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1. 发明专利

KR102227413B1 KR102227413B1 - Logic device and manufacturing method thereof 有权
公开(公告)号：KR102227413B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020200048149A
申请日：2020-04-21
申请人： 청주대학교 산학협력단
发明人： 이상렬
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8236 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/0883 , H01L21/8236 , H01L27/1222 , H01L27/1248 , H01L29/78669 , H01L29/7869
摘要： 본 발명에 따르면, 소스 전극 및 드레인 전극 간에 비정질 산화물 반도체 채널층 상면의 적어도 일부를 덮도록 패시베이션층을 상기 비정질 산화물 반도체 채널층과 다른 일함수를 갖는 물질로 형성한 복수의 트랜지스터로써 논리소자를 개시한다. 특히 본 발명에 따르면, 상기 패시베이션층을 비정질 산화물 반도체 채널층의 일함수보다 더 크거나 아니면 더 작은 일함수를 갖는 물질로 구성하고, 이에 기반하여 상기 복수의 트랜지스터의 패시베이션층과 비정질 산화물 반도체 채널층 상면 간의 접촉면적의 서로 상대적인 차이를 조절함으로써 전자가 상기 패시베이션층과 비정질 산화물 반도체 채널층 간에 이동하는 수준을 조절할 수 있고, 이에 따라 상기 복수의 트랜지스터는 상대적 공핍형 트랜지스터와 상대적 증가형 트랜지스터 중의 하나로서 작동하도록 설계될 수 있다. 따라서, 종래에는 채널층 물질로서 산화물을 적용할 경우 증가형 트랜지스터 또는 p형 채널층을 구현하기 어려워 상보성 논리소자를 제조하기가 어려웠으나, 본 발명에서는 위와 같이 채널층에 산화물을 적용한 상대적 공핍형 트랜지스터 및 상대적 증가형 트랜지스터를 적용하여 상보성 논리소자를 간단하고 유리하게 구현 및 제조할 수 있다.

2. 发明专利

JP6340841B2 絶縁ゲート型デバイスの駆動回路有权
公开(公告)号：JP6340841B2
公开(公告)日：2018-06-13
申请号：JP2014050129
申请日：2014-03-13
申请人：富士電機株式会社
发明人：岩水守生 , 山科普士
IPC分类号： H01L29/78 , H02M1/08
CPC分类号： H03K17/04123 , H01L21/823487 , H01L27/0629 , H01L27/0883 , H03K17/687

3. 发明专利

JP6234715B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6234715B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2013134001
申请日：2013-06-26
申请人：ローム株式会社
发明人：藤江周作
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/761 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0251 , H01L21/761 , H01L23/4824 , H01L27/0883 , H01L29/0646 , H01L29/0649 , H01L29/7816 , H01L29/7817 , H01L29/7823 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L2924/0002

4. 发明专利

JP2017191926A 偽装機能を有する半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017191926A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2017023332
申请日：2017-02-10
申请人：イーメモリーテクノロジーインコーポレイテッド
发明人：シン・ミンチェン , ラン・チュンチェン , メン・イーウー , チイ・ハオフーハン , タン・チェングクオ
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/822
CPC分类号： H01L23/573 , G06F7/588 , G11C16/0441 , G11C16/14 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5226 , H01L27/0883 , H01L27/11507 , H01L27/11529 , H01L27/11558 , H01L28/00 , H01L29/0653 , H01L29/42328 , H01L29/42344 , H01L29/42352 , H01L29/7841 , G11C2216/10 , H01L29/7831 , H01L29/7833
摘要：【課題】半導体装置において、偽装機能を有し正常なデバイスと偽装デバイスの区別を困難にする。【解決手段】論理デバイス10aと少なくとも1つの偽装デバイス10bを含む。論理デバイスは、基板100上に形成され、バイアス電圧によってオンになる。偽装デバイスも基板上に形成される。偽装デバイスは、論理デバイスに印加されるバイアス電圧と同じバイアス電圧によってはオンにならない。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6199465B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6199465B2
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：JP2016197757
申请日：2016-10-06
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：山崎舜平 , 小山潤 , 三宅博之 , 高橋圭 , 豊高耕平 , 津吹将志 , 野田耕生 , 桑原秀明
IPC分类号： H01L21/336 , H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/26 , G06K19/07758 , H01L21/8236 , H01L23/66 , H01L27/0883 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78609 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , G11C19/28 , G11C7/00 , H01L2223/6677 , H02M3/07

