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1. 发明公开

EP0226445A2 Laser array 失效
标题翻译： Vielfachanordnung von Lasern。
公开(公告)号：EP0226445A2
公开(公告)日：1987-06-24
申请号：EP86309597.2
申请日：1986-12-10
申请人： XEROX CORPORATION
发明人： Thornton, Robert L. , Sang, Henry W., Jr. , Paoli, Thomas L. , Burnham, Robert D.
IPC分类号： H01S3/25 , G06K15/12
CPC分类号： G06K15/1247 , B41J2/465 , G06K15/1252 , H01S5/2059 , H01S5/2063 , H01S5/2232 , H01S5/2234 , H01S5/3428 , H01S5/4031 , H01S5/4037 , H01S5/405
摘要： A incoherent, optically-uncoupled laser array (40, 60) for an electro-optic line modulator, a line printer or the like, comprises a plurality of spatial laser emitters (54) having high power density and a uniform far field emission pattern. Structural means is provided in the array to permit the spacing of the emitters sufficiently close to provide a uniform far field emission pattern without permittng phase-locking between adjacent emitters of the array. The structural means may comprise geometric lateral and diagonal displacement (43) of adjacent optical cavities of the laser elements. Alternatively, the structural means may comprise a plurality of spatially-disposed isolation regions (72) extending across the laser array and extending into the laser array a distance sufficient to isolate the optical cavities (78) of the laser elements from one another, to prevent optical coupling between adjacent laser elements. The spatial isolation regions may be formed into the fabricated laser array using impurity-induced disordering (IID).
摘要翻译：激光器阵列（40）具有高功率密度的一组空间发射器（54）。该结构提供激光元件的相邻光学腔的几何横向和对角位移（43）。或者，一组空间上设置的隔离区域延伸穿过该阵列并且足以将激光元件的光学腔彼此隔离以防止相邻的隔离区域之间的光学耦合。隔离区域可以使用杂质诱导的无序化形成制造的激光器阵列。

2. 发明公开

EP1630915A3 Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement mit einer Quantentopfstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung 审中-公开
标题翻译：发射辐射的光电子器件，其包括用于其制备的量子阱结构和工艺
公开(公告)号：EP1630915A3
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：EP05016464.9
申请日：2005-07-28
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH
发明人： Brückner, Peter , Scholz, Ferdinand , Neubert, Barbara , Habel, Frank
IPC分类号： H01S5/227 , H01S5/343 , H01S5/40 , H01L33/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/1228 , H01S5/2272 , H01S5/341 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4037 , H01S5/405
摘要： Bei einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement mit einer aktiven Zone, die eine Quantentopfstruktur (5) aufweist, die mindestens ein erstes Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält, ist die Quantentopfstruktur (5) auf mindestens einer Seitenfacette (9) einer nicht planaren Struktur (4), die mindestens ein zweites Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält, aufgewachsen. Durch das Aufwachsen der Quantentopfstruktur (5) auf eine Seitenfacette (9) werden durch Gitterfehlanpassungen verursachte piezolelektrische Felder vorteilhaft verringert und die Homogenität der Quantentopfstruktur (5) verbessert.

3. 发明授权

EP0433051B1 A semiconductor laser device and a method of producing the same 失效
标题翻译：相同的半导体激光器及其制造方法
公开(公告)号：EP0433051B1
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：EP90313536.6
申请日：1990-12-12
申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： Konushi, Fumihiro , Nakatsu, Hiroshi , Inoguchi, Kazuhiko , Okumura, Toshiyuki , Seki, Akinori , Takiguchi, Haruhisa , Nakanishi, Chitose , Sugahara, Satoshi , Kudo, Hiroaki
IPC分类号： H01S3/19 , H01S3/25 , H01S3/085 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/227 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0062 , H01S5/12 , H01S5/1228 , H01S5/20 , H01S5/2059 , H01S5/2201 , H01S5/2213 , H01S5/2272 , H01S5/2275 , H01S5/32391 , H01S5/4031 , H01S5/4037

