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91. 发明公开

EP0706243A3 Distributed feedback semiconductor laser and method for producing the same 失效
标题翻译： Halbleiterlaser mit verteilterRückkopplungund Herstellungsverfahren
公开(公告)号：EP0706243A3
公开(公告)日：1996-11-13
申请号：EP95115272.7
申请日：1995-09-28
申请人： MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人： Kito, Masahiro , Matsui, Yasushi , Ishino, Masato , Nakamura, Shinji , Otsuka, Nobuyuki
IPC分类号： H01S3/00 , H01S3/085 , H01S3/025 , H01L21/208 , H01L21/20 , C30B25/12 , G02B6/12
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/0243 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01S5/0265 , H01S5/06256 , H01S5/12 , H01S5/1228 , H01S5/1231 , H01S5/125 , H01S5/2077 , H01S5/2081 , H01S5/2272 , H01S5/2275 , H01S5/32391 , H01S5/34306 , H01S5/3434 , H01S5/34373
摘要： In a distributed feedback semiconductor laser includes an InP substrate and a multiple layer structure formed on a main surface of the InP substrate, the multiple layer structure includes at least an active layer for emitting laser light and a periodical structure for distributed feedback of the laser light, and the periodical structure includes a plurality of semiconductor regions each having a triangular cross section in a direction perpendicular to the main surface of the InP substrate and parallel to a cavity length of the distributed feedback semiconductor laser, the triangular cross section projecting toward the InP substrate. Said DFB laser can be index - or gain - coupled by an absorbing grating. Saind DFB laser can be monolithically integrated with a modulator.
摘要翻译：在分布式反馈半导体激光器中，包括InP衬底和形成在InP衬底的主表面上的多层结构，多层结构至少包括用于发射激光的有源层和用于激光的分布反馈的周期性结构并且周期性结构包括多个半导体区域，每个半导体区域在垂直于InP衬底的主表面的方向上具有三角形横截面并且平行于分布式反馈半导体激光器的腔长度，三角形横截面朝向InP 基质。

92. 发明授权

EP0560491B1 Semiconductor laser device and method of producing the same 失效
标题翻译：一种半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：EP0560491B1
公开(公告)日：1996-07-17
申请号：EP93300902.9
申请日：1993-02-08
申请人： THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.
发明人： Iwase, Masayuki, The Furukawa Electric Co. Ltd.
IPC分类号： H01S3/19 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2275 , H01S5/3202 , H01S5/32391

93. 发明授权

EP0536757B1 Semiconductor laser 失效
公开(公告)号：EP0536757B1
公开(公告)日：1996-03-27
申请号：EP92117220.1
申请日：1992-10-08
申请人： NEC CORPORATION
发明人： Terakado, Tomoji, c/o NEC Corporation
IPC分类号： H01S3/19 , H04B10/00
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/2004 , H01S5/2275 , H01S5/3211 , H01S5/3235 , H01S5/32391

94. 发明公开

EP0669657A2 Heterojunction type semiconductor device having ordered phase alloy layers for active and cladding layers 失效
标题翻译：具有有源层和边界层的合金有序相异质结的半导体器件。
公开(公告)号：EP0669657A2
公开(公告)日：1995-08-30
申请号：EP95102696.2
申请日：1995-02-24
申请人： NEC CORPORATION
发明人： Gomyo, Akiko, c/o NEC Corp. , Suzuki, Tohru, c/o NEC Corp.
IPC分类号： H01L29/15
CPC分类号： H01S5/3235 , B82Y10/00 , H01L29/158 , H01L29/201 , H01L33/16 , H01S5/3207 , H01S5/32325 , H01S5/32391 , H01S2302/00
摘要： 57 A heterojunction semiconductor device has a plurality of ordered phase alloy layers (1). Either the whole or a part of each of the ordered phase alloy layers has a crystal structure (triple-period structure) in which the ordered alloy (11) is of a composition corresponding to the [111]A direction and an anion composition modulation period that is triple that of a disordered structure (12). The double-period structure may alternatively be used. The triple-period or double-period structure applied to the layer structure of the heterostructure semiconductor device results in a reduction of the bandgap.
摘要翻译：异质结半导体器件具有有序相合金层（1）的复数。任一的全部或各有序相合金层的一部分具有晶体结构（三周期结构），其中所述有序合金（11）是对应于[111] A方向和阴离子组分调制周期的组合物的没被三重做了无序结构（12）的。可替代地使用双周期结构。三重周期或双周期结构施加到异质结构半导体装置的结果的层结构中的降低带隙的。

