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1. 发明专利

TWI618144B 氮化鈦之選擇性移除有权
简体标题：氮化钛之选择性移除
公开(公告)号：TWI618144B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW103107465
申请日：2014-03-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王希昆 , WANG, XIKUN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01L21/02068 , H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/32135 , H01L21/4814

2. 发明专利

TWI607108B 具有可拆卸式氣體分配板之噴淋頭有权
简体标题：具有可拆卸式气体分配板之喷淋头
公开(公告)号：TWI607108B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW103100867
申请日：2014-01-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 肯納席克弗拉德米爾 , KNYAZIK, VLADIMIR , 挪貝克許哈密 , NOORBAKHSH, HAMID , 羅莎傑森戴拉 , ROSA, JASON DELLA , 葉正約翰 , YE, ZHENG JOHN , 孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 班達蘇曼思 , BANDA, SUMANTH
IPC分类号： C23C14/56 , C23C16/54
CPC分类号： B05B1/005 , B05B1/185 , C23C16/45565 , H01J37/3211 , H01J37/32146 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32623

3. 发明专利

TWI574345B 靜電夾盤有权
简体标题：静电夹盘
公开(公告)号：TWI574345B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW101139305
申请日：2012-10-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴那沙莫 , BANNA, SAMER , 特多羅法蘭汀 , TODOROW, VALENTIN , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831 , H01J37/32715 , H02N13/00

4. 发明专利

TW201443992A 使用遠端電漿源之加強式蝕刻製程审中-公开
简体标题：使用远程等离子源之加强式蚀刻制程
公开(公告)号：TW201443992A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103106349
申请日：2014-02-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/334
摘要：蝕刻圖案化基板的方法可以包括使含氧前驅物流入與基板處理區域流體耦接的第一遠端電漿區域。可以在該第一遠端電漿區域中形成電漿的同時使含氧前驅物流入該區域，以產生含氧電漿流出物。該方法還可以包括使含氟前驅物流入與該基板處理區域流體耦接的第二遠端電漿區域，同時在該第二遠端電漿區域中形成電漿，以產生含氟電漿流出物。該方法可以包括使該含氧電漿流出物和含氟電漿流出物流入該處理區域，以及使用該流出物蝕刻位於該基板處理區域中的圖案化基板。
简体摘要：蚀刻图案化基板的方法可以包括使含氧前驱物流入与基板处理区域流体耦接的第一远程等离子区域。可以在该第一远程等离子区域中形成等离子的同时使含氧前驱物流入该区域，以产生含氧等离子流出物。该方法还可以包括使含氟前驱物流入与该基板处理区域流体耦接的第二远程等离子区域，同时在该第二远程等离子区域中形成等离子，以产生含氟等离子流出物。该方法可以包括使该含氧等离子流出物和含氟等离子流出物流入该处理区域，以及使用该流出物蚀刻位于该基板处理区域中的图案化基板。

5. 发明专利

TW201432817A 圖案化氮化矽介電膜之方法审中-公开
简体标题：图案化氮化硅介电膜之方法
公开(公告)号：TW201432817A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW103101473
申请日：2014-01-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 潘德瑞米亞T , PENDER, JEREMIAH T. , 趙清軍 , ZHOU, QINGJUN , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 貝羅斯特凱索爵G , BELOSTOTSKIY, SERGEY G.
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31111 , H01L21/32105
摘要：本發明描述圖案化氮化矽介電膜的方法。例如，等向性蝕刻介電膜的方法包括使用氧基電漿製程對氮化矽層的暴露區進行部分改質，藉以提供該氮化矽層的改質部分及未改質部分。該方法亦包括使用第二電漿製程以對該氮化矽層之未改質部分具有選擇性的方式移除該氮化矽層的改質部分。
简体摘要：本发明描述图案化氮化硅介电膜的方法。例如，等向性蚀刻介电膜的方法包括使用氧基等离子制程对氮化硅层的暴露区进行部分改质，借以提供该氮化硅层的改质部分及未改质部分。该方法亦包括使用第二等离子制程以对该氮化硅层之未改质部分具有选择性的方式移除该氮化硅层的改质部分。

6. 发明专利

TW201401431A 具有冷卻底座之靜電夾盤审中-公开
简体标题：具有冷却底座之静电夹盘
公开(公告)号：TW201401431A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102113789
申请日：2013-04-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 坦汀汪凱爾 , TANTIWONG, KYLE
IPC分类号： H01L21/687
CPC分类号： H05H1/00 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724
摘要：本發明提供一種用於諸如電漿蝕刻腔室之電漿處理腔室的具有冷卻底座之靜電夾盤(electrostatic chuck;ESC)。ESC總成包括2級設計，其中熱轉移流體入口(供應)及熱轉移流體出口(回流)處於相同實體平面中。該2級設計包括底座總成，陶瓷(例如，AlN)經安置於該底座總成上。該底座安置於擴散器之上，該擴散器可在夾盤區域之上具有數百個小孔，以提供熱轉移流體之均勻分配。儲水槽板經固定至擴散器，該儲水槽板係用以在擴散器與儲水槽板之間提供將流體供應至擴散器之儲水槽。經由擴散器回流之熱轉移流體通過儲水槽板。
简体摘要：本发明提供一种用于诸如等离子蚀刻腔室之等离子处理腔室的具有冷却底座之静电夹盘(electrostatic chuck;ESC)。ESC总成包括2级设计，其中热转移流体入口(供应)及热转移流体出口(回流)处于相同实体平面中。该2级设计包括底座总成，陶瓷(例如，AlN)经安置于该底座总成上。该底座安置于扩散器之上，该扩散器可在夹盘区域之上具有数百个小孔，以提供热转移流体之均匀分配。储水槽板经固定至扩散器，该储水槽板系用以在扩散器与储水槽板之间提供将流体供应至扩散器之储水槽。经由扩散器回流之热转移流体通过储水槽板。