4. 发明授权

EP0532133B1 Laser array 失效
标题翻译：激光器的多重配置
公开(公告)号：EP0532133B1
公开(公告)日：1996-04-03
申请号：EP92203738.7
申请日：1986-12-10
申请人： XEROX CORPORATION
发明人： Thornton, Robert L. , Sang, Henry W., Jr. , Paoli, Thomas L. , Burnham, Robert D.
IPC分类号： H01S3/23 , G06K15/12
CPC分类号： G06K15/1247 , B41J2/465 , G06K15/1252 , H01S5/2059 , H01S5/2063 , H01S5/2232 , H01S5/2234 , H01S5/3428 , H01S5/4031 , H01S5/4037 , H01S5/405

5. 发明公开

EP0433051A2 A semiconductor laser device and a method of producing the same 失效
标题翻译：一种半导体激光装置及其制造方法
公开(公告)号：EP0433051A2
公开(公告)日：1991-06-19
申请号：EP90313536.6
申请日：1990-12-12
申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： Konushi, Fumihiro , Nakatsu, Hiroshi , Inoguchi, Kazuhiko , Okumura, Toshiyuki , Seki, Akinori , Takiguchi, Haruhisa , Nakanishi, Chitose , Sugahara, Satoshi , Kudo, Hiroaki
IPC分类号： H01S3/19 , H01S3/25 , H01S3/085 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/227 , H01L21/02392 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L33/0062 , H01S5/12 , H01S5/1228 , H01S5/20 , H01S5/2059 , H01S5/2201 , H01S5/2213 , H01S5/2272 , H01S5/2275 , H01S5/32391 , H01S5/4031 , H01S5/4037
摘要： A semiconductor laser device having a mesa stripe whose side faces are facets of {111} planes is disclosed. In the laser device, a current blocking layer is formed on a semiconductor substrate whose main surface is a (100) plane, and a channel which is oriented along the direction is formed in the current blocking layer. The mesa stripe is formed on the substrate within the channel by a selective growth technique. The mesa stripe has a multilayer structure including an active layer and is covered by a burying layer.
摘要翻译：公开了具有侧面为{111}面的小平面的台面条纹的半导体激光装置。在激光装置中，在主面为（100）面的半导体基板上形成电流阻挡层，在电流阻挡层中形成沿<011>方向取向的沟道。台面条纹通过选择性生长技术形成在通道内的衬底上。台面条纹具有包括有源层的多层结构并且被埋层覆盖。

6. 发明公开

EP2908390A2 Semiconductor laser light source 审中-公开
标题翻译：半导体激光光源
公开(公告)号：EP2908390A2
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：EP14199151.3
申请日：2014-12-19
申请人： Mitsubishi Electric Corporation
发明人： Hasegawa, Yuki , Futami, Mitsuaki , Yoshihara, Toru
IPC分类号： H01S5/022 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/02208 , H01S5/022 , H01S5/02236 , H01S5/02268 , H01S5/40 , H01S5/4025 , H01S5/4037 , H01S5/4087
摘要： A semiconductor laser light source (10) includes a semiconductor laser block (2) mounted on a stem (1) which is a support base, the semiconductor laser block (2) which is a block has a plurality of surfaces, and a plurality of semiconductor laser chips (3) emit laser light beams of different wavelengths, respectively. Each of the semiconductor laser chips (3) is mounted on each surface of the semiconductor laser block (2).
摘要翻译：半导体激光光源（10）包括安装在作为支撑基座的芯柱（1）上的半导体激光器块（2），作为块的半导体激光器块（2）具有多个表面，并且多个半导体激光器芯片（3）分别发射不同波长的激光束。每个半导体激光器芯片（3）安装在半导体激光器块（2）的每个表面上。

