发明公开
EP3054306A1 Verfahren zur Bestimmung einer Alterung von Leistungshalbleitermodulen sowie Vorrichtung und Schaltungsanordnung
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： Verfahren zur Bestimmung einer Alterung von Leistungshalbleitermodulen sowie Vorrichtung und Schaltungsanordnung
- 专利标题（英）：Method for determining the ageing of power semiconductor modules and device and circuit assembly
- 专利标题（中）：用于确定的功率半导体模块的老化方法和装置和电路
- 申请号：EP15153561.4 申请日：2015-02-03
- 公开(公告)号：EP3054306A1 公开(公告)日：2016-08-10
- 发明人： Butron-Ccoa, Jimmy Alexander , Lindemann, Andreas , Mitic, Gerhard
- 申请人： Siemens Aktiengesellschaft
- 申请人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 专利权人： Siemens Aktiengesellschaft
- 当前专利权人： Siemens Aktiengesellschaft
- 当前专利权人地址： Wittelsbacherplatz 2 80333 München DE
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26 ; G01K7/01 ; H02M1/32
- Bestimmen eines thermischen Modells (4) des Leistungshalbleitermoduls (1) zu einem Referenzzeitpunkt,
- Ermitteln einer Referenztemperatur (T j,zth ) anhand des thermischen Modells (4) des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Messen zumindest eines temperatursensitiven elektrischen Parameters (TSEP) des Leistungshalbleitermoduls (1) zu zumindest einem gegenüber dem Referenzzeitpunkt späteren Zeitpunkt im Betrieb des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Ermitteln einer aktuellen Temperatur (T j,tsep ) des Leistungshalbleitermoduls (1) aus dem zumindest einen gemessenen temperatursensitiven elektrischen Parameter (TSEP) des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Ermitteln einer Temperaturdifferenz (ΔT) zwischen der aktuellen Temperatur (T j,tsep ) und der Referenztemperatur (T j,zth ) und
- Bestimmen einer Alterung des Leistungshalbleitermoduls (1) anhand der ermittelten Temperaturdifferenz (ΔT).
The invention relates to a method for characterizing a power semiconductor module (1) comprising at least one power semiconductor component (2) comprising the steps of:
- Determining a thermal model (4) of the power semiconductor module (1) to a reference time,
- Determining a reference temperature (T
j, ZTH) by the thermal model (4) of the power semiconductor module (1),
- Measuring at least one temperature sensitive electrical parameter (TSEP) of the power semiconductor module (1) to at least one relative to the reference point in time later in the operation of the power semiconductor module (1),
- Determining an actual temperature (T
j, tsep) of the power semiconductor module (1) from the at least one measured temperature sensitive electrical parameter (TSEP) of the power semiconductor module (1),
- Determining a temperature difference (AT) between the actual temperature (T
j, tsep) and the reference temperature (T
j, ZTH) and
- Determining a deterioration of the power semiconductor module (1) based on the determined temperature difference (.DELTA.T).
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |