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1. 发明专利

TWI544557B 用於臭氧硬化及硬化後之濕氣處理的模組有权
简体标题：用于臭氧硬化及硬化后之湿气处理的模块
公开(公告)号：TWI544557B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW100136071
申请日：2011-10-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 福洛德可比H , FLOYD, KIRBY H. , 坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/687
CPC分类号： F26B25/004 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02337 , H01L21/3105 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207

2. 发明专利

TW201542864A 具有氣體分佈及個別泵送的批次固化腔室审中-公开
简体标题：具有气体分布及个别泵送的批次固化腔室
公开(公告)号：TW201542864A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104113237
申请日：2015-04-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 英格爾尼汀庫利許納拉歐 , INGLE, NITIN KRISHNARAO , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/54
摘要：本發明揭露的實施例一般係關於經調整而在一個時間同時固化多個基板的批次處理腔室。批次處理腔室包括各自獨立控制溫度的多個處理子區域。批次處理腔室可包括第一與第二子處理區域，第一與第二子處理區域各自由在批次處理腔室外的基板傳送裝置服務。此外，安裝於批次固化腔室的裝載開口上的槽形蓋部減少在裝載與卸載期間進入腔室的周圍空氣之影響。
简体摘要：本发明揭露的实施例一般系关于经调整而在一个时间同时固化多个基板的批次处理腔室。批次处理腔室包括各自独立控制温度的多个处理子区域。批次处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批次处理腔室外的基板发送设备服务。此外，安装于批次固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少在装载与卸载期间进入腔室的周围空气之影响。

3. 发明专利

TWI670391B 具有氣體分佈及個別泵送的批次固化腔室有权
简体标题：具有气体分布及个别泵送的批次固化腔室
公开(公告)号：TWI670391B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104113237
申请日：2015-04-24
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 英格爾尼汀庫利許納拉歐 , INGLE, NITIN KRISHNARAO , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/54

4. 发明专利

TWI490366B ＣＶＤ腔室之流體控制特徵結構有权
简体标题：ＣＶＤ腔室之流体控制特征结构
公开(公告)号：TWI490366B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW099123311
申请日：2010-07-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 米勒馬修 , MILLER, MATTHEW , 朴書南 , PARK, SOONAM , 崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/452 , C23C16/45574 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T137/85938

5. 发明专利

TWI529775B 負載閉鎖批式臭氧硬化有权
简体标题：负载闭锁批式臭氧硬化
公开(公告)号：TWI529775B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW100121086
申请日：2011-06-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 福洛德可比H , FLOYD, KIRBY H. , 坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/67178 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67757

6. 发明专利

TW201225199A 用於臭氧硬化及硬化後之濕氣處理的模組 MODULE FOR OZONE CURE AND POST-CURE MOISTURE TREATMENT 审中-公开
简体标题：用于臭氧硬化及硬化后之湿气处理的模块 MODULE FOR OZONE CURE AND POST-CURE MOISTURE TREATMENT
公开(公告)号：TW201225199A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100136071
申请日：2011-10-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：路布米斯基德米崔 , 賓森二世傑D , 福洛德可比H , 坎艾德柏 , 凡卡塔拉曼尚卡爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： F26B25/004 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02337 , H01L21/3105 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207
摘要：本發明揭示一種基材處理系統,該基材處理系統具有複數個沉積室及第一機器人手臂,該第一機器人手臂可操作以在該等沉積室中之一者與裝載鎖定基材固持區之間移動基材。系統亦可具有第二機器人手臂,該第二機器人手臂可操作以在該裝載鎖定基材固持區與基材硬化及處理模組之硬化室之間移動基材。該基材硬化及處理模組附接至該裝載鎖定基材固持區,且該基材硬化及處理模組可包括:硬化室及處理室,該硬化室用於在包含臭氧之氛圍中硬化介電層,該處理室用於在包含水蒸汽之氛圍中處理該經硬化之介電層。該硬化室可相對於該處理室垂直地配置。該模組亦可包括加熱系統,該加熱系統可操作地耦接至該硬化室及該處理室,其中該加熱系統可操作以將該硬化室之第一溫度自大約150℃調整至大約200℃,且將該處理室之第二溫度自大約80℃調整至大約100℃。模組可更進一步包括在硬化室及處理室兩者上之進出門。該等進出門中之每一者可操作以移動至打開位置以接收基材,且當基材正在硬化或處理期間,該等進出門中之每一者可操作以移動至封閉密封之位置。
简体摘要：本发明揭示一种基材处理系统,该基材处理系统具有复数个沉积室及第一机器人手臂,该第一机器人手臂可操作以在该等沉积室中之一者与装载锁定基材固持区之间移动基材。系统亦可具有第二机器人手臂,该第二机器人手臂可操作以在该装载锁定基材固持区与基材硬化及处理模块之硬化室之间移动基材。该基材硬化及处理模块附接至该装载锁定基材固持区,且该基材硬化及处理模块可包括:硬化室及处理室,该硬化室用于在包含臭氧之氛围中硬化介电层,该处理室用于在包含水蒸汽之氛围中处理该经硬化之介电层。该硬化室可相对于该处理室垂直地配置。该模块亦可包括加热系统,该加热系统可操作地耦接至该硬化室及该处理室,其中该加热系统可操作以将该硬化室之第一温度自大约150℃调整至大约200℃,且将该处理室之第二温度自大约80℃调整至大约100℃。模块可更进一步包括在硬化室及处理室两者上之进出门。该等进出门中之每一者可操作以移动至打开位置以接收基材,且当基材正在硬化或处理期间,该等进出门中之每一者可操作以移动至封闭密封之位置。

