专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

51. 发明专利

JPWO2013187076A1 半導体基板、半導体基板の製造方法および複合基板の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体衬底的复合衬底的半导体衬底，制造方法和制造方法
公开(公告)号：JPWO2013187076A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：JP2014520943
申请日：2013-06-14
申请人：住友化学株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人：剛規長田 , 剛規長田 , 高田　朋幸 , 朋幸高田 , 秦　雅彦 , 雅彦秦 , 哲二安田 , 哲二安田 , 辰郎前田 , 辰郎前田 , 太郎板谷 , 太郎板谷
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/02 , H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/306
CPC分类号： H01L29/267 , H01L21/02002 , H01L21/02395 , H01L21/02455 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/0262 , H01L21/2007 , H01L21/8258 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/778
摘要：半導体結晶層形成基板の上方に、犠牲層および半導体結晶層を有し、半導体結晶層形成基板、犠牲層および半導体結晶層が、半導体結晶層形成基板、犠牲層、半導体結晶層の順に位置する半導体基板であって、半導体結晶層形成基板の犠牲層側の界面から半導体結晶層の途中までの任意の断面位置に、半導体結晶層形成基板または犠牲層を構成する複数種類の原子から選択された一の種類の第1原子の拡散を抑制する拡散抑制層を有する半導体基板を提供する。
摘要翻译：半导体晶体层形成衬底上具有牺牲层和半导体晶体层，半导体半导体晶体层形成衬底，所述牺牲层和半导体晶体层，位于所述半导体晶体层的顺序形成衬底，所述牺牲层，所述半导体晶体层的基板，在半导体晶体层的半导体晶体层的中部形成基板的所述牺牲层侧之间的界面的任何横截面的位置，从多个构成半导体晶体层形成衬底或牺牲层的一个类型的原子的选择提供具有第一原子类型的半导体衬底抑制扩散抑制层扩散。

52. 发明专利

JP5848171B2 アクティブ発振防止付き複合半導体デバイス有权
标题翻译：与有源振荡防止复合半导体器件
公开(公告)号：JP5848171B2
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：JP2012059460
申请日：2012-03-15
申请人：インターナショナルレクティフィアーコーポレイション
发明人：ブラミアントニー , ジェイソンチャン
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/095
CPC分类号： H01L27/085 , H01L21/8236 , H01L21/8258 , H01L27/0883 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/78 , H03K17/107 , H03K17/168 , H03K17/567 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H03K17/302

53. 发明专利

JP2016001736A 半導体装置の作製方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016001736A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：JP2015102567
申请日：2015-05-20
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 田中哲弘 , 坂倉真之 , 徳丸亮 , 山根靖正 , 佐藤裕平
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/225 , H01L21/477 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L21/425 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02255 , H01L21/02565 , H01L21/441 , H01L21/465 , H01L21/477 , H01L21/8258 , H01L27/0688 , H01L27/088 , H01L29/401 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L27/1156
摘要：【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。【解決手段】基板上に設けられた第1のゲート電極上に第1の絶縁膜を450℃以上前記基板歪み点未満に加熱しながら形成し、第1の絶縁膜上に、第1の酸化物半導体膜を形成し、第1の酸化物半導体膜に酸素を添加した後第1の酸化物半導体膜上に第2の酸化物半導体膜を形成し加熱処理を行って、第1の酸化物半導体膜に含まれる酸素の一部を第2の酸化物半導体膜に移動させる。次に、第1の絶縁膜、酸素が添加された第1の酸化物半導体膜および第2の酸化物半導体膜のそれぞれ一部をエッチングしたのち、エッチングされた第2の酸化物半導体膜上に一対の電極を形成し、第3の酸化物半導体膜を形成する。次に、第3の酸化物半導体膜上に第2のゲート絶縁膜を形成し、第2のゲート絶縁膜上に第2のゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提高使用氧化物半导体的半导体器件中的电特性。解决方案：在制造半导体器件的方法中，在设置在衬底上的第一栅电极上形成第一绝缘膜，同时在450° C以上且小于衬底失真点时，在第一绝缘膜上形成第一氧化物半导体膜，在第一氧化物半导体膜上添加氧之后，在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜，热处理为并且将包含在第一氧化物半导体膜中的部分氧气移动到第二氧化物半导体膜。接下来，在制造半导体器件的方法中，在蚀刻第一绝缘膜之后，以及添加有氧的第一氧化物半导体膜和第二氧化物半导体膜中的每一个的一部分，在蚀刻的第一绝缘膜上形成一对电极第二氧化物半导体膜以形成第三氧化物半导体膜，然后在第二栅极绝缘膜上形成第二栅极绝缘膜，并在第三氧化物半导体膜上形成第二栅极绝缘膜。

