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1. 发明公开

EP3224631A1 VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG EINER ALTERUNG VON LEISTUNGSHALBLEITERMODULEN SOWIE VORRICHTUNG UND SCHALTUNGSANORDNUNG 有权
公开(公告)号：EP3224631A1
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：EP15821054.2
申请日：2015-12-18
申请人： Siemens Aktiengesellschaft
发明人： BUTRON-CCOA, Jimmy Alexander , LINDEMANN, Andreas , MITIC, Gerhard
IPC分类号： G01R31/26 , G01K7/01 , H02M1/32
CPC分类号： G01R31/2619 , G01K3/10 , G01K7/01 , G01R31/046 , G01R31/2628 , G01R31/2642 , H02M2001/327 , H03K2017/0806
摘要： The invention relates to a method for characterizing a power semiconductor module (1), which has at least one power semiconductor component (2), comprising the following steps: determining a thermal model (4) of the power semiconductor module (1) at a reference time point; detecting a reference temperature (T
j,zth ) on the basis of the thermal model (4) of the power semiconductor module (1); measuring at least one temperature-sensitive electrical parameter (TSEP) of the power semiconductor module (1) at at least one time point which is later than the reference time point during operation of the power semiconductor module (1); detecting a current temperature (T
j,tsep ) of the power semiconductor module (1) from the at least one measured temperature-sensitive electrical parameter (TSEP) of the power semiconductor module (1); detecting a temperature difference (ΔΤ) between the current temperature (T
j,tsep) ) and the reference temperature (T
j,zth ); and determining a deterioration of the power semiconductor module (1) on the basis of the detected temperature difference (ΔΤ).
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征具有至少一个功率半导体部件（2）的功率半导体模块（1）的方法，包括以下步骤：确定功率半导体模块（1）的热模型（4）参考时间点; 基于功率半导体模块（1）的热模型（4）检测参考温度（Tj，zth）; 在所述功率半导体模块（1）的操作期间，在比所述参考时间点晚的至少一个时间点处测量所述功率半导体模块（1）的至少一个温度敏感电参数（TSEP）; 从所述功率半导体模块（1）的所述至少一个测得的温度敏感电参数（TSEP）中检测所述功率半导体模块（1）的当前温度（Tj，tsep）; 检测当前温度（Tj，tsep））和参考温度（Tj，zth）之间的温度差（ΔT）; 以及基于检测到的温度差（ΔT）确定功率半导体模块（1）的劣化。

2. 发明公开

EP3373019A1 DEVICE AND METHOD FOR ONLINE HEALTH MANAGEMENT OF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 有权
公开(公告)号：EP3373019A1
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：EP16861543.3
申请日：2016-11-01
申请人： CRRC Zhuzhou Institute Co., Ltd.
发明人： LIU, Wenye , YANG, Jinfeng , HU, Jiaxi , LI, Yanyong , LUO, Jianbo , FU, Hangjie
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2619 , G01K7/01 , G01K2217/00 , G01R31/26 , G01R31/2601 , G01R31/2642
摘要： Disclosed are an on-line health management device and an on-line health management method for an insulated gate bipolar transistor. The device comprises: an electrothermal detection module, configured to detect a junction temperature and a temperature rise of the insulated gate bipolar transistor based on operating condition parameters of the insulated gate bipolar transistor in combination with a structure of the insulated gate bipolar transistor; a degradation detection module, configured to detect a performance degradation degree of the insulated gate bipolar transistor based on the operating condition parameters, the structure, the junction temperature and the temperature rise of the insulated gate bipolar transistor; and a lifetime detection module, configured to detect a consumed lifetime of the insulated gate bipolar transistor based on the performance degradation degree thereof.

