17/687 , H02M1/08
摘要： IGBTをオン・オフ駆動する駆動回路において、IGBTに過剰な電界を印加することなくIGBTを正バイアスすることができ、IGBTの短絡耐量を低減することのできる駆動回路を提供する。正の温度特性を有する半導体素子または定電圧源を間にして直列に接続された第1および第2の半導体スイッチ素子を備え、電源電圧と接地電位との間に設けられると共に、接地電位側に設けられた第2の半導体スイッチ素子と半導体素子または定電圧源との直列接続点をIGBTのゲートに接続した第1の直列回路を備える。更に直列に接続された第3および第4の半導体スイッチ素子からなり、第3および第4の半導体スイッチ素子の直列接続点をIGBTのエミッタに接続した第2の直列回路を備える。更に制御信号に応じて第1〜第4の半導体スイッチ素子のそれぞれを互いに関連させてオン・オフさせる制御回路を備える。

5. 发明专利

JPWO2018070307A1 電力素子の駆動回路审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018070307A1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：JP2017036046
申请日：2017-10-03
申请人：富士電機株式会社
发明人：大橋英知
IPC分类号： H03K17/14 , H03K17/567 , H02M1/08
摘要： IGBTのターン・オン時におけるスイッチング損失を低減する。IGBTのゲートに正バイアスまたは負バイアスを印加してIGBTをオン・オフ駆動する駆動回路であって、直列に接続されて電源端子と接地端子との間に設けられた第1および第2の半導体スイッチ素子を有し、その直列接続点をIGBTのゲートに接続した第1の直列回路と、ダイオードを間にして直列に接続されて電源端子と接地端子との間に設けられた第3および第4の半導体スイッチ素子を有し、第4の半導体スイッチ素子とダイオードとの直列接続点を前記IGBTのエミッタに接続した第2の直列回路と、制御信号に応じて第1〜第4の半導体スイッチ素子のそれぞれを互いに関連させてオン・オフさせる制御回路とを備える。

6. 发明专利

JP2019004109A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019004109A
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：JP2017119633
申请日：2017-06-19
申请人： HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD
发明人： WADA SHINICHIRO , IKEGAYA KATSUMI
IPC分类号： H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/088 , H03K17/14 , H03K17/687
摘要：【課題】出力MOSトランジスタとセンスMOSトランジスタの温度差に起因する電流検出精度の低下を抑制するとともに、センスMOSトランジスタの配置の制限を緩和する。【解決手段】半導体装置は、半導体チップに形成されたソース、ゲート、およびドレインを含む出力トランジスタ部を有し、外部負荷を駆動する電流を出力する出力MOSトランジスタと、前記半導体チップに形成されたソース、ゲート、およびドレインを含み、前記出力トランジスタ部の短手方向の幅と同じ幅のセンストランジスタ部を有し、前記出力MOSトランジスタから出力される前記電流を検出するためのセンスMOSトランジスタと、を有している。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2018082541A スイッチ回路及び電源装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018082541A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016222506
申请日：2016-11-15
申请人：株式会社オートネットワーク技術研究所 , 住友電装株式会社 , 住友電気工業株式会社
发明人：森岡秀夫 , 中村有延
IPC分类号： H02J1/00 , H02J7/00 , H03K17/14 , H02H5/04
CPC分类号： H02H5/04 , H02H7/20 , H02J1/00 , H02J7/00 , H03K17/14
摘要：【課題】任意の温度で作動する保護スイッチを備えたスイッチ回路及び電源装置を提供する。【解決手段】複数のバッテリを接続する電線に介装されるスイッチ回路は、バッテリ間の接続をオン又はオフする半導体スイッチと、半導体スイッチに並列に接続される保護スイッチとを含む。保護スイッチは、電線にそれぞれ接続された端子対と、熱膨張率が異なる複数の導電部材を貼り合わせた導電板とを有する。導電板は、半導体スイッチの温度上昇に伴って端子間を接続するように変形し、電源間の接続をオンする。【選択図】図2

