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1. 发明专利

TWI700776B 用於電漿處理系統的高溫夾盤有权
简体标题：用于等离子处理系统的高温夹盘
公开(公告)号：TWI700776B
公开(公告)日：2020-08-01
申请号：TW105101264
申请日：2016-01-15
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 馬立克蘇坦 , MALIK, SULTAN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 羅伊珊胡N , ROY, SHAMBHU N. , 小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 曹台昇 , CHO, TAE SEUNG , 朴書南 , PARK, SOONAM , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/673

2. 发明专利

TWI671783B 具有以直接上轉換對微波場之旋轉頻率進行數位控制的電漿反應器有权
简体标题：具有以直接上转换对微波场之旋转频率进行数码控制的等离子反应器
公开(公告)号：TWI671783B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW105108504
申请日：2016-03-18
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 菅井英夫 , SUGAI, HIDEO , 朴書南 , PARK, SOONAM , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01J37/32

3. 发明专利

TW202004827A 偏置操作上的RF定制電壓审中-公开
简体标题：偏置操作上的RF定制电压
公开(公告)号：TW202004827A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108109975
申请日：2019-03-22
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 田偉 , TIAN, WEI , 羅夫沙西德 , RAUF, SHAHID , 金正勳 , KIM, JUNGHOON , 朴壽南 , PARK, SOONAM , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01J37/32
摘要：提供了用於在處理腔室中的離子轟擊製程期間減少噴頭上的粒子產生的方法、系統及設備。將第一及第二RF訊號從RF產生器供應到嵌入處理腔室中的基板支撐件中的電極。回應於對第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的量測，相對於第一RF訊號調節第二RF訊號。最大化在基板上的離子轟擊並且最小化在噴頭上產生的粒子數量。本文描述的方法及系統提供了改進的離子蝕刻特性，同時減少從噴頭產生的碎屑粒子的量。
简体摘要：提供了用于在处理腔室中的离子轰击制程期间减少喷头上的粒子产生的方法、系统及设备。将第一及第二RF信号从RF产生器供应到嵌入处理腔室中的基板支撑件中的电极。回应于对第一RF振幅、第二RF振幅、第一RF相位及第二RF相位的量测，相对于第一RF信号调节第二RF信号。最大化在基板上的离子轰击并且最小化在喷头上产生的粒子数量。本文描述的方法及系统提供了改进的离子蚀刻特性，同时减少从喷头产生的碎屑粒子的量。

4. 发明专利

TW201841205A 用於電漿均勻度之徑向及方位控制的系統與方法审中-公开
简体标题：用于等离子均匀度之径向及方位控制的系统与方法
公开(公告)号：TW201841205A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107102323
申请日：2018-01-23
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 菅井英夫 , SUGAI, HIDEO , 卡寧尼可萊 , KALNIN, NIKOLAI , 朴壽南 , PARK, SOONAM , 崔恩托恩 , TRAN, TOAN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01J37/32
摘要：一種系統包括處理腔室、界定波導空腔的殼體、和在殼體內的第一導電板。第一導電板面向處理腔室。該系統亦包括可調整第一導電板的至少一位置的一或更多個調整裝置、以及在波導空腔與處理腔室之間的與殼體耦接的第二導電板。電磁輻射可經由第二導電板中的孔從波導空腔傳播到處理腔室中。該系統亦包括密封處理腔室而與波導空腔隔開的介電板、以及將電磁輻射發送到波導空腔中的一或更多個電子設備組。當至少一種處理氣體在腔室內且電磁輻射從波導空腔傳播到處理腔室中時，形成電漿。
简体摘要：一种系统包括处理腔室、界定波导空腔的壳体、和在壳体内的第一导电板。第一导电板面向处理腔室。该系统亦包括可调整第一导电板的至少一位置的一或更多个调整设备、以及在波导空腔与处理腔室之间的与壳体耦接的第二导电板。电磁辐射可经由第二导电板中的孔从波导空腔传播到处理腔室中。该系统亦包括密封处理腔室而与波导空腔隔开的介电板、以及将电磁辐射发送到波导空腔中的一或更多个电子设备组。当至少一种处理气体在腔室内且电磁辐射从波导空腔传播到处理腔室中时，形成等离子。