3. 发明公开

EP1860446A1 Procédé et dispositif de mesure de température de jonction d'un composant électronique. 有权转让
标题翻译：用于测量电子元件的结温的方法和装置
公开(公告)号：EP1860446A1
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：EP07290636.5
申请日：2007-05-16
申请人： Converteam SAS
发明人： Gollentz, Bernard
IPC分类号： G01R31/26 , G01K7/01
CPC分类号： G01K7/01 , G01R31/2619 , G01R31/2628 , G01R31/2632
摘要： L'invention concerne un dispositif de mesure de la température de jonction d'un composant électronique (10) à semi-conducteurs dont la conduction est assurée par apport permanent de porteurs, qui comporte des moyens (20, 24, 26) de mesure d'une quantité électrique sur le composant lors d'une phase déterminée de fonctionnement du composant et des moyens (28, 30) de détermination de la température de jonction du composant à partir de la quantité électrique mesurée.
Lesdits moyens de mesure (20, 24, 26) de la dite quantité électrique sont propres à mesurer la quantité de charges évacuée par le composant lors de la phase de blocage postérieurement à la phase linéaire de variation de l'intensité.
摘要翻译：该方法涉及电气量的测量到的电子部件E.G. 二极管，通过在所述部件的预定操作阶段使用电流探针（20）。该部件的结点温度确定的开采，通过从电量的结温度判定部（28）。的阻塞期间由部件真空管电荷的电量darstellt量从规定的时刻在哪些被计数电流停止的线性变化。因此独立claimsoft包括用于测量电子部件的结点温度的设备。

4. 发明公开

EP3054306A1 Verfahren zur Bestimmung einer Alterung von Leistungshalbleitermodulen sowie Vorrichtung und Schaltungsanordnung 审中-公开
标题翻译：用于确定的功率半导体模块的老化方法和装置和电路
公开(公告)号：EP3054306A1
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：EP15153561.4
申请日：2015-02-03
申请人： Siemens Aktiengesellschaft
发明人： Butron-Ccoa, Jimmy Alexander , Lindemann, Andreas , Mitic, Gerhard
IPC分类号： G01R31/26 , G01K7/01 , H02M1/32
CPC分类号： G01R31/2619 , G01K3/10 , G01K7/01 , G01R31/046 , G01R31/2628 , G01R31/2642 , H02M2001/327 , H03K2017/0806
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Charakterisieren eines Leistungshalbleitermoduls (1) aufweisend zumindest ein Leistungshalbleiterbauelement (2) mit den Schritten:
- Bestimmen eines thermischen Modells (4) des Leistungshalbleitermoduls (1) zu einem Referenzzeitpunkt,
- Ermitteln einer Referenztemperatur (T j,zth ) anhand des thermischen Modells (4) des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Messen zumindest eines temperatursensitiven elektrischen Parameters (TSEP) des Leistungshalbleitermoduls (1) zu zumindest einem gegenüber dem Referenzzeitpunkt späteren Zeitpunkt im Betrieb des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Ermitteln einer aktuellen Temperatur (T j,tsep ) des Leistungshalbleitermoduls (1) aus dem zumindest einen gemessenen temperatursensitiven elektrischen Parameter (TSEP) des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Ermitteln einer Temperaturdifferenz (ΔT) zwischen der aktuellen Temperatur (T j,tsep ) und der Referenztemperatur (T j,zth ) und
- Bestimmen einer Alterung des Leistungshalbleitermoduls (1) anhand der ermittelten Temperaturdifferenz (ΔT).
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征功率半导体模块（1），包括至少一个功率半导体部件（2）包括以下步骤： - 确定一个热模型（4）的功率半导体模块（1）在时间上的参考点的， - 确定的参考温度（T J第Z）由功率半导体模块（1）的热模型（4）， - 测量所述电力半导体模块中的至少一个温度敏感电参数（TSEP）（1）相对于至少一个参考点的时间之后在功率半导体模块（1）的操作，以 - （确定当前温度 T J，TSEP）的功率半导体模块（1）从至少（功率半导体模块的测量温度敏感的电气参数TSEP）（1）， - 确定的实际温度（T J，TSEP）和参考温度之间的温度差（“T）（T 确定Leistun的劣化 - j）条和第i个 gshalbleitermoduls（1）的基础上所确定的温度差（“T）。