7. 发明公开

EP1630915A2 Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement mit einer Quantentopfstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung 审中-公开
标题翻译：发射辐射的光电子器件，其包括用于其制备的量子阱结构和工艺
公开(公告)号：EP1630915A2
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：EP05016464.9
申请日：2005-07-28
申请人： Osram Opto Semiconductors GmbH
发明人： Brückner, Peter , Scholz, Ferdinand , Neubert, Barbara , Habel, Frank
IPC分类号： H01S5/227 , H01S5/343 , H01S5/40 , H01L33/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/1228 , H01S5/2272 , H01S5/341 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4037 , H01S5/405
摘要： Bei einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement mit einer aktiven Zone, die eine Quantentopfstruktur (5) aufweist, die mindestens ein erstes Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält, ist die Quantentopfstruktur (5) auf mindestens einer Seitenfacette (9) einer nicht planaren Struktur (4), die mindestens ein zweites Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält, aufgewachsen. Durch das Aufwachsen der Quantentopfstruktur (5) auf eine Seitenfacette (9) werden durch Gitterfehlanpassungen verursachte piezolelektrische Felder vorteilhaft verringert und die Homogenität der Quantentopfstruktur (5) verbessert.
摘要翻译：发射辐射的光电子器件具有有源区，其包括氮化物半导体与生长在至少一个侧面上的量子锅结构（5）的非平面结构（9）（4）那样至少含有第二氮化物半导体材料。因此独立claimsoft被包括用于在上述的制造方法。

9. 发明公开

EP0803949A3 Dispositif laser à diodes agencées dans des barrettes semi-conductrices 失效
标题翻译：布置在所述半导体棒二极管器件
公开(公告)号：EP0803949A3
公开(公告)日：1998-03-04
申请号：EP97400861.7
申请日：1997-04-17
申请人： COMPAGNIE INDUSTRIELLE DES LASERS CILAS
发明人： Apollonov, Victor Victorovich , Babayants, Gennadiy Ivanovich , Derjavin, Sergey Igorevich , Kishmakhov, Batory Shakhimovich , Koval, Yury Petrovich , Kuzminov, Vitaliy Vladimirovich , Mashkovsky, Dmitry Alecsandrovich , Prokhorov, Alexandr Mikhaylovich , Smekalin, Victor Pavlovich , Cornillault, Jean
IPC分类号： H01S3/25 , H01S3/043 , H01S3/025 , H01S3/085
CPC分类号： H01S5/02236 , H01S5/02276 , H01S5/024 , H01S5/02423 , H01S5/0425 , H01S5/4018 , H01S5/4025 , H01S5/4037 , H01S5/4056 , H01S5/42
摘要： La présente invention concerne un dispositif laser à diodes comportant :
un substrat (1) diffuseur de chaleur, en une matière bonne conductrice de la chaleur, dans une face duquel est réalisé un système de nervures et de rainures parallèles ; et une pluralité de barrettes semi-conductrices ( 12 à 15) incorporant lesdites diodes et logées longitudinalement dans lesdites rainures. Selon l'invention, ce dispositif est caractérisé en ce que lesdites nervures présentent une section au moins approximativement en forme d'un triangle relié audit substrat (1) par l'un de ses côtés et en ce que chaque barrette semi-conductrice est fixée à plat sur un flanc oblique (7,8) d'une desdites nervures (2)

10. 发明公开

EP0532133A3 Laser array 失效
标题翻译：激光阵列
公开(公告)号：EP0532133A3
公开(公告)日：1993-03-24
申请号：EP92203738.7
申请日：1986-12-10
申请人： XEROX CORPORATION
发明人： Thornton, Robert L. , Sang, Henry W., Jr. , Paoli, Thomas L. , Burnham, Robert D.
IPC分类号： H01S3/23 , G06K15/12
CPC分类号： G06K15/1247 , B41J2/465 , G06K15/1252 , H01S5/2059 , H01S5/2063 , H01S5/2232 , H01S5/2234 , H01S5/3428 , H01S5/4031 , H01S5/4037 , H01S5/405
摘要： A incoherent, optically-uncoupled laser array (40, 60) for an electro-optic line modulator, a line printer or the like, comprises a plurality of spatial laser emitters (54) having high power density and a uniform far field emission pattern. Structural means is provided in the array to permit the spacing of the emitters sufficiently close to provide a uniform far field emission pattern without permitting phase-locking between adjacent emitters of the array. The structural means may comprise geometric lateral and diagonal displacement (43) of adjacent optical cavities of the laser elements. Alternatively, the structural means may comprise a plurality of spatially-disposed isolation regions (72) extending across the laser array and extending into the laser array a distance sufficient to isolate the optical cavities (78) of the laser elements from one another, to prevent optical coupling between adjacent laser elements. The spatial isolation regions may be formed into the fabricated laser array using impurity-induced disordering (IID).

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