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1. 发明专利

KR20210029115A KR20210029115A - Evaluating an intermediate product related to a three-dimensional nand memory unit 审中-公开
公开(公告)号：KR20210029115A
公开(公告)日：2021-03-15
申请号：KR1020200112778A
申请日：2020-09-04
申请人： 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드
发明人： 로만 크리스 , 바딤 베레샤긴 , 아사프 샤미르 , 엘라드 솜머 , 샤론 두브데바니-바르 , 멩 리 세실리아 림
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/88 , G01N21/95
CPC分类号： H01L22/12 , H01J37/222 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N21/9515 , H01J37/28 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/11582 , G01N2021/8887 , H01J2237/2815 , H01L27/11556
摘要： 3차원 NAND 메모리 유닛에 관련된 중간 제품을 평가하기 위한 방법, 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체 및 평가 시스템이다. 평가 시스템은 이미저 및 처리 회로를 포함할 수 있다. 이미저는, 중간 제품에 속하는 구조적 요소의 부분의 전자 이미지를, 개방 갭을 통해 획득하도록 구성될 수 있다. 구조적 요소는 일련의 층들을 포함할 수 있고, 일련의 층들은 교번하는 비전도성 층들 및 함몰된 전도성 층들이 뒤따르는 최상부 층을 포함한다. 이미저는 개방 갭의 종축에 대해 비스듬한 전자 빔으로 구조적 요소의 부분을 스캔하도록 구성된 전자 광학계를 포함할 수 있다. 처리 회로는 전자 이미지에 기초하여 중간 제품을 평가하도록 구성된다. 개방 갭은 (a) 높은 종횡비를 나타내고, (b) 나노미터 규모의 폭을 갖고, (c) 중간 제품의 구조적 요소들 사이에 형성된다.

3. 发明专利

JP6290022B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6290022B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2014146765
申请日：2014-07-17
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：松田祐弥
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11548
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L23/53257 , H01L23/53295 , H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

JP2018022913A 半導体装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018022913A
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：JP2017190486
申请日：2017-09-29
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11526 , H01L29/786 , H01L27/1156
CPC分类号： H01L27/105 , G11C11/405 , G11C16/0433 , H01L21/02664 , H01L21/46 , H01L21/8258 , H01L27/0207 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L28/60 , H01L29/06 , H01L29/7833 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要：【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、且つ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のゲート電極、第1のソース電極、及び第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタ160と、第2のゲート電極、第2のソース電極、及び第2のドレイン電極を有する第2のトランジスタ162と、を有する。第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられる。第2のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成される。第1のトランジスタのゲート電極と、第2のトランジスタのソース電極または第2のトランジスタのドレイン電極の一方とは、電気的に接続される。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6276348B2 記憶装置及び記憶装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP6276348B2
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：JP2016166495
申请日：2016-08-29
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：波多野剛久
IPC分类号： G11C16/04 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/10 , H01L27/11521
CPC分类号： H01L27/11524 , G11C16/0483 , H01L27/11551 , H01L27/1207

6. 发明专利

JPWO2016104292A1 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置有权
公开(公告)号：JPWO2016104292A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：JP2016566157
申请日：2015-12-16
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：雅則中山 , 雅則中山
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/02252 , H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01J2237/202 , H01L21/02247 , H01L21/28273 , H01L21/31 , H01L27/115 , H01L27/11551 , H01L29/788 , H01L29/792 , H05H1/46
摘要： [課題]アスペクト比の高い構造の表面においても良好なステップカバレッジを有する膜の形成を実現する。[解決手段]基板載置台に基板を載置する工程と、基板処理室内に窒素含有ガスを供給する工程と、コイルに高周波電力を印加して、プラズマ生成空間において窒素含有ガスのプラズマ励起を開始する工程と、プラズマ励起によって発生した、窒素元素を含む活性種により基板の表面を窒化する工程と、を有し、基板表面を窒化する工程では、基板処理室内の圧力を1Pa以上100Pa以下の範囲とする技術を提供する。