7. 发明专利

TW201143552A 電漿源的設計 PLASMA SOURCE DESIGN 审中-公开
简体标题：等离子源的设计 PLASMA SOURCE DESIGN
公开(公告)号：TW201143552A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099139828
申请日：2010-11-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：路布米斯基德米崔 , 楊章喬 , 米勒馬修L , 賓森二世傑D , 祝基恩N
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32357
摘要：本發明之實施例大體上提供電漿源設備及其使用方法,透過使用電磁能量源,該電漿源能夠於電漿生成區域中生成自由基及/或氣體離子,而該區域是對稱地定位在磁性核心元件周圍。大體而言,電漿生成區域與磁性核心的方位及形狀得以有效率地且均勻地將所傳遞的電磁能量耦合配置在電漿生成區域中的氣體。大體而言,電漿生成區域中形成的電漿之改善的特徵為能夠改善配置在電漿生成區域下游的基材或處理腔室之一部份上執行的沉積、蝕刻及/或清潔製程。
简体摘要：本发明之实施例大体上提供等离子源设备及其使用方法,透过使用电磁能量源,该等离子源能够于等离子生成区域中生成自由基及/或气体离子,而该区域是对称地定位在磁性内核组件周围。大体而言,等离子生成区域与磁性内核的方位及形状得以有效率地且均匀地将所传递的电磁能量耦合配置在等离子生成区域中的气体。大体而言,等离子生成区域中形成的等离子之改善的特征为能够改善配置在等离子生成区域下游的基材或处理腔室之一部份上运行的沉积、蚀刻及/或清洁制程。

8. 发明专利

TW201828353A 針對先進元件之晶圓上粒子性能的化學相容性塗層材料审中-公开
简体标题：针对雪铁龙组件之晶圆上粒子性能的化学兼容性涂层材料
公开(公告)号：TW201828353A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW107112487
申请日：2013-07-24
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN,JENNIFER Y. , 卡農哥比拉賈普拉薩德 , KANUNGO,BIRAJA PRASAD , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H01L21/304 , C23C4/10
摘要：為了針對一種用於半導體處理腔室的製品製造塗層，該製品包括Al、Al2O3或SiC中之至少一者之主體及主體上之陶瓷塗層。陶瓷塗層包括一化合物，該化合物包含自約50莫耳%至約75莫耳%範圍內之Y2O3、自約10莫耳%至約30莫耳%範圍內之ZrO2及自約10莫耳%至約30莫耳%範圍內之Al2O3，其中每吋節結之數目處於自約30個節結至約45個節結之範圍內且孔隙率處於自約2.5%至約3.2%之範圍內。
简体摘要：为了针对一种用于半导体处理腔室的制品制造涂层，该制品包括Al、Al2O3或SiC中之至少一者之主体及主体上之陶瓷涂层。陶瓷涂层包括一化合物，该化合物包含自约50莫耳%至约75莫耳%范围内之Y2O3、自约10莫耳%至约30莫耳%范围内之ZrO2及自约10莫耳%至约30莫耳%范围内之Al2O3，其中每吋节结之数目处于自约30个节结至约45个节结之范围内且孔隙率处于自约2.5%至约3.2%之范围内。

9. 发明专利

TWI624868B 針對先進元件之晶圓上粒子性能的化學相容性塗層材料有权
简体标题：针对雪铁龙组件之晶圆上粒子性能的化学兼容性涂层材料
公开(公告)号：TWI624868B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW106119552
申请日：2013-07-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN,JENNIFER Y. , 卡農哥比拉賈普拉薩德 , KANUNGO,BIRAJA PRASAD , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H01L21/304 , C23C4/10

10. 发明专利

TWI604524B 用於蝕刻低ｋ及其它介電質膜的製程腔室有权
简体标题：用于蚀刻低ｋ及其它介电质膜的制程腔室
公开(公告)号：TWI604524B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW101139110
申请日：2012-10-23
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 奈馬尼史林尼法斯 , NEMANI SRINIVAS , 葉怡利 , YIEH, ELLIE , 貝羅斯特凱索爵G , BELOSTOTSKIY, SERGEY G.
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/0245 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32477 , H01J37/32532 , H01J37/32587 , H01J37/32715 , H01J2237/3341 , H01L21/02126 , H01L21/3065 , H01L21/3105 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/67167 , H01L21/67207 , H01L21/6831

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