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1. 发明公开

EP3054306A1 Verfahren zur Bestimmung einer Alterung von Leistungshalbleitermodulen sowie Vorrichtung und Schaltungsanordnung 审中-公开
标题翻译：用于确定的功率半导体模块的老化方法和装置和电路
公开(公告)号：EP3054306A1
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：EP15153561.4
申请日：2015-02-03
申请人： Siemens Aktiengesellschaft
发明人： Butron-Ccoa, Jimmy Alexander , Lindemann, Andreas , Mitic, Gerhard
IPC分类号： G01R31/26 , G01K7/01 , H02M1/32
CPC分类号： G01R31/2619 , G01K3/10 , G01K7/01 , G01R31/046 , G01R31/2628 , G01R31/2642 , H02M2001/327 , H03K2017/0806
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Charakterisieren eines Leistungshalbleitermoduls (1) aufweisend zumindest ein Leistungshalbleiterbauelement (2) mit den Schritten:
- Bestimmen eines thermischen Modells (4) des Leistungshalbleitermoduls (1) zu einem Referenzzeitpunkt,
- Ermitteln einer Referenztemperatur (T j,zth ) anhand des thermischen Modells (4) des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Messen zumindest eines temperatursensitiven elektrischen Parameters (TSEP) des Leistungshalbleitermoduls (1) zu zumindest einem gegenüber dem Referenzzeitpunkt späteren Zeitpunkt im Betrieb des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Ermitteln einer aktuellen Temperatur (T j,tsep ) des Leistungshalbleitermoduls (1) aus dem zumindest einen gemessenen temperatursensitiven elektrischen Parameter (TSEP) des Leistungshalbleitermoduls (1),
- Ermitteln einer Temperaturdifferenz (ΔT) zwischen der aktuellen Temperatur (T j,tsep ) und der Referenztemperatur (T j,zth ) und
- Bestimmen einer Alterung des Leistungshalbleitermoduls (1) anhand der ermittelten Temperaturdifferenz (ΔT).
摘要翻译：本发明涉及一种用于表征功率半导体模块（1），包括至少一个功率半导体部件（2）包括以下步骤： - 确定一个热模型（4）的功率半导体模块（1）在时间上的参考点的， - 确定的参考温度（T J第Z）由功率半导体模块（1）的热模型（4）， - 测量所述电力半导体模块中的至少一个温度敏感电参数（TSEP）（1）相对于至少一个参考点的时间之后在功率半导体模块（1）的操作，以 - （确定当前温度 T J，TSEP）的功率半导体模块（1）从至少（功率半导体模块的测量温度敏感的电气参数TSEP）（1）， - 确定的实际温度（T J，TSEP）和参考温度之间的温度差（“T）（T 确定Leistun的劣化 - j）条和第i个 gshalbleitermoduls（1）的基础上所确定的温度差（“T）。

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