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1. 发明专利

TW201111548A ＣＶＤ腔室之流體控制特徵結構 FLOW CONTROL FEATURES OF CVD CHAMBERS 审中-公开
简体标题：ＣＶＤ腔室之流体控制特征结构 FLOW CONTROL FEATURES OF CVD CHAMBERS
公开(公告)号：TW201111548A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099123311
申请日：2010-07-15
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：祝基恩N , 梁奇偉 , 蓋葉韓D , 陳興隆 , 米勒馬修 , 朴書南 , 崔恩托恩Q , 坎艾德柏 , 楊章喬 , 路布米斯基德米崔 , 凡卡塔拉曼尚卡爾
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/452 , C23C16/45574 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T137/85938
摘要：本發明提供用於氣體散佈組件之設備與方法。在一態樣中，提供一種氣體散佈組件，其包含：一環形本體，其包含：一環形圈，其具有一內環形壁、一外壁、一上表面與一底表面；一上凹部，其形成到該上表面內；及一座部，其形成到該內環形壁內；一上板，其設置在該上凹部中且包含：一碟形本體，其具有複數個形成通過其間之第一穿孔；及一底板，其設置在該座部上且包含：一碟形本體，其具有複數個形成通過其間之第二穿孔，該些第二穿孔和該些第一穿孔對準；及複數個第三穿孔，其形成在該些第二穿孔之間且通過該底板，該底板係密封地耦接到該上板以將該複數個第一與第二穿孔和該複數個第三穿孔流體地隔離。
简体摘要：本发明提供用于气体散布组件之设备与方法。在一态样中，提供一种气体散布组件，其包含：一环形本体，其包含：一环形圈，其具有一内环形壁、一外壁、一上表面与一底表面；一上凹部，其形成到该上表面内；及一座部，其形成到该内环形壁内；一上板，其设置在该上凹部中且包含：一碟形本体，其具有复数个形成通过其间之第一穿孔；及一底板，其设置在该座部上且包含：一碟形本体，其具有复数个形成通过其间之第二穿孔，该些第二穿孔和该些第一穿孔对准；及复数个第三穿孔，其形成在该些第二穿孔之间且通过该底板，该底板系密封地耦接到该上板以将该复数个第一与第二穿孔和该复数个第三穿孔流体地隔离。

2. 发明专利

TW201637124A 用於電漿處理系統的高溫夾盤审中-公开
简体标题：用于等离子处理系统的高温夹盘
公开(公告)号：TW201637124A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105101264
申请日：2016-01-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 馬立克蘇坦 , MALIK, SULTAN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 羅伊珊胡N , ROY, SHAMBHU N. , 小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 曹台昇 , CHO, TAE SEUNG , 朴書南 , PARK, SOONAM , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/673
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/3065 , H01L21/67103
摘要：一種晶圓夾盤組件包括吸盤、軸和基底。絕緣材料界定吸盤的頂表面；加熱器元件係鑲嵌於絕緣材料內；及導電板位於絕緣材料之下。軸包括與板耦接的外殼；及用於加熱器元件和電極的電連接器。導電基底外殼與軸外殼耦接；且連接器通過在基底外殼內的端子塊。一種電漿處理的方法，包括以下步驟：將工件負載至具有絕緣頂表面的夾盤上；提供跨越在頂表面內之兩個電極的DC電壓差；藉由將電流通過加熱器元件而加熱夾盤；提供在腔室中環繞夾盤的製程流體；及提供在夾盤之下的導電板和腔室之一或多個壁之間的RF電壓。
简体摘要：一种晶圆夹盘组件包括吸盘、轴和基底。绝缘材料界定吸盘的顶表面；加热器组件系镶嵌于绝缘材料内；及导电板位于绝缘材料之下。轴包括与板耦接的外壳；及用于加热器组件和电极的电连接器。导电基底外壳与轴外壳耦接；且连接器通过在基底外壳内的端子块。一种等离子处理的方法，包括以下步骤：将工件负载至具有绝缘顶表面的夹盘上；提供跨越在顶表面内之两个电极的DC电压差；借由将电流通过加热器组件而加热夹盘；提供在腔室中环绕夹盘的制程流体；及提供在夹盘之下的导电板和腔室之一或多个壁之间的RF电压。