6. 发明专利

JP5979998B2 半導体装置及びそれを用いたシステム有权
标题翻译：使用相同的半导体装置及系统
公开(公告)号：JP5979998B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2012136591
申请日：2012-06-18
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：金澤孝光 , 秋山悟
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/04 , H01L29/12 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/095 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M1/08 , H01L23/48 , H01L21/337
CPC分类号： H01L27/0883 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L27/098 , H01L29/1608 , H01L29/7827 , H02P27/06 , H03K17/102 , H03K17/107 , H03K17/567 , H03K3/012 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03K2017/6875

7. 发明专利

JP5856197B2 低圧側及び高圧側複合スイッチを備えた集積ハーフブリッジ回路有权
标题翻译：具有低压侧和高压侧复合开关集成的半桥电路
公开(公告)号：JP5856197B2
公开(公告)日：2016-02-09
申请号：JP2014020452
申请日：2014-02-05
申请人：インターナショナルレクティフィアーコーポレイション
发明人：マイケルエイブリエール
IPC分类号： H01L27/088 , H01L27/095 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/8236
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L21/8252 , H01L27/0688 , H01L27/0694 , H01L27/085 , H02M3/337 , H03K17/107 , H03K17/567 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L27/0605 , H01L27/0883 , H01L2924/13091 , H03K2017/6875

8. 发明专利

JP2015177579A 絶縁ゲート型デバイスの駆動回路有权
标题翻译：用于绝缘门型设备的驱动电路
公开(公告)号：JP2015177579A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014050129
申请日：2014-03-13
申请人：富士電機株式会社
发明人：岩水守生 , 山科普士
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/78 , H02M1/08
CPC分类号： H03K17/04123 , H01L27/0629 , H01L27/0883 , H03K17/687 , H01L21/823487
摘要：【課題】デバイスの誤オンの防止と高速ターンオフとを実現するゲート電圧制御用半導体素子のプルアップ動作を良好に行うことができ、全体を同一の半導体基板に集積するのに好適な絶縁ゲート型デバイスの駆動回路を提供する。【解決手段】外部から入力されるゲート信号に基づいて絶縁ゲート半導体素子を駆動する絶縁ゲート型デバイスの駆動回路であって、前記絶縁ゲート半導体素子8のゲート・ソース間に接続されたゲート電圧制御用半導体素子14と、前記ゲート電圧制御用半導体素子のゲート・ドレイン間に接続されたデプレッション型のMOSFETで構成されるプルアップ素子25と、を備えている。前記ゲート電圧制御用半導体素子14は、前記絶縁ゲート半導体素子のゲートに印加される電圧によって駆動され、前記プルアップ素子25を構成するMOSFETのバックゲートを接地して寄生トランジスタの形成を防止している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于能够成功地执行用于栅极电压控制的半导体元件的上拉操作的绝缘栅型器件的驱动电路，其实现了器件的不正确的接通和高速关断，并且适合用于将整体集成到相同的半导体衬底中。解决方案：用于根据从外部输入的栅极信号驱动绝缘栅半导体元件8的绝缘栅型器件的驱动电路包括用于连接栅极电压控制的半导体元件14 在绝缘栅极半导体元件8的栅极和源极之间，以及由连接在半导体元件14的栅极和漏极之间的用于栅极电压控制的耗尽型MOSFET构成的上拉元件25。用于栅极电压控制的半导体元件14由施加到绝缘栅极半导体元件的栅极的电压驱动。通过使构成上拉元件25的MOSFET的背栅接地来防止寄生晶体管的形成。

9. 发明专利

JP5732123B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5732123B2
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：JP2013246499
申请日：2013-11-28
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：小山潤 , 秋元健吾 , 津吹将志
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8236 , H01L27/088 , H01L27/08 , H01L21/336
CPC分类号： H03K19/094 , H01L27/1225 , H03K19/09407 , H03K19/09421 , H03K19/096 , H01L27/0883

10. 发明专利

JPWO2013077081A1 半導体装置および電子機器有权
标题翻译：半导体设备和电子设备
公开(公告)号：JPWO2013077081A1
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013545832
申请日：2012-09-27
申请人：シャープ株式会社
发明人：清美谷口 , 清美谷口 , 順植田 , 順植田 , 小野　敦 , 敦小野
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L27/0883 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L29/2003 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4903 , H01L2224/49052 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/1033 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：半導体装置(101)において、ノーマリオン型の第1スイッチング能動素子(103)とノーマリオフ型の第2スイッチング能動素子(104)とをカスコード接続する。これにより形成される電流経路で形成される、半導体装置(101)の平面視におけるループ面積が最小となるように第1および第2スイッチング能動素子(103,104)の配置や接続を行う。
摘要翻译：在半导体装置（101），第二开关有源元件（104）正常的第一开关的常闭型和共源共栅的有源元件（103）连接。由此形成在形成电流路径，在执行放置和第一连接，并且使得环区域中的半导体器件（101）的俯视图最小化（103，104）的第二开关有源元件。

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