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1. 发明专利

TWI520659B 用於具流動性之介電質的製造設備及製程有权
简体标题：用于具流动性之介电质的制造设备及制程
公开(公告)号：TWI520659B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW098115335
申请日：2009-05-08
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：露波默斯基德米翠 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 楊章喬 , YANG, JANG GYOO
IPC分类号： H05H1/16 , H05H1/46 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4405 , C23C16/452 , C23C16/45574 , C23C16/507 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/3244

2. 发明专利

TW201419403A 晶圓處理設備中的化學物質控制特徵审中-公开
简体标题：晶圆处理设备中的化学物质控制特征
公开(公告)号：TW201419403A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102132460
申请日：2013-09-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 祝基恩 , CHUC, KIEN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DIMITRY , 朴書南 , PARK, SOONAM , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR , 崔恩托恩 , TRAN, TOAN , 辛克里金柏利 , HINCKLEY, KIMBERLY , 賈格沙魯巴 , GARG, SAURABH
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449 , B05B1/005 , B05B1/18 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/002 , H01L21/67069
摘要：茲描述氣體分配組合件，包括環形主體、上板材及下板材。該上板材可以界定第一複數孔，並且該下板材可以界定第二和第三複數孔。該上板材和該下板材可以彼此耦接並與該環形主體耦接，使得該第一和第二孔形成通過該氣體分配組合件的通道，並且該上板材和該下板材之間界定一容積。
简体摘要：兹描述气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一复数孔，并且该下板材可以界定第二和第三复数孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的信道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。

3. 发明专利

TW201324663A 用於改良之沉積均勻性的前驅物分配特性审中-公开
简体标题：用于改良之沉积均匀性的前驱物分配特性
公开(公告)号：TW201324663A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101141322
申请日：2012-11-07
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴書南 , PARK, SOONAM , 辛克里金柏利 , HINCKLEY, KIMBERLY , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： B05B1/185 , C23C16/345 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45591 , C23C16/503 , C23C16/509 , C23C16/5096
摘要：本發明描述噴淋頭，該等噴淋頭包括第一複數個孔隙，該第一複數個孔隙經配置以接收第一流體，該第一流體可分配至半導體基板處理腔室之處理區域。第一複數個孔隙可包括第一組孔隙及第二組孔隙，且第一組孔隙的孔徑可大於第二組孔隙之孔徑。噴淋頭亦可具有第二複數個孔隙，該第二複數個孔隙經配置以接收待分配至基板處理腔室之處理區域的第二流體。噴淋頭可經配置以在將第一流體及第二流體分配至處理區域之前維持該第一流體及該第二流體流體隔離。
简体摘要：本发明描述喷淋头，该等喷淋头包括第一复数个孔隙，该第一复数个孔隙经配置以接收第一流体，该第一流体可分配至半导体基板处理腔室之处理区域。第一复数个孔隙可包括第一组孔隙及第二组孔隙，且第一组孔隙的孔径可大于第二组孔隙之孔径。喷淋头亦可具有第二复数个孔隙，该第二复数个孔隙经配置以接收待分配至基板处理腔室之处理区域的第二流体。喷淋头可经配置以在将第一流体及第二流体分配至处理区域之前维持该第一流体及该第二流体流体隔离。

4. 发明专利

TWI319594B 在電感耦合電漿反應器中集中磁場的方法 MAGNETIC-FIELD CONCENTRATION IN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTORS 失效
简体标题：在电感耦合等离子反应器中集中磁场的方法 MAGNETIC-FIELD CONCENTRATION IN INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTORS
公开(公告)号：TWI319594B
公开(公告)日：2010-01-11
申请号：TW094135565
申请日：2005-10-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：盧司慶 , 賴肯奮 , 梁奇偉 , 龍茂林 , 邱艾琳 , 布洛金傑森 , 金史帝芬H , 尤艾愛莉Y
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01J37/321 , C23C16/045 , C23C16/401 , C23C16/507 , H05B6/26
摘要：本發明提供一種基材製程系統，其具有界定一製程反應室之外罩。一基材托架係經配置在該製程反應室內，並且經配置以在基材製程期間支撐一基材。一氣體輸送系統係經配置以將氣體通入該製程反應室中。提供一壓力控制系統以在該製程反應室內維持選擇之壓力。一高密度電漿產生系統與該製程反應室操作連結，並包含一線圈以電感耦合能量至形成在該製程反應室內之電漿中。其也包含緊鄰該線圈之磁性介電材料，以集中該線圈產生之磁場。也提供一控制器以控制該氣體輸送系統、該壓力控制系統、以及該高密度電漿產生系統。 A substrate processing system is provided with a housing defining a process chamber. A substrate holder is disposed within the process chamber and configured to support a substrate during substrate processing. A gas delivery system is configured to introduce a gas into the process chamber. A pressure-control system is provided for maintaining a selected pressure within the process chamber. A high-density-plasma generating system is operatively coupled with the process chamber and includes a coil for inductively coupling energy into a plasma formed within the process chamber. It also includes magneto-dielectric material proximate the coil for concentrating a magnetic field generated by the coil. A controller is also provided for controlling the gas-delivery system, the pressure-control system, and the high-density-plasma generating system.
简体摘要：本发明提供一种基材制程系统，其具有界定一制程反应室之外罩。一基材托架系经配置在该制程反应室内，并且经配置以在基材制程期间支撑一基材。一气体输送系统系经配置以将气体通入该制程反应室中。提供一压力控制系统以在该制程反应室内维持选择之压力。一高密度等离子产生系统与该制程反应室操作链接，并包含一线圈以电感耦合能量至形成在该制程反应室内之等离子中。其也包含紧邻该线圈之磁性介电材料，以集中该线圈产生之磁场。也提供一控制器以控制该气体输送系统、该压力控制系统、以及该高密度等离子产生系统。 A substrate processing system is provided with a housing defining a process chamber. A substrate holder is disposed within the process chamber and configured to support a substrate during substrate processing. A gas delivery system is configured to introduce a gas into the process chamber. A pressure-control system is provided for maintaining a selected pressure within the process chamber. A high-density-plasma generating system is operatively coupled with the process chamber and includes a coil for inductively coupling energy into a plasma formed within the process chamber. It also includes magneto-dielectric material proximate the coil for concentrating a magnetic field generated by the coil. A controller is also provided for controlling the gas-delivery system, the pressure-control system, and the high-density-plasma generating system.

