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1. 发明专利

TWI382457B 用於填充介電質間隙的製程室失效
简体标题：用于填充介电质间隙的制程室
公开(公告)号：TWI382457B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW096119411
申请日：2007-05-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：露波默斯德米翠 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 朴書南 , PARK, SOONAM , 祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 葉怡利 , YIEH, ELLIE
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01L21/67115

2. 发明专利

TWI691613B 包含流動隔離環的處理套組有权
简体标题：包含流动隔离环的处理套组
公开(公告)号：TWI691613B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105111357
申请日：2016-04-12
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 葛許卡亞吉特 , GHOSH, KALYANJIT , 祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 古卡霖梅尤G , KULKARNI, MAYUR G. , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 王彥杰 , WANG, YANJIE , 金晟鎭 , KIM, SUNGJIN
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/67

3. 发明专利

TWI397122B 用於填充介電質間隙的製程室有权
简体标题：用于填充介电质间隙的制程室
公开(公告)号：TWI397122B
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：TW096119409
申请日：2007-05-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：露波默斯基德米翠 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 朴書南 , PARK, SOONAM , 祝基恩N , CHUC, KIEN N , 葉怡利 , YIEH, ELLIE
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/316
CPC分类号： C23C16/509 , C23C16/401 , C23C16/452 , C23C16/45514 , C23C16/45574 , C23C16/45576 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32752 , H01J2237/2001

4. 发明专利

TW201624594A 用於高產量處理腔室的工藝套件审中-公开
简体标题：用于高产量处理腔室的工艺套件
公开(公告)号：TW201624594A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104142985
申请日：2015-12-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葛許卡亞吉特 , GHOSH, KALYANJIT , 古卡霖梅尤G , KULKARNI, MAYUR G. , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 金晟鎭 , KIM, SUNGJIN , 王彥杰 , WANG, YANJIE
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/4401 , H01J37/32477
摘要：本文公開了一種用於處理基板材的處理腔室。在一個實施例中，該處理腔室包括：襯層元件，該襯層元件設置在該處理腔室的內部容積內；以及C形通道，該C形通道設置在該腔室的內部容積內，並且包圍該襯層元件。在另一實施例中，本文公開了一種工藝套件，該工藝套件設置在該處理腔室的該內部容積內。該工藝套件包括設置在該內部容積內的襯層元件、C形通道和隔離器。該C形通道和該隔離器包圍該襯層元件。本文還描述了一種用於通過使前體氣體流入處理腔室中以將矽基材料沉積在基板材上的方法。
简体摘要：本文公开了一种用于处理基板材的处理腔室。在一个实施例中，该处理腔室包括：衬层组件，该衬层组件设置在该处理腔室的内部容积内；以及C形信道，该C形信道设置在该腔室的内部容积内，并且包围该衬层组件。在另一实施例中，本文公开了一种工艺套件，该工艺套件设置在该处理腔室的该内部容积内。该工艺套件包括设置在该内部容积内的衬层组件、C形信道和隔离器。该C形信道和该隔离器包围该衬层组件。本文还描述了一种用于通过使前体气体流入处理腔室中以将硅基材料沉积在基板材上的方法。

5. 发明专利

TWI490366B ＣＶＤ腔室之流體控制特徵結構有权
简体标题：ＣＶＤ腔室之流体控制特征结构
公开(公告)号：TWI490366B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW099123311
申请日：2010-07-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 米勒馬修 , MILLER, MATTHEW , 朴書南 , PARK, SOONAM , 崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/452 , C23C16/45574 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T137/85938

6. 发明专利

TWI391995B 用於填充介電質間隙的製程室有权
简体标题：用于填充介电质间隙的制程室
公开(公告)号：TWI391995B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW096119408
申请日：2007-05-30
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：露波默斯德米翠 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 朴書南 , PARK, SOONAM , 祝基恩N , CHUC, KIEN N , 葉怡利 , YIEH, ELLIE
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/402 , C23C16/45574 , C23C16/505

7. 发明专利

TWI666716B 用於高產量處理腔室的工藝套件有权
简体标题：用于高产量处理腔室的工艺套件
公开(公告)号：TWI666716B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW104142985
申请日：2015-12-21
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：葛許卡亞吉特 , GHOSH, KALYANJIT , 古卡霖梅尤G , KULKARNI, MAYUR G. , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 金晟鎭 , KIM, SUNGJIN , 王彥杰 , WANG, YANJIE
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/205

8. 发明专利

TW201708601A 包含流動隔離環的處理套組审中-公开
简体标题：包含流动隔离环的处理套组
公开(公告)号：TW201708601A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105111357
申请日：2016-04-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：督波斯道爾R , DU BOIS, DALE R. , 葛許卡亞吉特 , GHOSH, KALYANJIT , 祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 古卡霖梅尤G , KULKARNI, MAYUR G. , 巴魯札桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 王彥杰 , WANG, YANJIE , 金晟鎭 , KIM, SUNGJIN
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/67
CPC分类号： C23C16/4401 , H01J37/32477 , H01J37/32623 , H01J37/32651
摘要：本發明提供一種處理腔室，該處理腔室包括側壁，具有外突出部分的基板支撐件及基板支撐件下方的氣體入口。處理腔室進一步包括第一襯墊，第一襯墊繞基板支撐件的外突出部分的底表面設置。第一襯墊具有內表面，該內表面藉由一第一間隙而與基板支撐件的外突出部分分隔。處理腔室進一步包括一流動隔離環，該流動隔離環具有一內部底表面與一外部底表面，該內部底表面設置於該基板支撐件的該外突出部分上，該外部底表面相對於該內部底表面向外延伸，該外部底表面覆蓋在該第一間隙之上。
简体摘要：本发明提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面借由一第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括一流动隔离环，该流动隔离环具有一内部底表面与一外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。

9. 发明专利

TWI544837B 電漿源的設計有权
简体标题：等离子源的设计
公开(公告)号：TWI544837B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW099139386
申请日：2010-11-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 米勒馬修L , MILLER, MATTHEW L. , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 祝基恩N , CHUC, KIEN N.
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32357

10. 发明专利

TW201143552A 電漿源的設計 PLASMA SOURCE DESIGN 审中-公开
简体标题：等离子源的设计 PLASMA SOURCE DESIGN
公开(公告)号：TW201143552A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099139828
申请日：2010-11-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：路布米斯基德米崔 , 楊章喬 , 米勒馬修L , 賓森二世傑D , 祝基恩N
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32357
摘要：本發明之實施例大體上提供電漿源設備及其使用方法,透過使用電磁能量源,該電漿源能夠於電漿生成區域中生成自由基及/或氣體離子,而該區域是對稱地定位在磁性核心元件周圍。大體而言,電漿生成區域與磁性核心的方位及形狀得以有效率地且均勻地將所傳遞的電磁能量耦合配置在電漿生成區域中的氣體。大體而言,電漿生成區域中形成的電漿之改善的特徵為能夠改善配置在電漿生成區域下游的基材或處理腔室之一部份上執行的沉積、蝕刻及/或清潔製程。
简体摘要：本发明之实施例大体上提供等离子源设备及其使用方法,透过使用电磁能量源,该等离子源能够于等离子生成区域中生成自由基及/或气体离子,而该区域是对称地定位在磁性内核组件周围。大体而言,等离子生成区域与磁性内核的方位及形状得以有效率地且均匀地将所传递的电磁能量耦合配置在等离子生成区域中的气体。大体而言,等离子生成区域中形成的等离子之改善的特征为能够改善配置在等离子生成区域下游的基材或处理腔室之一部份上运行的沉积、蚀刻及/或清洁制程。

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