8. 发明专利

JP2018050289A スイッチ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018050289A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2017169023
申请日：2017-09-01
申请人：旭化成エレクトロニクス株式会社
发明人：佐藤健一 , 伊藤淳郎
IPC分类号： H03K17/687 , H03K17/16 , H03K17/14
摘要：【課題】MOSFETのオン抵抗および接合容量の変動を低減させたスイッチ装置。【解決手段】第1端子および第2端子の間に接続され、ゲート端子に与えられるゲート電圧に応じて第1端子および第2端子の間を電気的に接続または切断するメインスイッチと、第1端子側の第1分圧抵抗および第2端子側の第2分圧抵抗を含む分圧器を有し、メインスイッチを接続状態とする場合に、第1端子の電圧および第2端子の電圧に応じた電圧を出力する電圧出力部と、メインスイッチの接続状態において、電圧出力部の出力電圧に追従する電圧を出力するバッファと、バッファの出力電圧に応じた第1電圧をゲート端子に供給し、前記バッファの出力電圧に応じた第2電圧をメインスイッチのバルク端子に供給するスイッチ制御回路と、を備えるスイッチ装置を提供する。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2017521989A スイッチから構成されるパワーモジュールの動作を制御するためのデバイスおよび方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017521989A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2017501423
申请日：2015-11-12
申请人：ミツビシ・エレクトリック・アールアンドディー・センター・ヨーロッパ・ビーヴィMitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V. , ミツビシ・エレクトリック・アールアンドディー・センター・ヨーロッパ・ビーヴィMitsubishi Electric R&D Centre Europe B.V.
发明人：エヴァンチュク、ジェフリー , モロヴ、ステファン
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/14
CPC分类号： H02M1/32 , H01L25/07 , H01L2924/0002 , H02M1/08 , H02M2001/0009 , H02M2001/327 , H03K3/011 , H03K17/0822 , H03K17/122 , H03K17/145 , H01L2924/00
摘要：本発明は、スイッチから構成されるパワーモジュールの動作を制御するためのデバイスに関し、各スイッチは並列に接続される複数のパワーダイから構成され、そのデバイスは、パワーモジュールのパワーダイごとに、パワーダイの温度を検知する温度センサと、パワーダイを通って流れる電流を検知する電流センサと、検知された電流が所定の電流閾値より高い場合には、パワーダイに与えられる信号をゲーティングするゲート遮断回路と、パワーダイの検知された温度が少なくとも1つのスイッチのパワーダイにわたる平均ダイ温度より高い場合には、ダイの導通時間を短縮するコントローラーと、を備えることを特徴とする。

10. 发明专利

JP2017005638A リニアソレノイド駆動装置审中-公开
标题翻译：线性电磁驱动器
公开(公告)号：JP2017005638A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015120719
申请日：2015-06-16
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：後藤敏夫
IPC分类号： H03K17/14 , F16K31/06 , H01F7/18 , H03K17/695
摘要：【課題】リニアソレノイド駆動装置においてリニアソレノイドを流れる電流を検出する構成において、電流検出精度を向上させることである。【解決手段】リニアソレノイド駆動装置は、リニアソレノイドのコイルの一端が正極側スイッチング素子を介して電源に接続され、コイルの他端が負極側スイッチング素子20を介してグランドに接続され、正極側スイッチング素子及び負極側スイッチング素子20の一方のスイッチング素子とコイルとに対し還流ダイオード40が並列に接続される。リニアソレノイド駆動装置は、一方のスイッチング素子の一部に配置された部分を電流モニタ部21として、電流モニタ部21に接続されコイルを流れる電流を検出する電流検出回路を含む。還流ダイオード40は、一方のスイッチング素子において電流モニタ部21が配置される部分の上側に縦積み構造で重ねられる。【選択図】図3A
摘要翻译：公开的是用于检测通过在所述线性电磁驱动装置的线性螺线管的电流流动的结构，它是提高电流检测精度。线性螺线管驱动器，线性电磁线圈的一端连接到通过正侧的电源开关元件，其中所述线圈的另一端通过负极侧开关元件20连接于接地，正侧开关续流二极管40并联连接到一个开关元件和该装置的线圈和负开关元件20。线性螺线管驱动器，作为一个电流监测部分21一个开关元件的配设部部分包括用于检测流过所述线圈的电流被连接到电流监测部分21的电流检测电路。回流二极管40被叠加在垂直堆叠结构在电流监视单元21被布置在开关元件中的一个的上部。点域3A

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