95. 发明公开

EP0665581A1 Method of processing an epitaxial wafer of InP or the like 失效
标题翻译： Verbbeitungsverfahrenfüreine epitaktische InP-Scheibe oderähnliches材料。
公开(公告)号：EP0665581A1
公开(公告)日：1995-08-02
申请号：EP95300040.3
申请日：1995-01-04
申请人： Sumitomo Electric Industries, Ltd.
发明人： Iwasaki, Takashi, c/o Osaka Works of
IPC分类号： H01L21/306 , H01S3/19 , H01L33/00 , H01L31/18
CPC分类号： H01S5/227 , H01L21/30612 , H01L21/30617 , H01L21/30621 , H01L31/1844 , H01L33/0062 , H01S5/209 , H01S5/2201 , H01S5/2275 , H01S5/32391 , Y02E10/544
摘要： Fine processing of InP epitaxial wafers including As, In and P for producing laser diodes, light emitting diodes or photodiodes. The InP epitaxial wafer is selectively covered with striped protection mask films. The wafer is etched by some etchant which forms normal-mesas or mountain-shaped stripes under the masks. Then the wafer is again etched by a gas of thermally dissolved AsCl₃ till the stripes have rectangle sections with erect surfaces. Buried layers of InP are grown on the eliminated parts of the wafer.
摘要翻译：包括用于制造激光二极管，发光二极管或光电二极管的As，In和P的InP外延晶片的精细加工。 InP外延晶片被选择性地覆盖有条纹保护掩模膜。通过在掩模下形成正常台面或山形条纹的一些蚀刻剂来蚀刻晶片。然后再通过热溶解的AsCl 3的气体蚀刻晶片，直到条纹具有具有直立表面的矩形部分。嵌入的InP层被生长在晶片的消除部分上。

96. 发明公开

EP0587500A1 Procédé de fabrication de dispositifs électro-optiques à ruban, notamment de lasers, et dispositifs ainsi obtenus 失效
标题翻译：用于与带结构的电光装置，主要是激光器，并以类似的方式制备器件制造方法。
公开(公告)号：EP0587500A1
公开(公告)日：1994-03-16
申请号：EP93402195.7
申请日：1993-09-09
申请人： FRANCE TELECOM
发明人： Loualiche, Slimane , Vaudry, Claude , Henry, Loic
IPC分类号： H01S3/19 , G02B6/12
CPC分类号： H01S5/227 , H01S5/0425 , H01S5/2081 , H01S5/2213 , H01S5/2214 , H01S5/2275 , H01S5/32391
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électro-optique à semi-conducteur comprenant une région active en forme de ruban, caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes qui consistent à : i) réaliser les diverses couches (120, 130, 140, 150, 160) composant la structure complète du dispositif électro-optique, par une seule épitaxie, ii) graver la structure obtenue à l'étape i) jusqu'à la base de la couche active (130) du dispositif électro-optique, pour isoler un ruban dans celle-ci, et iii) déposer sur la zone gravée, un matériau électriquement isolant d'indice contrôlé (170). L'invention concerne également les dispositifs ainsi obtenus.
摘要翻译：本发明涉及一种电光学半导体器件以条纹形式的活性区域的，包括的制造方法，DASS它包括在于以下步骤：使各种层（120，130，140 I）， 150，160）在所述电光学装置的完整结构，在一个单一的外延生长阶段，ⅱ）蚀刻）的电光学装置的在步骤i获得的结构，只要在有源层（130的基部）为了分离其中的条纹，和iii）电沉积在经蚀刻的区域的绝缘材料（170）具有受控的索引。因此，本发明涉及由此获得的装置。

97. 发明授权

EP0312401B1 Semiconductor devices and method of manufacturing the same 失效
标题翻译：半导体器件和制造工艺。
公开(公告)号：EP0312401B1
公开(公告)日：1993-12-15
申请号：EP88309683.6
申请日：1988-10-14
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Eguchi, Kazuhiro , Sadamasa, Tetsuo , Furuyama, Hideto , Hirayama, Yuzo
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00 , H01L29/04 , H01S3/19 , H01S3/025
CPC分类号： H01L21/02639 , H01L21/02392 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/1029 , H01L31/105 , H01L33/0062 , H01S5/2201 , H01S5/2203 , H01S5/227 , H01S5/3202 , H01S5/32391 , Y10S438/973

