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1. 发明专利

TWI694749B 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器有权
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TWI694749B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107126625
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065

2. 发明专利

TW201921490A 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統审中-公开
简体标题：具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
公开(公告)号：TW201921490A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW108100074
申请日：2014-02-06
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：一種示例性系統可包括腔室，該腔室經配置以在該腔室之處理區域中含有半導體基板。該系統可包括第一遠端電漿單元，該第一遠端電漿單元與腔室之第一入口流體耦接及經配置以將第一前驅物經由第一入口傳遞至腔室中。該系統可更進一步包括第二遠端電漿單元，該第二遠端電漿單元與腔室之第二入口流體耦接及經配置以將第二前驅物經由第二入口傳遞至腔室中。可將第一入口及第二入口與腔室之混合區域流體耦接，該混合區域與腔室之處理區域分開及與該處理區域流體耦接。可配置混合區域以允許第一前驅物及第二前驅物在腔室之處理區域外部彼此相互作用。
简体摘要：一种示例性系统可包括腔室，该腔室经配置以在该腔室之处理区域中含有半导体基板。该系统可包括第一远程等离子单元，该第一远程等离子单元与腔室之第一入口流体耦接及经配置以将第一前驱物经由第一入口传递至腔室中。该系统可更进一步包括第二远程等离子单元，该第二远程等离子单元与腔室之第二入口流体耦接及经配置以将第二前驱物经由第二入口传递至腔室中。可将第一入口及第二入口与腔室之混合区域流体耦接，该混合区域与腔室之处理区域分开及与该处理区域流体耦接。可配置混合区域以允许第一前驱物及第二前驱物在腔室之处理区域外部彼此相互作用。

3. 发明专利

TW201806030A 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統审中-公开
简体标题：具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
公开(公告)号：TW201806030A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106136488
申请日：2014-02-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32357 , C23C16/54 , H01J37/32899 , H01L21/32136
摘要：一種示例性系統可包括腔室，該腔室經配置以在該腔室之處理區域中含有半導體基板。該系統可包括第一遠端電漿單元，該第一遠端電漿單元與腔室之第一入口流體耦接及經配置以將第一前驅物經由第一入口傳遞至腔室中。該系統可更進一步包括第二遠端電漿單元，該第二遠端電漿單元與腔室之第二入口流體耦接及經配置以將第二前驅物經由第二入口傳遞至腔室中。可將第一入口及第二入口與腔室之混合區域流體耦接，該混合區域獨立於腔室之處理區域及與該處理區域流體耦接。可配置混合區域以允許第一前驅物及第二前驅物在腔室之處理區域外部彼此相互作用。
简体摘要：一种示例性系统可包括腔室，该腔室经配置以在该腔室之处理区域中含有半导体基板。该系统可包括第一远程等离子单元，该第一远程等离子单元与腔室之第一入口流体耦接及经配置以将第一前驱物经由第一入口传递至腔室中。该系统可更进一步包括第二远程等离子单元，该第二远程等离子单元与腔室之第二入口流体耦接及经配置以将第二前驱物经由第二入口传递至腔室中。可将第一入口及第二入口与腔室之混合区域流体耦接，该混合区域独立于腔室之处理区域及与该处理区域流体耦接。可配置混合区域以允许第一前驱物及第二前驱物在腔室之处理区域外部彼此相互作用。

4. 发明专利

TWI607503B 具有多個電漿配置構件之半導體處理系統有权
简体标题：具有多个等离子配置构件之半导体处理系统
公开(公告)号：TWI607503B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103103941
申请日：2014-02-06
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32357 , C23C16/54 , H01J37/32899 , H01L21/32136

5. 发明专利

TW201732926A 晶圓處理設備中的化學物質控制特徵审中-公开
简体标题：晶圆处理设备中的化学物质控制特征
公开(公告)号：TW201732926A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106117934
申请日：2013-09-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁奇偉 , LIANG,QIWEI , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 祝基恩 , CHUC,KIEN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DIMITRY , 朴書南 , PARK,SOONAM , 楊章喬 , YANG,JANG-GYOO , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR , 崔恩托恩 , TRAN,TOAN , 辛克里金柏利 , HINCKLEY,KIMBERLY , 賈格沙魯巴 , GARG,SAURABH
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449 , B05B1/005 , B05B1/18 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/002 , H01L21/67069
摘要：茲描述氣體分配組合件，包括環形主體、上板材及下板材。該上板材可以界定第一複數孔，並且該下板材可以界定第二和第三複數孔。該上板材和該下板材可以彼此耦接並與該環形主體耦接，使得該第一和第二孔形成通過該氣體分配組合件的通道，並且該上板材和該下板材之間界定一容積。
简体摘要：兹描述气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一复数孔，并且该下板材可以界定第二和第三复数孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的信道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。

7. 发明专利

TWI688312B 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器有权
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TWI688312B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW106140271
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , PARK,SOONAM , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065

8. 发明专利

TWI676205B 用於鹵化物驅氣的處理系統及方法有权
简体标题：用于卤化物驱气的处理系统及方法
公开(公告)号：TWI676205B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW107104260
申请日：2014-03-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王安川 , WANG,ANCHUAN , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 李資慧 , LI,ZIHUI , 浜名宏 , HAMANA,HIROSHI , 陳智君 , CHEN,ZHIJUN , 徐菁鎂 , HSU,CHING-MEI , 黃嘉瑩 , HUANG,JIAYIN , 英格爾尼汀K , INGLE,NITIN K. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DIMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR , 薩庫瑞希爾 , THAKUR,RANDHIR
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32

10. 发明专利

TW201442138A 適用於電子元件製造中處理基材的處理系統、設備及方法审中-公开
简体标题：适用于电子组件制造中处理基材的处理系统、设备及方法
公开(公告)号：TW201442138A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103108710
申请日：2014-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：宏克翰史蒂夫S , HONGKHAM, STEVE S. , 魯特保羅B , REUTER, PAUL B. , 英格哈德特艾力克A , ENGLHARDT, ERIC A. , 巴拉蘇拔馬尼安葛尼斯 , BALASUBRAMANIAN, GANESH , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 羅莎亞凡利斯君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUANCARLOS
IPC分类号： H01L21/677 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/67184 , Y10T137/0318 , Y10T137/86187
摘要：本發明揭示一種通道傳遞通過設備。通道傳遞通過設備包括：傳遞通過腔室，適用於在基材處理系統之第一主框架區段與第二主框架區段之間耦接，該傳遞通過腔室包括各具有狹縫閥的入口及出口；以及通道製程腔室，定位於與傳遞通過腔室不同的水平上，其中通道製程腔室適用於在通道位置處對基材實施製程。本發明提供操作系統之系統及方法，以及提供眾多其他態樣。
简体摘要：本发明揭示一种信道传递通过设备。信道传递通过设备包括：传递通过腔室，适用于在基材处理系统之第一主框架区段与第二主框架区段之间耦接，该传递通过腔室包括各具有狭缝阀的入口及出口；以及信道制程腔室，定位于与传递通过腔室不同的水平上，其中信道制程腔室适用于在信道位置处对基材实施制程。本发明提供操作系统之系统及方法，以及提供众多其他态样。

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