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1. 发明公开

EP3224631A1 VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG EINER ALTERUNG VON LEISTUNGSHALBLEITERMODULEN SOWIE VORRICHTUNG UND SCHALTUNGSANORDNUNG 有权
公开(公告)号：EP3224631A1
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：EP15821054.2
申请日：2015-12-18
申请人： Siemens Aktiengesellschaft
发明人： BUTRON-CCOA, Jimmy Alexander , LINDEMANN, Andreas , MITIC, Gerhard
IPC分类号： G01R31/26 , G01K7/01 , H02M1/32
CPC分类号： G01R31/2619 , G01K3/10 , G01K7/01 , G01R31/046 , G01R31/2628 , G01R31/2642 , H02M2001/327 , H03K2017/0806
摘要： The invention relates to a method for characterizing a power semiconductor module (1), which has at least one power semiconductor component (2), comprising the following steps: determining a thermal model (4) of the power semiconductor module (1) at a reference time point; detecting a reference temperature (T
j,zth ) on the basis of the thermal model (4) of the power semiconductor module (1); measuring at least one temperature-sensitive electrical parameter (TSEP) of the power semiconductor module (1) at at least one time point which is later than the reference time point during operation of the power semiconductor module (1); detecting a current temperature (T
j,tsep ) of the power semiconductor module (1) from the at least one measured temperature-sensitive electrical parameter (TSEP) of the power semiconductor module (1); detecting a temperature difference (ΔΤ) between the current temperature (T
j,tsep) ) and the reference temperature (T
j,zth ); and determining a deterioration of the power semiconductor module (1) on the basis of the detected temperature difference (ΔΤ).
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征具有至少一个功率半导体部件（2）的功率半导体模块（1）的方法，包括以下步骤：确定功率半导体模块（1）的热模型（4）参考时间点; 基于功率半导体模块（1）的热模型（4）检测参考温度（Tj，zth）; 在所述功率半导体模块（1）的操作期间，在比所述参考时间点晚的至少一个时间点处测量所述功率半导体模块（1）的至少一个温度敏感电参数（TSEP）; 从所述功率半导体模块（1）的所述至少一个测得的温度敏感电参数（TSEP）中检测所述功率半导体模块（1）的当前温度（Tj，tsep）; 检测当前温度（Tj，tsep））和参考温度（Tj，zth）之间的温度差（ΔT）; 以及基于检测到的温度差（ΔT）确定功率半导体模块（1）的劣化。

2. 发明公开

EP3054306A1 Verfahren zur Bestimmung einer Alterung von Leistungshalbleitermodulen sowie Vorrichtung und Schaltungsanordnung 审中-公开
标题翻译：用于确定的功率半导体模块的老化方法和装置和电路
公开(公告)号：EP3054306A1
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：EP15153561.4
申请日：2015-02-03
申请人： Siemens Aktiengesellschaft
发明人： Butron-Ccoa, Jimmy Alexander , Lindemann, Andreas , Mitic, Gerhard
IPC分类号： G01R31/26 , G01K7/01 , H02M1/32
CPC分类号： G01R31/2619 , G01K3/10 , G01K7/01 , G01R31/046 , G01R31/2628 , G01R31/2642 , H02M2001/327 , H03K2017/0806
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Charakterisieren eines Leistungshalbleitermoduls (1) aufweisend zumindest ein Leistungshalbleiterbauelement (2) mit den Schritten:
- Bestimmen eines thermischen Modells (4) des Leistungshalbleitermoduls (1) zu einem Referenzzeitpunkt,
- Ermitteln einer Referenztemperatur (T j,zth ) anhand des thermischen Modells (4) des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Messen zumindest eines temperatursensitiven elektrischen Parameters (TSEP) des Leistungshalbleitermoduls (1) zu zumindest einem gegenüber dem Referenzzeitpunkt späteren Zeitpunkt im Betrieb des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Ermitteln einer aktuellen Temperatur (T j,tsep ) des Leistungshalbleitermoduls (1) aus dem zumindest einen gemessenen temperatursensitiven elektrischen Parameter (TSEP) des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Ermitteln einer Temperaturdifferenz (ΔT) zwischen der aktuellen Temperatur (T j,tsep ) und der Referenztemperatur (T j,zth ) und
- Bestimmen einer Alterung des Leistungshalbleitermoduls (1) anhand der ermittelten Temperaturdifferenz (ΔT).
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征功率半导体模块（1），包括至少一个功率半导体部件（2）包括以下步骤： - 确定一个热模型（4）的功率半导体模块（1）在时间上的参考点的， - 确定的参考温度（T J第Z）由功率半导体模块（1）的热模型（4）， - 测量所述电力半导体模块中的至少一个温度敏感电参数（TSEP）（1）相对于至少一个参考点的时间之后在功率半导体模块（1）的操作，以 - （确定当前温度 T J，TSEP）的功率半导体模块（1）从至少（功率半导体模块的测量温度敏感的电气参数TSEP）（1）， - 确定的实际温度（T J，TSEP）和参考温度之间的温度差（“T）（T 确定Leistun的劣化 - j）条和第i个 gshalbleitermoduls（1）的基础上所确定的温度差（“T）。