5. 发明授权

EP2615467B1 System and method for monitoring in real time the operating state of an IGBT device 有权转让
标题翻译：系统和方法，用于实时监测的IGBT装置的操作状态
公开(公告)号：EP2615467B1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：EP12150704.0
申请日：2012-01-11
申请人： ABB Research Ltd.
发明人： Sundaramoorthy, Vinoth , Heinemann, Alexander , Bianda, Enea , Zurfluh, Franz , Knapp, Gerold , Nistor, Iulian , Bloch, Richard
IPC分类号： G01R31/26 , H01L21/66 , G01K7/01
CPC分类号： H01L22/30 , G01K7/01 , G01K2217/00 , G01R31/2619 , G01R31/2642 , H03K17/18 , H03K2017/0806

6. 发明公开

EP1107011A1 Procédé et dispositif de mesure de la température de composants hyperfréquence 审中-公开
标题翻译：用于测量高频部件的温度的方法和设备
公开(公告)号：EP1107011A1
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：EP00403300.7
申请日：2000-11-24
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Tolant, Clément , Cordier, Joel , Eudeline, Philippe , Servain, Patrick
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R19/25 , G01R31/2619 , G01R31/2628 , G01R31/2632
摘要： La présente invention concerne un procédé et un dispositif de mesure de la température moyenne de composants.
Une suite d'impulsions de test de durée croissante est appliquée au composant, la puissance des impulsions étant représentative d'un état de fonctionnement du composant, une mesure de température de jonction étant effectuée à la fin de chaque impulsion pour obtenir une courbe représentative (42) de l'évolution de la température de jonction du composant en fonction du temps à partir des points de mesures (41) de température réalisée en fin de chaque impulsion.
Elle s'applique notamment pour la détermination de la température de jonction de composants électroniques hyperfréquence fonctionnant en mode continu ou en mode impulsionnel.

7. 发明授权

EP1860446B1 Procédé et dispositif de mesure de température de jonction d'un composant électronique. 有权转让
公开(公告)号：EP1860446B1
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：EP07290636.5
申请日：2007-05-16
申请人： GE Energy Power Conversion France SAS
发明人： Gollentz, Bernard
IPC分类号： G01R31/26 , G01K7/01
CPC分类号： G01K7/01 , G01R31/2619 , G01R31/2628 , G01R31/2632

9. 发明公开

EP3299829A1 METHOD AND APPARATUS FOR ELECTRICAL COMPONENT LIFE ESTIMATION 有权
标题翻译：用于电子元件寿命估算的方法和设备
公开(公告)号：EP3299829A1
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：EP17186354.1
申请日：2017-08-16
申请人： Rockwell Automation Technologies, Inc.
发明人： MORRIS, Garron K.
IPC分类号： G01R31/27 , G01R31/26
CPC分类号： G01R31/343 , G01R31/2619 , G01R31/27 , G01R31/2849
摘要： Systems and methods for estimating electrical component degradation caused by an operating parameter that stresses the component in a series of stress cycles, in which cycle count values are maintained which individually correspond to a range of values of the operating parameter, and a plurality of maximum cycle values are stored, which individually correspond to one of the ranges and represent the number of stress cycles in the corresponding range at which the component is expected to have a user defined failure probability value. For a given stress cycle, one of the count values is incremented that corresponds to the range that includes a measured or sensed value, and a cumulative degradation value for the electrical system component is computed as a sum of ratios of the individual count values to the corresponding maximum cycle values.
摘要翻译：用于估计由在一系列应力循环中强调该部件的操作参数引起的电气部件退化的系统和方法，其中循环计数值被保持为单独对应于操作参数值的范围，并且多个最大循环值被存储，其分别对应于其中一个范围并且表示在该部件预期具有用户定义的故障概率值的对应范围中的应力周期的数量。对于给定的应力循环，计数值中的一个递增，其对应于包括测量值或感测值的范围，并且电气系统部件的累积退化值被计算为各个计数值与相应的最大周期值。

10. 发明授权

EP3875973B1 ANALYZING AN OPERATION OF A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
公开(公告)号：EP3875973B1
公开(公告)日：2024-05-08
申请号：EP20160411.3
申请日：2020-03-02
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2642 , G01R31/2619 , G01R31/2628 , G01R31/263 , G01R31/2632

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