54. 发明专利

JP5819739B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5819739B2
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：JP2012011623
申请日：2012-01-24
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：王丸拓郎
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L27/10 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , H03K19/0944 , H03K3/356
CPC分类号： G11C14/0018 , G11C14/00 , G11C14/0063 , G11C5/14 , H01L21/8258 , H01L27/0688 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , G11C11/34 , G11C11/41 , H01L29/788 , H01L29/792

55. 发明专利

JP2015195277A 半導体装置及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015195277A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2014072549
申请日：2014-03-31
申请人：株式会社東芝
发明人：前田雄也 , 中野慎太郎 , 斉藤信美 , 山口一
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78618 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/512 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L21/8258 , H01L27/0688
摘要：【課題】特性が安定した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、酸化物半導体トランジスタを含む。前記酸化物半導体トランジスタは、半導体層と、ソース電極と、を含む。前記ソース電極は、銅を含むソース導電層と、前記ソース導電層と前記ソース領域との間に設けられタンタルを含む第1タンタル含有領域と、前記第1タンタル含有領域と前記ソース領域との間に設けられ、Ta 1−x1 N x1 (0

1−x2N
x2 (0.5≦x2 【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有稳定特性的半导体器件及其制造方法。解决方案：根据实施例，半导体器件包括氧化物半导体晶体管。氧化物半导体晶体管包括半导体层和源电极。源电极包括：含铜的源极导电层; 第一含钽区域，设置在源极导电层和源极区域之间并含有钽; 设置在第一含钽区域和源极区域之间并含有TaN（0

56. 发明专利

JP5802005B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5802005B2
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：JP2010236650
申请日：2010-10-21
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/10 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786 , C23C14/08 , G11C11/405 , H01L27/00 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/105 , G11C11/405 , G11C16/0433 , H01L21/8258 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/0207 , H01L28/60 , H01L29/7833

57. 发明专利

JP2015181229A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015181229A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：JP2015043535
申请日：2015-03-05
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：高橋圭
IPC分类号： H03K17/10 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H03K17/687 , H02M1/08 , H03K19/0185
CPC分类号： H03K17/56 , H01L21/8258 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/16 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
摘要：【課題】駆動回路の誤動作を防ぐことが可能な半導体装置等を提供する。【解決手段】電流供給用のパワーデバイスを駆動するための駆動回路において、耐圧が要求される回路(具体的には、例えばレベルシフト回路)に含まれるトランジスタとして、酸化物半導体を有するトランジスタを適用する。また、レベルシフト回路と比較して高耐圧性を要求されない回路(具体的には、例えばバッファ回路、又はフリップフロップ回路等)に含まれるトランジスタには、酸化物半導体を有するトランジスタよりも高速に動作可能なトランジスタ(例えば、シリコントランジスタ等)を用いることが好ましい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够防止驱动电路的故障的半导体器件。解决方案：在用于驱动用于电流供应的功率器件的驱动电路中，使用具有氧化物半导体的晶体管作为包括在电路中的晶体管（特别地，例如电平移位电路），其需要耐压。此外，优选使用与具有氧化物半导体的晶体管作为包含在电路中的晶体管（特别是诸如缓冲电路和触发器）的晶体管相比能够高速工作的晶体管（例如硅晶体管）开关电路），与电平移位电路相比不需要高耐压。