7. 发明专利

TW201209880A 負載閉鎖批式臭氧硬化 LOADLOCK BATCH OZONE CURE 审中-公开
简体标题：负载闭锁批式臭氧硬化 LOADLOCK BATCH OZONE CURE
公开(公告)号：TW201209880A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100121086
申请日：2011-06-16
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：路布米斯基德米崔 , 賓森二世傑D , 福洛德可比H , 坎艾德柏 , 凡卡塔拉曼尚卡爾
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/67178 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67757
摘要：本發明提供一種用於以批次模式處理複數個晶圓之基板處理腔室。在一實施例中,該腔室包括:一垂直對準外殼,該外殼具有由一內部分割器分隔之第一處理區域及第二處理區域,該第一處理區域直接定位於該第二處理區域上方;一多區域加熱器,該加熱器操作性耦接至該外殼,以加熱彼此獨立之該第一處理區域及該第二處理區域;一晶圓傳送器,該傳送器經調適成固持該處理室內的複數個晶圓,及在該第一處理區域與該第二處理區域之間垂直移動;一氣體分配系統,該氣體分配系統經調適成將臭氧引入該第二區域中及將蒸汽引入該第一處理區域中;以及一排氣系統,該排氣系統經設置以排出被引入該第一處理區域及該第二處理區域中之氣體。
简体摘要：本发明提供一种用于以批次模式处理复数个晶圆之基板处理腔室。在一实施例中,该腔室包括:一垂直对准外壳,该外壳具有由一内部分割器分隔之第一处理区域及第二处理区域,该第一处理区域直接定位于该第二处理区域上方;一多区域加热器,该加热器操作性耦接至该外壳,以加热彼此独立之该第一处理区域及该第二处理区域;一晶圆发送器,该发送器经调适成固持该处理室内的复数个晶圆,及在该第一处理区域与该第二处理区域之间垂直移动;一气体分配系统,该气体分配系统经调适成将臭氧引入该第二区域中及将蒸汽引入该第一处理区域中;以及一排气系统,该排气系统经设置以排出被引入该第一处理区域及该第二处理区域中之气体。

8. 发明专利

TW201111548A ＣＶＤ腔室之流體控制特徵結構 FLOW CONTROL FEATURES OF CVD CHAMBERS 审中-公开
简体标题：ＣＶＤ腔室之流体控制特征结构 FLOW CONTROL FEATURES OF CVD CHAMBERS
公开(公告)号：TW201111548A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099123311
申请日：2010-07-15
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：祝基恩N , 梁奇偉 , 蓋葉韓D , 陳興隆 , 米勒馬修 , 朴書南 , 崔恩托恩Q , 坎艾德柏 , 楊章喬 , 路布米斯基德米崔 , 凡卡塔拉曼尚卡爾
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/452 , C23C16/45574 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T137/85938
摘要：本發明提供用於氣體散佈組件之設備與方法。在一態樣中，提供一種氣體散佈組件，其包含：一環形本體，其包含：一環形圈，其具有一內環形壁、一外壁、一上表面與一底表面；一上凹部，其形成到該上表面內；及一座部，其形成到該內環形壁內；一上板，其設置在該上凹部中且包含：一碟形本體，其具有複數個形成通過其間之第一穿孔；及一底板，其設置在該座部上且包含：一碟形本體，其具有複數個形成通過其間之第二穿孔，該些第二穿孔和該些第一穿孔對準；及複數個第三穿孔，其形成在該些第二穿孔之間且通過該底板，該底板係密封地耦接到該上板以將該複數個第一與第二穿孔和該複數個第三穿孔流體地隔離。
简体摘要：本发明提供用于气体散布组件之设备与方法。在一态样中，提供一种气体散布组件，其包含：一环形本体，其包含：一环形圈，其具有一内环形壁、一外壁、一上表面与一底表面；一上凹部，其形成到该上表面内；及一座部，其形成到该内环形壁内；一上板，其设置在该上凹部中且包含：一碟形本体，其具有复数个形成通过其间之第一穿孔；及一底板，其设置在该座部上且包含：一碟形本体，其具有复数个形成通过其间之第二穿孔，该些第二穿孔和该些第一穿孔对准；及复数个第三穿孔，其形成在该些第二穿孔之间且通过该底板，该底板系密封地耦接到该上板以将该复数个第一与第二穿孔和该复数个第三穿孔流体地隔离。

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