5. 发明专利

TWI670748B 具有旋轉微波電漿源之工件處理腔室有权
简体标题：具有旋转微波等离子源之工件处理腔室
公开(公告)号：TWI670748B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104116842
申请日：2015-05-26
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史托威爾麥克W , STOWELL, MICHAEL W. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI
IPC分类号： H01J37/32

6. 发明专利

TWI670391B 具有氣體分佈及個別泵送的批次固化腔室有权
简体标题：具有气体分布及个别泵送的批次固化腔室
公开(公告)号：TWI670391B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104113237
申请日：2015-04-24
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 英格爾尼汀庫利許納拉歐 , INGLE, NITIN KRISHNARAO , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/54

7. 发明专利

TW201636453A 用於膜沉積的脈衝化電漿审中-公开
简体标题：用于膜沉积的脉冲化等离子
公开(公告)号：TW201636453A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105108164
申请日：2016-03-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薛君 , XUE, JUN , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 奈馬尼史林尼法斯 , NEMANI SRINIVAS , 史托威爾麥克W , STOWELL, MICHAEL W. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 布希博格二世道格拉斯A , BUCHBERGER JR., DOUGLAS A.
IPC分类号： C23C16/515 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/02274 , H01L21/0217 , H01L21/02329 , H01L21/0234 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831
摘要：本案中提供處理基板之方法。在一些實施例中，處理安置在處理腔室中之基板的方法包括：(a)藉由將基板曝露於第一反應性物種而在基板上沉積材料層，該第一反應性物種利用遠端電漿源產生；及(b)藉由將基板曝露於電漿而處理全部或大體上全部之沉積材料層，該電漿在處理腔室內利用第二電漿源而產生；其中遠端電漿源或第二電漿源中之至少一者經脈衝化以控制沉積周期及處理周期。
简体摘要：本案中提供处理基板之方法。在一些实施例中，处理安置在处理腔室中之基板的方法包括：(a)借由将基板曝露于第一反应性物种而在基板上沉积材料层，该第一反应性物种利用远程等离子源产生；及(b)借由将基板曝露于等离子而处理全部或大体上全部之沉积材料层，该等离子在处理腔室内利用第二等离子源而产生；其中远程等离子源或第二等离子源中之至少一者经脉冲化以控制沉积周期及处理周期。

8. 发明专利

TWI490366B ＣＶＤ腔室之流體控制特徵結構有权
简体标题：ＣＶＤ腔室之流体控制特征结构
公开(公告)号：TWI490366B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW099123311
申请日：2010-07-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 米勒馬修 , MILLER, MATTHEW , 朴書南 , PARK, SOONAM , 崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/452 , C23C16/45574 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T137/85938

9. 发明专利

TWI391995B 用於填充介電質間隙的製程室有权
简体标题：用于填充介电质间隙的制程室
公开(公告)号：TWI391995B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW096119408
申请日：2007-05-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：露波默斯德米翠 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 朴書南 , PARK, SOONAM , 祝基恩N , CHUC, KIEN N , 葉怡利 , YIEH, ELLIE
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/402 , C23C16/45574 , C23C16/505

10. 发明专利

TWI671600B 用於光阻劑層中之電場／磁場引導酸輪廓控制的加工配置有权
简体标题：用于光阻剂层中之电场／磁场引导酸轮廓控制的加工配置
公开(公告)号：TWI671600B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104133736
申请日：2015-10-14
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：南象基 , NAM, SANG KI , 謝鵬 , XIE, PENG , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/004

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