58. 发明专利

JP2015176924A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015176924A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014050789
申请日：2014-03-13
申请人：株式会社東芝
发明人：猪原正弘
IPC分类号： H01L27/088 , H01L27/095 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L29/0692 , H01L21/8258 , H01L27/088 , H01L29/205 , H01L27/085
摘要：【課題】高性能で特性が安定した半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板110と、第1半導体層80と、第1半導体素子10と、第2半導体素子20と、を含む半導体装置が提供される。前記基板は、第1部分101と第2部分102とを含む。前記第1部分は、第1面71を有する。前記第2部分は、前記第1面との間の角度が54度以上55度以下である第2面72を有する。前記第1半導体素子は、前記第1部分に設けられる。前記第1半導体層は、前記第2面の上に設けられる。前記第2半導体素子は、前記第1半導体層に設けられる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高性能和稳定特性的半导体器件。解决方案：半导体器件包括硅衬底110，第一半导体层80，第一半导体元件10和第二半导体元件20.衬底包括第一部分101和第二部分102.第一部分具有第一表面71.第二部分具有与第一表面成角度不小于54度且不超过55度的第二表面72。第一半导体元件设置在第一部分上。第一半导体层设置在第二表面上。第二半导体元件设置在第一半导体层上。

59. 发明专利

JP2015043414A 高電圧ＩＶ族イナーブルスイッチを備えるモノリシック複合ＩＩＩ族窒化物トランジスタ有权
标题翻译：具有高电压组IV使能开关的单晶复合III族氮化物晶体管
公开(公告)号：JP2015043414A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：JP2014142500
申请日：2014-07-10
申请人：インターナショナルレクティフィアーコーポレイション , Internatl Rectifier Corp , インターナショナルレクティフィアーコーポレイション
发明人： BRIERE MICHAEL A
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/338 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8236 , H01L27/00 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812 , H02M3/155
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/8258 , H01L27/0605 , H01L27/0688 , H01L27/0694 , H01L27/085 , H01L27/0883 , H01L29/7393 , H01L29/778 , H02H7/10 , H02M3/1588 , Y02B70/1466
摘要：【課題】高電圧IV属エナーブルスイッチを備えるモノリシック複合III族窒化物トランジスタを提供する。【解決手段】モノリシック集積素子300は、エンハンスモードIV族トランジスタ310及び2つ以上のデプリーションモードIII族トランジスタ330a、330bを備えている。エンハンスモードIV族トランジスタ310は、IV族絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IV族IGBT)として実現され得る。III族窒化物トランジスタ330a、330bがIV族IGBT310の本体層を覆うように配置される。またはIII族窒化物トランジスタ330a、330bは、IGBT310のコレクタ層312を覆うように配置される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供包括高电压组IV使能开关的单片复合III族氮化物晶体管。解决方案：单片集成元件300包括增强模式组IV晶体管310和多于一个耗尽模式组III晶体管330a，330b 。增强模式IV族晶体管310被实现为IV族绝缘栅双极晶体管（IV组IGBT）。 III族氮化物晶体管330a，330b被布置成覆盖IV族IGBT310的体层。或者，III族氮化物晶体管330a，330b被布置成覆盖IGBT310的集电极层312。

60. 发明专利

JP2015032675A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015032675A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013160783
申请日：2013-08-01
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： KURAGUCHI MASAHIKO
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/095 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/267 , H01L21/8252 , H01L21/8258 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L27/1203 , H01L29/0623 , H01L29/1087 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/861
摘要：【課題】電流コラプスが抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、第1導電型のSiまたはSiCの半導体基板10と、半導体基板表面の第2導電型の半導体領域11と、半導体基板10上のGaN系半導体層12と、GaN系半導体層12の半導体領域上方に設けられ、半導体領域に電気的に接続される第1の電極18と、第2の電極20を有する横型素子と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有减小的电流崩溃的半导体器件。解决方案：半导体器件100包括：第一导电型Si或第一导电型SiC的半导体衬底10; 半导体衬底的表面中的第二导电型半导体区域11; 半导体衬底10上的GaN基半导体层12; 以及设置在半导体区域上方的GaN基半导体层12中并且具有与半导体区域电连接的第一电极18的侧向元件和第二电极20。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式