3. 发明授权

EP2615467B1 System and method for monitoring in real time the operating state of an IGBT device 有权转让
标题翻译：系统和方法，用于实时监测的IGBT装置的操作状态
公开(公告)号：EP2615467B1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：EP12150704.0
申请日：2012-01-11
申请人： ABB Research Ltd.
发明人： Sundaramoorthy, Vinoth , Heinemann, Alexander , Bianda, Enea , Zurfluh, Franz , Knapp, Gerold , Nistor, Iulian , Bloch, Richard
IPC分类号： G01R31/26 , H01L21/66 , G01K7/01
CPC分类号： H01L22/30 , G01K7/01 , G01K2217/00 , G01R31/2619 , G01R31/2642 , H03K17/18 , H03K2017/0806

4. 发明公开

EP1107011A1 Procédé et dispositif de mesure de la température de composants hyperfréquence 审中-公开
标题翻译：用于测量高频部件的温度的方法和设备
公开(公告)号：EP1107011A1
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：EP00403300.7
申请日：2000-11-24
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Tolant, Clément , Cordier, Joel , Eudeline, Philippe , Servain, Patrick
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R19/25 , G01R31/2619 , G01R31/2628 , G01R31/2632
摘要： La présente invention concerne un procédé et un dispositif de mesure de la température moyenne de composants.
Une suite d'impulsions de test de durée croissante est appliquée au composant, la puissance des impulsions étant représentative d'un état de fonctionnement du composant, une mesure de température de jonction étant effectuée à la fin de chaque impulsion pour obtenir une courbe représentative (42) de l'évolution de la température de jonction du composant en fonction du temps à partir des points de mesures (41) de température réalisée en fin de chaque impulsion.
Elle s'applique notamment pour la détermination de la température de jonction de composants électroniques hyperfréquence fonctionnant en mode continu ou en mode impulsionnel.

5. 发明授权

EP3875973B1 ANALYZING AN OPERATION OF A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
公开(公告)号：EP3875973B1
公开(公告)日：2024-05-08
申请号：EP20160411.3
申请日：2020-03-02
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2642 , G01R31/2619 , G01R31/2628 , G01R31/263 , G01R31/2632

6. 发明公开

EP2615467A1 System and method for monitoring in real time the operating state of an IGBT device 有权转让
标题翻译：系统与Verfahren zurÜberwachungdes Betriebszustands einer IGBT-Vorrichtung in Echtzeit
公开(公告)号：EP2615467A1
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：EP12150704.0
申请日：2012-01-11
申请人： ABB Research Ltd.
发明人： Sundaramoorthy, Vinoth , Heinemann, Alexander , Bianda, Enea , Zurfluh, Franz , Knapp, Gerold , Nistor, Iulian , Bloch, Richard
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： H01L22/30 , G01K7/01 , G01K2217/00 , G01R31/2619 , G01R31/2642 , H03K17/18 , H03K2017/0806
摘要： The present invention relates to a system for monitoring in real time the operating state of an IGBT device, in particular for determining a junction temperature and/or a remaining lifetime of an IGBT device, comprising:
- a differential unit for receiving a gate-emitter voltage characteristic of the IGBT device to be measured and for differentiating the gate-emitter voltage characteristic to obtain pulses correlating with edges formed by a Miller plateau phase during a switch-off phase of the IGBT device;
- a timer unit for measuring the time delay between the obtained pulses indicating the start and end of the Miller plateau phase during the switch-off phase of the IGBT device;
- a junction temperature calculation unit for determining the junction temperature and/or the remaining lifetime of the IGBT device based on the measured time delay.
摘要翻译：本发明涉及一种用于实时监测IGBT器件的工作状态的系统，特别是用于确定IGBT器件的结温和/或剩余寿命的系统，该系统包括：差分单元，用于接收栅极 - 发射极测量IGBT器件的电压特性，并且用于微分栅极 - 发射极电压特性，以在IGBT器件的关断阶段获得与由Miller平台相形成的边缘相关的脉冲; - 一个定时器单元，用于测量所述获得的脉冲之间的时间延迟，所述脉冲指示在IGBT器件的关断阶段期间的Miller平台相的开始和结束; - 结温计算单元，用于基于所测量的时间延迟来确定IGBT器件的结温和/或剩余寿命。