3. 发明专利

TW200943470A 平衡之基板支撐件 COUNTER-BALANCED SUBSTRATE SUPPORT 失效
简体标题：平衡之基板支撑件 COUNTER-BALANCED SUBSTRATE SUPPORT
公开(公告)号：TW200943470A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097143147
申请日：2008-11-07
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：露波默斯基德米翠 , 崔恩托恩Q , 崔倫 , 荷納迪斯曼紐A , 福洛德可比H , 葉怡利Y
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6719 , H01L21/67017 , H01L21/68742 , H01L21/68792
摘要：本發明係描述一種半導體製程系統。該系統包括一具有內部的製程腔室，該內部能夠使內部腔室壓力保持在周圍大氣壓力以下。該系統亦包括耦接至腔室並適於將物質自製程腔室移除的抽氣系統。該系統更包括一基板支撐臺座，其中該基板支撐臺座係牢固地耦接至延伸穿過製程腔室之一壁的基板支撐軸桿。位於製程腔室外側之托架係牢固地及有時可旋轉地耦接至基板支撐軸桿。耦接至托架的馬達可經致動以將基板支撐臺座、軸桿及托架由第一位置垂直移動至接近製程板的一第二位置。安裝在托架之一端的活塞係提供傾斜力量的配衡力量，其中傾斜力量係由內部腔室壓力的改變而造成，因而導致托架及基板支撐件的位置偏斜。配衡力量係降低了托架及基板支撐件的偏斜。
简体摘要：本发明系描述一种半导体制程系统。该系统包括一具有内部的制程腔室，该内部能够使内部腔室压力保持在周围大气压力以下。该系统亦包括耦接至腔室并适于将物质自制程腔室移除的抽气系统。该系统更包括一基板支撑台座，其中该基板支撑台座系牢固地耦接至延伸穿过制程腔室之一壁的基板支撑轴杆。位于制程腔室外侧之托架系牢固地及有时可旋转地耦接至基板支撑轴杆。耦接至托架的马达可经致动以将基板支撑台座、轴杆及托架由第一位置垂直移动至接近制程板的一第二位置。安装在托架之一端的活塞系提供倾斜力量的配衡力量，其中倾斜力量系由内部腔室压力的改变而造成，因而导致托架及基板支撑件的位置偏斜。配衡力量系降低了托架及基板支撑件的偏斜。

4. 发明专利

TWI379358B 遠端電漿源的陳化方法 REMOTE PLASMA SOURCE SEASONING 有权
简体标题：远程等离子源的陈化方法 REMOTE PLASMA SOURCE SEASONING
公开(公告)号：TWI379358B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW099127602
申请日：2010-08-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：朴書南 , 全洙 , 崔恩托恩Q , 楊章喬 , 梁奇偉 , 路布米斯基德米崔
IPC分类号： H01L , H01J , C23C
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/401 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , Y10S438/905
摘要：在此描述陳化(seasoning)遠端電漿系統的方法。該等方法包括以下步驟：將含矽前驅物流進遠端電漿區域，以沉積含矽膜於遠端電漿系統的內部表面上。該等方法減少沉積製程期間與陳化壁的反應，造成沉積速率改善、沉積均勻性改善並且減少後續沉積期間的缺陷度。
简体摘要：在此描述陈化(seasoning)远程等离子系统的方法。该等方法包括以下步骤：将含硅前驱物流进远程等离子区域，以沉积含硅膜于远程等离子系统的内部表面上。该等方法减少沉积制程期间与陈化壁的反应，造成沉积速率改善、沉积均匀性改善并且减少后续沉积期间的缺陷度。

5. 发明专利

TWI363152B 間縫閥 SLIT VALVE 有权
简体标题：间缝阀 SLIT VALVE
公开(公告)号：TWI363152B
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW096130755
申请日：2007-08-20
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：崔恩托恩Q , 盧波莫斯基迪米崔 , 崔倫 , 方元
IPC分类号： F16K
CPC分类号： H01L21/67126
摘要：本發明係提供一種用於製程室且具有改進的密封性能之閥組件的實施例。在部分實施例中，用於製程室的閥組件包括：一外殼，具有設置在其壁中的一開口，並且基材可傳送通過該開口；一門，係在實質平行於外殼的壁之平面中而可移動地耦接至外殼，用於選擇性地密封開口；一可壓縮密封構件，係設置而至少部分位於門的上表面和外殼的相應表面之間，並且當門位於關閉位置時，藉由在實質垂直於壁的方向上壓縮可壓縮密封構件而在二者之間形成密封；以及一機構，用於限制可壓縮密封構件暴露於外殼的製程室側之環境。
简体摘要：本发明系提供一种用于制程室且具有改进的密封性能之阀组件的实施例。在部分实施例中，用于制程室的阀组件包括：一外壳，具有设置在其壁中的一开口，并且基材可发送通过该开口；一门，系在实质平行于外壳的壁之平面中而可移动地耦接至外壳，用于选择性地密封开口；一可压缩密封构件，系设置而至少部分位于门的上表面和外壳的相应表面之间，并且当门位于关闭位置时，借由在实质垂直于壁的方向上压缩可压缩密封构件而在二者之间形成密封；以及一机构，用于限制可压缩密封构件暴露于外壳的制程室侧之环境。