5. 发明专利

TWI698903B 電漿反應器有权
简体标题：等离子反应器
公开(公告)号：TWI698903B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW105134404
申请日：2016-10-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 菅井英夫 , SUGAI, HIDEO , 崔恩托恩 , TRAN, TOAN , 朴壽南 , PARK, SOONAM , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01J37/32

6. 发明专利

TW202011448A 具有以直接上轉換對微波場之旋轉頻率進行數位控制的電漿反應器审中-公开
简体标题：具有以直接上转换对微波场之旋转频率进行数码控制的等离子反应器
公开(公告)号：TW202011448A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108128230
申请日：2016-03-18
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 菅井英夫 , SUGAI, HIDEO , 朴書南 , PARK, SOONAM , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01J37/32
摘要：一種用於處理工件的電漿反應器具有微波源與使用者介面，微波源具有使用直接數位上轉換來作數位同步的旋轉頻率，使用者介面用於控制該旋轉頻率。
简体摘要：一种用于处理工件的等离子反应器具有微波源与用户界面，微波源具有使用直接数码上转换来作数码同步的旋转频率，用户界面用于控制该旋转频率。

7. 发明专利

TW201727691A 用於藉供應電力之波導中的光圈之微波旋轉及阻抗偏移的通用圓柱形諧振腔系統审中-公开
简体标题：用于藉供应电力之波导中的光圈之微波旋转及阻抗偏移的通用圆柱形谐振腔系统
公开(公告)号：TW201727691A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134404
申请日：2016-10-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 菅井英夫 , SUGAI, HIDEO , 崔恩托恩 , TRAN, TOAN , 朴壽南 , PARK, SOONAM , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32293 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/32229 , H01J37/32935 , H01J2237/334
摘要：針對諧振腔之任何諧振模式TEmnl或TMmnl產生旋轉微波，其中使用者自由地選擇模式指數m、n及l之值。旋轉頻率等於操作微波頻率之快速旋轉是藉由根據m、n及l設定介於兩個微波輸入埠P及Q之間的時間相位差ΔØ及方位角Δθ來完成。頻率Ωα（通常1～1000Hz）之慢速旋轉是藉由將正交輸入系中之雙場輸入及轉換成藉由介於兩個微波埠P及Q之間的角度Δθ界定之斜角系來產生。
简体摘要：针对谐振腔之任何谐振模式TEmnl或TMmnl产生旋转微波，其中用户自由地选择模式指数m、n及l之值。旋转频率等于操作微波频率之快速旋转是借由根据m、n及l设置介于两个微波输入端口P及Q之间的时间相位差ΔØ及方位角Δθ来完成。频率Ωα（通常1～1000Hz）之慢速旋转是借由将正交输入系中之双场输入及转换成借由介于两个微波端口P及Q之间的角度Δθ界定之斜角系来产生。

