专利号JP2012059460 | アクティブ発振防止付き複合半導体デバイス

专利标题：アクティブ発振防止付き複合半導体デバイス
专利标题（英）：Complex semiconductor devices with active oscillation prevention
专利标题（中）：与有源振荡防止复合半导体器件
申请号：JP2012059460 申请日：2012-03-15
公开(公告)号：JP5848171B2 公开(公告)日：2016-01-27
发明人：ブラミアントニー , ジェイソンチャン
申请人：インターナショナルレクティフィアーコーポレイション
申请人地址：アメリカ合衆国カリフォルニア州 90245 エルセガンドノースセプルヴェーダブールバード 101
专利权人：インターナショナルレクティフィアーコーポレイション
当前专利权人：インターナショナルレクティフィアーコーポレイション
当前专利权人地址：アメリカ合衆国カリフォルニア州 90245 エルセガンドノースセプルヴェーダブールバード 101
代理人：杉村憲司; 福尾誠; 大倉昭人; 荒木淳
优先权： US61/454,743 2011-03-21 US13/417,143 2012-03-09
主分类号： H01L21/338
IPC分类号： H01L21/338 ; H01L29/778 ; H01L29/812 ; H01L21/8234 ; H01L27/088 ; H01L27/095

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/335	.....场效应晶体管
------------------H01L21/338	......带有肖特基栅的

IPRDB