6. 发明专利

TWI700776B 用於電漿處理系統的高溫夾盤有权
简体标题：用于等离子处理系统的高温夹盘
公开(公告)号：TWI700776B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105101264
申请日：2016-01-15
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 馬立克蘇坦 , MALIK, SULTAN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 羅伊珊胡N , ROY, SHAMBHU N. , 小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 曹台昇 , CHO, TAE SEUNG , 朴書南 , PARK, SOONAM , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/673

7. 发明专利

TW201123302A 遠端電漿源的陳化方法 REMOTE PLASMA SOURCE SEASONING 审中-公开
简体标题：远程等离子源的陈化方法 REMOTE PLASMA SOURCE SEASONING
公开(公告)号：TW201123302A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW099127602
申请日：2010-08-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：朴書南 , 全洙 , 崔恩托恩Q , 楊章喬 , 梁奇偉 , 路布米斯基德米崔
IPC分类号： H01L , H01J , C23C
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/401 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , Y10S438/905
摘要：在此描述陳化(seasoning)遠端電漿系統的方法。該等方法包括以下步驟：將含矽前驅物流進遠端電漿區域，以沉積含矽膜於遠端電漿系統的內部表面上。該等方法減少沉積製程期間與陳化壁的反應，造成沉積速率改善、沉積均勻性改善並且減少後續沉積期間的缺陷度。
简体摘要：在此描述陈化(seasoning)远程等离子系统的方法。该等方法包括以下步骤：将含硅前驱物流进远程等离子区域，以沉积含硅膜于远程等离子系统的内部表面上。该等方法减少沉积制程期间与陈化壁的反应，造成沉积速率改善、沉积均匀性改善并且减少后续沉积期间的缺陷度。

8. 发明专利

TW201631694A 用於電漿處理系統的低溫夾具审中-公开
简体标题：用于等离子处理系统的低温夹具
公开(公告)号：TW201631694A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW105101391
申请日：2016-01-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 翁子路 , WENG, ZILU , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 曹台昇 , CHO, TAE SEUNG , 朴書南 , PARK, SOONAM , 費桑M , PHI, SON M. , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/683 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/68757 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要：一晶圓夾具總成包括一圓盤、一桿、及一基座。該圓盤包括一電氣絕緣材料，該電氣絕緣材料界定該圓盤之一頂表面，複數個電極係嵌入在該電氣絕緣材料內。該圓盤亦包括一內圓盤零件，該內圓盤零件形成一熱交換流體的一或更多個通道，且與該電氣絕緣材料熱連通，且一導電板材經設置與該內圓盤零件鄰近。該桿包括一與該板材及複數個連接器電性耦接的導電桿殼體，且包括複數個連接器，該複數個連接器包括該等電極之電氣連接器。該基座包括一與該桿殼體電性耦接的導電基座殼體、一經設置在該基座殼體內的電氣絕緣終端塊，該複數個連接器穿行通過該終端塊。
简体摘要：一晶圆夹具总成包括一圆盘、一杆、及一基座。该圆盘包括一电气绝缘材料，该电气绝缘材料界定该圆盘之一顶表面，复数个电极系嵌入在该电气绝缘材料内。该圆盘亦包括一内圆盘零件，该内圆盘零件形成一热交换流体的一或更多个信道，且与该电气绝缘材料热连通，且一导电板材经设置与该内圆盘零件邻近。该杆包括一与该板材及复数个连接器电性耦接的导电杆壳体，且包括复数个连接器，该复数个连接器包括该等电极之电气连接器。该基座包括一与该杆壳体电性耦接的导电基座壳体、一经设置在该基座壳体内的电气绝缘终端块，该复数个连接器穿行通过该终端块。

9. 发明专利

TWI490366B ＣＶＤ腔室之流體控制特徵結構有权
简体标题：ＣＶＤ腔室之流体控制特征结构
公开(公告)号：TWI490366B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW099123311
申请日：2010-07-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 米勒馬修 , MILLER, MATTHEW , 朴書南 , PARK, SOONAM , 崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/452 , C23C16/45574 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T137/85938

10. 发明专利

TWI440126B 配衡之基板支撐件失效
简体标题：配衡之基板支撑件
公开(公告)号：TWI440126B
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW097143147
申请日：2008-11-07
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：露波默斯基德米翠 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 崔倫 , TSUEI, LUN , 荷納迪斯曼紐A , HERNANDEZ, MANUEL A. , 福洛德可比H , FLOYD, KIRBY H. , 葉怡利Y , YIEH, ELLIE Y.
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6719 , H01L21/67017 , H01L21/68742 , H01L21/68792

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