8. 发明专利

TW201538995A 陶瓷環測試裝置审中-公开
简体标题：陶瓷环测试设备
公开(公告)号：TW201538995A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104105882
申请日：2015-02-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 朱俞飛 , ZHU, YUFEI , 賈格沙魯巴 , GARG, SAURABH , 朴書南 , PARK, SOONAM , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： G01R31/12 , G01N33/38
摘要：一種用於測試腔室元件(例如陶瓷環)之電性特性的測試裝置，該測試裝置包括外部導體及內部導體，該內部導體設置於該外部導體內且與該外部導體電性隔離。該外部導體具有基座、頂部及設置於該基座與該頂部之間的內部體積側壁。該內部導體具有頂部部分及底部部分，該頂部部分具有第一直徑且該底部部分具有第二直徑，其中該第二直徑大於該第一直徑。樣品面積定義於該外部導體之該基座與該內部導體之該底部部分之間，且該樣品面積經配置以接收腔室元件。該腔室元件的電性特性可基於施加信號至該外部導體或該內部導體之至少一者而量測。
简体摘要：一种用于测试腔室组件(例如陶瓷环)之电性特性的测试设备，该测试设备包括外部导体及内部导体，该内部导体设置于该外部导体内且与该外部导体电性隔离。该外部导体具有基座、顶部及设置于该基座与该顶部之间的内部体积侧壁。该内部导体具有顶部部分及底部部分，该顶部部分具有第一直径且该底部部分具有第二直径，其中该第二直径大于该第一直径。样品面积定义于该外部导体之该基座与该内部导体之该底部部分之间，且该样品面积经配置以接收腔室组件。该腔室组件的电性特性可基于施加信号至该外部导体或该内部导体之至少一者而量测。

9. 发明专利

TW201345322A 藉由相位鎖定迴路進行之電漿腔室兩相操作审中-公开
简体标题：借由相位锁定回路进行之等离子腔室两相操作
公开(公告)号：TW201345322A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW101137161
申请日：2012-10-08
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 汪羅倫斯 , WONG, LAWRENCE , 劉強納森 , LIU, JONATHAN , 楊洋 , YANG, YANG , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 羅夫沙西德 , RAUF, SHAHID , 奈菲爾雪尼C , NEVIL, SHANE C. , 貝拉卡羅 , BERA, KALLOL , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S.
IPC分类号： H05H1/36
CPC分类号： C23C16/505 , B05C9/00 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/3299
摘要：藉由由相位鎖定反饋控制迴路根據所要或使用者選定的相位差控制相對RF電極之間的相位差，以在電漿反應器中控制電漿分佈。
简体摘要：借由由相位锁定反馈控制回路根据所要或用户选定的相位差控制相对RF电极之间的相位差，以在等离子反应器中控制等离子分布。

10. 发明专利

TW201637124A 用於電漿處理系統的高溫夾盤审中-公开
简体标题：用于等离子处理系统的高温夹盘
公开(公告)号：TW201637124A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105101264
申请日：2016-01-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 馬立克蘇坦 , MALIK, SULTAN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 羅伊珊胡N , ROY, SHAMBHU N. , 小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 曹台昇 , CHO, TAE SEUNG , 朴書南 , PARK, SOONAM , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/673
CPC分类号： H01L21/6833 , H01L21/3065 , H01L21/67103
摘要：一種晶圓夾盤組件包括吸盤、軸和基底。絕緣材料界定吸盤的頂表面；加熱器元件係鑲嵌於絕緣材料內；及導電板位於絕緣材料之下。軸包括與板耦接的外殼；及用於加熱器元件和電極的電連接器。導電基底外殼與軸外殼耦接；且連接器通過在基底外殼內的端子塊。一種電漿處理的方法，包括以下步驟：將工件負載至具有絕緣頂表面的夾盤上；提供跨越在頂表面內之兩個電極的DC電壓差；藉由將電流通過加熱器元件而加熱夾盤；提供在腔室中環繞夾盤的製程流體；及提供在夾盤之下的導電板和腔室之一或多個壁之間的RF電壓。
简体摘要：一种晶圆夹盘组件包括吸盘、轴和基底。绝缘材料界定吸盘的顶表面；加热器组件系镶嵌于绝缘材料内；及导电板位于绝缘材料之下。轴包括与板耦接的外壳；及用于加热器组件和电极的电连接器。导电基底外壳与轴外壳耦接；且连接器通过在基底外壳内的端子块。一种等离子处理的方法，包括以下步骤：将工件负载至具有绝缘顶表面的夹盘上；提供跨越在顶表面内之两个电极的DC电压差；借由将电流通过加热器组件而加热夹盘；提供在腔室中环绕夹盘的制程流体；及提供在夹盘之下的导电板和腔室之一或多个壁之间的RF电压。

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