专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015033248A 半導体駆動装置及び半導体装置有权
标题翻译：半导体驱动器件和半导体器件
公开(公告)号：JP2015033248A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013162248
申请日：2013-08-05
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： IMANISHI MOTONORI , SAKAI KENJI , NAKAJIMA TANKI
IPC分类号： H02M1/08 , H02M7/48 , H03K19/0185
CPC分类号： H02H9/04 , H02H7/1227
摘要：【課題】例えばDラッチ回路などを含むレベルシフト回路において、負サージの悪影響を抑制可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体駆動装置は、負サージ検出回路32と、レベルシフト回路31とを備える。負サージ検出回路32は、P側SW素子1aとN側SW素子1bとの接続点1cにおいて負サージが発生したか否かを検出する。レベルシフト回路31は、負サージ検出回路32で負サージの発生が検出された場合に、P側SW素子1aの駆動に用いられている駆動電圧を保持する。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制包括例如D锁存电路的电平移位电路中的负载浪涌的不利影响的技术。解决方案：半导体驱动装置包括负浪涌检测电路32和电平负浪涌检测电路32检测在P侧SW元件1a和N侧SW元件1b之间的连接点1c处是否产生负浪涌。当由负浪涌检测电路32检测到负浪涌的产生时，电平移位电路31保持用于驱动P侧SW元件1a的驱动电压。

2. 发明专利

JP2014049959A Inverse level shift circuit 有权
标题翻译：反相电平转换电路
公开(公告)号：JP2014049959A
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：JP2012191906
申请日：2012-08-31
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： NAKAJIMA TANKI , IMANISHI MOTONORI , SAKAI KENJI
IPC分类号： H03K19/0185
CPC分类号： H03K17/063 , H03K2217/0063
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To implement a stable inverse level shift operation despite a fluctuation in a high side reference potential.SOLUTION: Transistors HVPMOS1, HVPMOS2 are driven by first and second driving signals generated with a high side reference potential used as a reference potential. Output signals of the transistors HVPMOS1, HVPMOS2 are voltage-converted to a low side to generate first and second main signals and first and second mask signals. A mask signal generation circuit 6 generates a third mask signal more sensitive to a fluctuation in the high-side reference potential than the first and second mask signals. A mask logic circuit 7 performs an AND operation on the first mask signal and the second mask signal to generate a fourth mask signal, and masks the first and second main signals with both the third mask signal and the fourth mask signal. An SR flip-flop circuit 10 generates an output signal from the first and second main signals thus masked.
摘要翻译：要解决的问题：尽管高侧参考电位波动，但是实现了稳定的反电平移位操作。解决方案：晶体管HVPMOS1，HVPMOS2由用作参考电位的高侧参考电位产生的第一和第二驱动信号驱动。晶体管HVPMOS1，HVPMOS2的输出信号被电压转换为低端，以产生第一和第二主信号以及第一和第二屏蔽信号。掩模信号发生电路6产生比第一和第二屏蔽信号对高侧参考电位的波动更敏感的第三屏蔽信号。掩模逻辑电路7对第一掩模信号和第二掩模信号执行“与”运算，以产生第四屏蔽信号，并利用第三屏蔽信号和第四屏蔽信号对第一和第二主信号进行掩蔽。 SR触发器电路10产生从被掩蔽的第一和第二主信号的输出信号。

3. 发明专利

JP2017093065A 半導体素子の駆動装置有权
公开(公告)号：JP2017093065A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015217440
申请日：2015-11-05
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： IMANISHI MOTONORI , SAKAI KENJI , NAKAJIMA TANKI
IPC分类号： H02M7/48 , H03K17/28
CPC分类号： H03K17/08116 , H03K17/18 , H03K17/567
摘要：【課題】識別信号とは独立してエラー保護動作を行うことができ、出力された識別信号によりエラーモードを識別することができる半導体素子の駆動回路を得る。【解決手段】半導体素子2a〜2fを駆動する駆動装置3a〜3fにおいて、識別信号生成回路11は、入力したエラー信号の種類に応じて異なる識別信号を生成する。保護動作信号生成回路14は、エラー信号と識別信号のうちで長い方のパルス幅を持つ保護動作信号を生成する。識別信号を入出力する識別信号端子と、保護動作信号を入出力する保護動作信号端子とが互いに分けて設けられている。保護回路18は、保護動作信号生成回路14が生成した自相の保護動作信号及び保護動作信号端子から入力した他相の保護動作信号に応じてエラー保護動作を行う。【選択図】図2

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式