7. 发明公开

EP0336814A1 Dispositif et procédé de mesure thermique d'un transistor bipolaire en fonctionnement 失效
标题翻译： Einrichtung und Verfahren thermischen Messung eines bipolaren晶体管im Betrieb。
公开(公告)号：EP0336814A1
公开(公告)日：1989-10-11
申请号：EP89400849.9
申请日：1989-03-24
申请人： THOMSON-CSF
发明人： Benahim, Guy , Giraudon, Jean-Claude , Parquet, Thierry
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2619 , G01S7/282 , G01S7/4008
摘要： L'invention concerne un dispositif pour mesurer la température atteinte par la jonction d'un transistor bipolaire fonctionnant en amplificateur classe C.
L'invention réside dans le fait que l'on mesure la variation de la tension Vbe du transistor amplificateur (3) à courant constant i en dehors des impulsions à amplifier à l'aide d'un oscilloscope (16). Le courant constant i, qui est fourni par un générateur (17), est aiguillé soit vers le transistor (3) en dehors desdites impulsions, soit vers le transistor FET 13 pendant lesdites impulsions. Comme la mesure de la variation de Vbe est proportionnelle à la variation de la température de la jonction, on peut en déduire la température atteinte par la jonction.
L'invention est applicable aux amplificateurs pour émetteurs radars.
摘要翻译：该器件旨在测量作为C类放大器工作的双极晶体管的结点所达到的温度。用示波器（16）测量待放大脉冲外的放大器晶体管（3）的恒定电流i的电压Vbe的变化。恒定电流i由发生器（17）提供，并且在所述脉冲期间被引导到所述脉冲之外的晶体管（3）或FET晶体管（13）。由于Vbe的变化的测量与结的温度变化成比例，所以可以从其得到结的温度。适用于雷达发射机的放大器。

8. 发明公开

EP3373019A1 DEVICE AND METHOD FOR ONLINE HEALTH MANAGEMENT OF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 有权
公开(公告)号：EP3373019A1
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：EP16861543.3
申请日：2016-11-01
申请人： CRRC Zhuzhou Institute Co., Ltd.
发明人： LIU, Wenye , YANG, Jinfeng , HU, Jiaxi , LI, Yanyong , LUO, Jianbo , FU, Hangjie
IPC分类号： G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2619 , G01K7/01 , G01K2217/00 , G01R31/26 , G01R31/2601 , G01R31/2642
摘要： Disclosed are an on-line health management device and an on-line health management method for an insulated gate bipolar transistor. The device comprises: an electrothermal detection module, configured to detect a junction temperature and a temperature rise of the insulated gate bipolar transistor based on operating condition parameters of the insulated gate bipolar transistor in combination with a structure of the insulated gate bipolar transistor; a degradation detection module, configured to detect a performance degradation degree of the insulated gate bipolar transistor based on the operating condition parameters, the structure, the junction temperature and the temperature rise of the insulated gate bipolar transistor; and a lifetime detection module, configured to detect a consumed lifetime of the insulated gate bipolar transistor based on the performance degradation degree thereof.

9. 发明公开

EP1860446A1 Procédé et dispositif de mesure de température de jonction d'un composant électronique. 有权转让
标题翻译：用于测量电子元件的结温的方法和装置
公开(公告)号：EP1860446A1
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：EP07290636.5
申请日：2007-05-16
申请人： Converteam SAS
发明人： Gollentz, Bernard
IPC分类号： G01R31/26 , G01K7/01
CPC分类号： G01K7/01 , G01R31/2619 , G01R31/2628 , G01R31/2632
摘要： L'invention concerne un dispositif de mesure de la température de jonction d'un composant électronique (10) à semi-conducteurs dont la conduction est assurée par apport permanent de porteurs, qui comporte des moyens (20, 24, 26) de mesure d'une quantité électrique sur le composant lors d'une phase déterminée de fonctionnement du composant et des moyens (28, 30) de détermination de la température de jonction du composant à partir de la quantité électrique mesurée.
Lesdits moyens de mesure (20, 24, 26) de la dite quantité électrique sont propres à mesurer la quantité de charges évacuée par le composant lors de la phase de blocage postérieurement à la phase linéaire de variation de l'intensité.
摘要翻译：该方法涉及电气量的测量到的电子部件E.G. 二极管，通过在所述部件的预定操作阶段使用电流探针（20）。该部件的结点温度确定的开采，通过从电量的结温度判定部（28）。的阻塞期间由部件真空管电荷的电量darstellt量从规定的时刻在哪些被计数电流停止的线性变化。因此独立claimsoft包括用于测量电子部件的结点温度的设备。

10. 发明授权

EP1860446B1 Procédé et dispositif de mesure de température de jonction d'un composant électronique. 有权转让
公开(公告)号：EP1860446B1
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：EP07290636.5
申请日：2007-05-16
申请人： GE Energy Power Conversion France SAS
发明人： Gollentz, Bernard
IPC分类号： G01R31/26 , G01K7/01
CPC分类号： G01K7/01 , G01R31/2619 , G01R31/2628 , G01R31/2632

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