98. 发明公开

EP0533485A1 Semiconductor device and method of making it 失效
标题翻译： Halbleiter-Vorrichtung und Methode zu deren Herstellung。
公开(公告)号：EP0533485A1
公开(公告)日：1993-03-24
申请号：EP92308512.0
申请日：1992-09-18
申请人： MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人： Abe,Yuji, c/o Mitsubishi Denki K.K.
IPC分类号： H01S3/085
CPC分类号： H01S5/12 , H01S5/1225 , H01S5/125 , H01S5/32391
摘要： A semiconductor laser includes an active layer (3), a cladding layer (4) disposed on the active layer and made of a semiconductor material having a larger energy band than the material of the active layer. A diffraction grating layer (5) is disposed within the cladding layer in a portion close to the active layer. The diffraction grating layer has a multi-layered structure comprising a stack of sub-layers of a plurality of semiconductor materials which can be selectively etched. An optical resonator is formed by the active layer, the cladding layer, and a second cladding layer sandwiching the active layer with the first cladding layer. The diffraction grating layer includes a portion in which the number of the sub-layers is different from the number of the sub-layers in the remaining portion, whereby portions of different coupling coefficients are formed along the axial direction of the optical resonator which constitutes a major section of the semiconductor laser.
摘要翻译：半导体激光器包括有源层（3），设置在有源层上并由具有比有源层的材料更大的能带的半导体材料制成的覆层（4）。衍射光栅层（5）在靠近有源层的部分内设置在包覆层内。衍射光栅层具有多层结构，其包括可选择性蚀刻的多个半导体材料的子层堆叠。光学谐振器由有源层，包层和与第一覆层夹持有源层的第二覆层形成。衍射光栅层包括子层数与剩余部分中的子层数不同的部分，由此构成不同耦合系数的部分沿构成光谐振器的光谐振器的轴向形成半导体激光器的主要部分。

99. 发明公开

EP0496301A1 Optical waveguide formed of compound semiconductor materials and process of its fabrication 失效
标题翻译：制成的半导体化合物和及其制备方法的材料的光波导。
公开(公告)号：EP0496301A1
公开(公告)日：1992-07-29
申请号：EP92100771.2
申请日：1992-01-17
申请人： NEC CORPORATION
发明人： Kato, Tomoaki c/o NEC Corporation , Komatsu, Keiro c/o NEC Corporation , Sasaki, Tatsuya c/o NEC Corporation
IPC分类号： G02B6/10
CPC分类号： H01L27/15 , G02B6/131 , H01S5/0265 , H01S5/12 , H01S5/20 , H01S5/32391
摘要： An optical waveguide is fabricated on a substrate (1) of n-type indium phosphide, and comprises a guiding layer (3) of intentionally undoped indium gallium arsenide sandwiched between lower and upper cladding layers (2; 4) of intentionally undoped indium phosphide, wherein the upper cladding layer (4) has a ridge (6) epitaxially grown on a part of an upper surface of the upper cladding layer so that the optical waveguide achieves low propagation losses.
摘要翻译：光波导的基板上制作的n型磷化铟（1），并包括引导层（3）有意未掺杂的砷化铟镓夹在下和上包层之间的（2; 4）有意未掺杂的磷化铟， worin上包层（4）具有一脊部（6）外延生长在所述上包层的上表面的一部分，以便做光波导实现了低传播损耗。

100. 发明公开

EP0433051A3 A semiconductor laser device and a method of producing the same 失效
标题翻译：一种半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：EP0433051A3
公开(公告)日：1992-04-15
申请号：EP90313536.6
申请日：1990-12-12
申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： Konushi, Fumihiro , Nakatsu, Hiroshi , Inoguchi, Kazuhiko , Okumura, Toshiyuki , Seki, Akinori , Takiguchi, Haruhisa , Nakanishi, Chitose , Sugahara, Satoshi , Kudo, Hiroaki
IPC分类号： H01S3/19 , H01S3/25 , H01S3/085 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/227 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0062 , H01S5/12 , H01S5/1228 , H01S5/20 , H01S5/2059 , H01S5/2201 , H01S5/2213 , H01S5/2272 , H01S5/2275 , H01S5/32391 , H01S5/4031 , H01S5/4037
摘要： A semiconductor laser device having a mesa stripe whose side faces are facets of {111} planes is disclosed. In the laser device, a current blocking layer is formed on a semiconductor substrate whose main surface is a (100) plane, and a channel which is oriented along the direction is formed in the current blocking layer. The mesa stripe is formed on the substrate within the channel by a selective growth technique. The mesa stripe has a multilayer structure including an active layer and is covered by a burying layer.

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