7. 发明专利

JP2017022412A 半導体装置有权
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2017022412A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2016201915
申请日：2016-10-13
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：加藤清
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/08 , G11C11/405 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/1052 , H01L27/0688 , H01L27/10805 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26
摘要：【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。【解決手段】第1のトランジスタと第2のトランジスタを有し、第1のトランジスタと第 2のトランジスタとは少なくとも一部が重畳する第1のメモリセルと、第3のトランジスタと第4のトランジスタを有し、第3のトランジスタと第4のトランジスタとは少なくとも一部が重畳する第2のメモリセルと、駆動回路と、を有し、第2のメモリセルは、第1 のメモリセル上に設けられ、第1のトランジスタは、第1の半導体材料を含んで構成され、第2のトランジスタ、第3のトランジスタ、および第4のトランジスタ、は、第2の半導体材料を含んで構成される半導体装置である。【選択図】図1
摘要翻译：阿可容纳存储即使当不供电数据，和写入周期的次数有限不是，提供具有新颖的结构的半导体器件。具有第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管和至少部分地重叠在第一存储单元，所述第三晶体管和所述第四晶体管的，第二存储器单元中的第三晶体管和所述第四晶体管至少部分地重叠包括驱动电路，一个第二存储单元，所述第一存储器单元提供，所述第一晶体管被配置为包括第一半导体材料，第二晶体管，第三晶体管和第四晶体管，并且被配置为包括第二半导体材料的半导体它是一个设备。点域1

8. 发明专利

JP2017017329A 記憶装置及び記憶装置の作製方法有权
标题翻译：一种用于制造存储装置和存储装置的制造方法
公开(公告)号：JP2017017329A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2016166495
申请日：2016-08-29
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：波多野剛久
IPC分类号： G11C16/04 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/10 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11524 , G11C16/0483 , H01L27/11551 , H01L27/1207
摘要：【課題】誤書込みを防止することが可能な記憶装置を提供する。【解決手段】複数のメモリセルが直列に接続されたNANDセルユニットと、NANDセルユニットの一方の端子に接続する第1の選択トランジスタと、NANDセルユニットの他方の端子に接続する第2の選択トランジスタと、第1の選択トランジスタと接続するソース線と、該ソース線と交差し、且つ第2の選択トランジスタと接続するビット線とを有し、第1の選択トランジスタ及び第2の選択トランジスタは、チャネル領域が酸化物半導体層で形成されたトランジスタである。【選択図】図2
摘要翻译：提供一种能够存储装置，以防止误写入。 NAND单元单位的多个串联连接的存储器单元，连接到所述NAND单元单位的端子中的一个的第一选择晶体管，其中，第二选择连接到所述NAND单元单位的另一端的晶体管，连接到所述第一选择晶体管的源极线，与该源极线相交，并具有一个位线连接到第二选择晶体管，第一选择晶体管和第二选择晶体管一晶体管，其沟道区域中形成氧化物半导体层英寸 .The

9. 发明专利

JP2017016731A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2017016731A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2016201639
申请日：2016-10-13
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 小山潤 , 加藤清
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/115 , H01L27/105 , H01L29/786 , G11C11/56 , G11C11/405
CPC分类号： H01L29/7869 , G11C11/24 , G11C16/0433 , G11C16/28 , G11C5/06 , G11C5/147 , G11C7/12 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L23/528 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/78 , H01L29/78603 , G11C11/4097 , G11C7/18 , H01L27/115 , H01L2924/0002
摘要：【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。【解決手段】第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のゲート電極、第1のソース電極、および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタと、第 2のゲート電極、第2のソース電極、および第2のドレイン電極を有する第2のトランジスタと、を有し、第1のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、第2のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成された半導体装置である。【選択図】図1
摘要翻译：公开了一种目的在于提供一种具有新颖结构的半导体器件。和第一布线，第二布线，所述第一具有第三布线，第四布线，第一栅极电极，第一源电极和第一漏电极和晶体管，所述第二栅电极和具有第二源极电极的第二晶体管，和所述第二漏电极，第一晶体管被设置在一个基片包括半导体材料，所述第二晶体管是被配置为包括氧化物半导体层的半导体装置。点域1

10. 发明专利

JP2016136632A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016136632A
公开(公告)日：2016-07-28
申请号：JP2016035683
申请日：2016-02-26
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 小山潤 , 加藤清
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/10 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/1052 , G11C11/405 , G11C16/0433 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L27/11803 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/16 , H01L29/24 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696 , G11C2211/4016 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/108 , H01L29/7833
摘要：【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置を提供する。【解決手段】第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、第1のゲート電極、第1のソース電極、および第1のドレイン電極を有する第1のトランジスタ160と、第2のゲート電極、第2のソース電極、および第2のドレイン電極を有する第2のトランジスタ162と、を有し、第1のトランジスタ160は、半導体材料を含む基板に設けられ、第2のトランジスタ162は酸化物半導体層を含んで構成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供即使在没有供电的情况下也可以保存存储内容的半导体器件，并且对写入次数没有限制。解决方案：半导体器件包括：第一布线; 第二线第三线第四线具有第一栅电极，第一源电极和第一漏电极的第一晶体管160; 以及具有第二栅电极，第二源电极和第二漏电极的第二晶体管162。第一晶体管160设置在包含半导体材料的衬底上，并且第二晶体管162被配置为包括氧化物半导体层。选择图：图1

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