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1. 发明专利

TWI688312B 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器有权
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TWI688312B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW106140271
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , PARK,SOONAM , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065

2. 发明专利

TWI676205B 用於鹵化物驅氣的處理系統及方法有权
简体标题：用于卤化物驱气的处理系统及方法
公开(公告)号：TWI676205B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW107104260
申请日：2014-03-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王安川 , WANG,ANCHUAN , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 李資慧 , LI,ZIHUI , 浜名宏 , HAMANA,HIROSHI , 陳智君 , CHEN,ZHIJUN , 徐菁鎂 , HSU,CHING-MEI , 黃嘉瑩 , HUANG,JIAYIN , 英格爾尼汀K , INGLE,NITIN K. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DIMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR , 薩庫瑞希爾 , THAKUR,RANDHIR
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32

4. 发明专利

TW201523785A 基板支撐系統审中-公开
简体标题：基板支撑系统
公开(公告)号：TW201523785A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103129966
申请日：2014-08-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/68792
摘要：一種用於基板處理腔室的基板支撐系統之方法與設備，該腔室包括封閉處理區域的腔室主體、至少部分設置在處理區域中的主要基板支撐件與次要基板支撐件，次要基板支撐件外接主要基板支撐件，其中該主要基板支撐件與該次要基板支撐件中的一個或兩個相對於另一個係線性可移動的，且該主要基板支撐件相對於該次要基板支撐件係可旋轉的。
简体摘要：一种用于基板处理腔室的基板支撑系统之方法与设备，该腔室包括封闭处理区域的腔室主体、至少部分设置在处理区域中的主要基板支撑件与次要基板支撑件，次要基板支撑件外置主要基板支撑件，其中该主要基板支撑件与该次要基板支撑件中的一个或两个相对于另一个系线性可移动的，且该主要基板支撑件相对于该次要基板支撑件系可旋转的。

5. 发明专利

TW201513216A 用於半導體設備的密封槽方法审中-公开
简体标题：用于半导体设备的密封槽方法
公开(公告)号：TW201513216A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103128127
申请日：2014-08-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32816 , H01J37/32513 , Y10T428/24479
摘要：在一個實施例中，一種具有在其中形成之密封槽之表面。該密封槽經設置以接受彈性密封件。密封槽包括第一部分，該第一部分具有完整的鳩尾剖面，且至少位於具有半鳩尾剖面之第二部分之上。
简体摘要：在一个实施例中，一种具有在其中形成之密封槽之表面。该密封槽经设置以接受弹性密封件。密封槽包括第一部分，该第一部分具有完整的鸠尾剖面，且至少位于具有半鸠尾剖面之第二部分之上。

6. 发明专利

TW201434119A 具有同心冷卻基座的靜電夾具审中-公开
简体标题：具有同心冷却基座的静电夹具
公开(公告)号：TW201434119A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW103100094
申请日：2014-01-02
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DIMITRY , 坦汀汪凱爾 , TANTIWONG, KYLE , 巴那沙莫 , BANNA, SAMER
IPC分类号： H01L23/34 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831 , H01L21/67 , H01L21/67098
摘要：本揭示案之實施例一般提供用於以均勻之方式冷卻基板支撐件之設備及方法。本揭示案之一個實施例提供用於基板支撐件之冷卻組件。冷卻組件包括：冷卻基座，具有第一側面，該第一側面用於接觸基板支撐件及向基板支撐件提供冷卻；擴散器，安置在冷卻基座之第二側面上，其中擴散器界定複數個冷卻路徑以用於以並聯方式向冷卻基座輸送冷卻流體；及進口/出口板，安置在擴散器下方，其中進口/出口板在擴散器與冷卻流體之進口及出口之間提供介面。
简体摘要：本揭示案之实施例一般提供用于以均匀之方式冷却基板支撑件之设备及方法。本揭示案之一个实施例提供用于基板支撑件之冷却组件。冷却组件包括：冷却基座，具有第一侧面，该第一侧面用于接触基板支撑件及向基板支撑件提供冷却；扩散器，安置在冷却基座之第二侧面上，其中扩散器界定复数个冷却路径以用于以并联方式向冷却基座输送冷却流体；及进口/出口板，安置在扩散器下方，其中进口/出口板在扩散器与冷却流体之进口及出口之间提供界面。

7. 发明专利

TWI672077B 評估電漿製程裝置中內部表面調節的系統與方法有权
简体标题：评估等离子制程设备中内部表面调节的系统与方法
公开(公告)号：TWI672077B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW104132431
申请日：2015-10-01
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朴書南 , PARK, SOONAM , 朱俞飛 , ZHU, YUFEI , 隋瑞茲愛德恩C , SUAREZ, EDWIN C. , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 黃嘉瑩 , HUANG, JIAYIN
IPC分类号： H05H1/24 , H01J37/32

8. 发明专利

TW201907755A 藉由直流偏壓調節之顆粒產生抑制器审中-公开
简体标题：借由直流偏压调节之颗粒产生抑制器
公开(公告)号：TW201907755A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107126625
申请日：2014-10-20
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：白宗薰 , BAEK,JONGHOON , 朴秀南 , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DMITRY
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/42 , H01L21/3065
摘要：本揭示案的實施例大體上係關於用於減少處理腔室中的顆粒產生之設備與方法。在一實施例中，該方法大體上包括：在一供電的頂部電極與一接地的底部電極之間產生一電漿，其中該頂部電極平行於該底部電極；以及在一膜沉積處理期間施加一恆定為零的DC偏壓電壓至該供電的頂部電極，以最小化該供電的頂部電極與該電漿之間的該電位差及/或該接地的底部電極與該電漿之間的該電位差。最小化該電漿與該等電極之間的該電位差可減少顆粒產生，因為該等電極的該鞘區域中的該等離子的加速係減少，且該等離子與該等電極上的保護塗覆層之碰撞力係最小化。因此，減少基板表面上的顆粒產生。
简体摘要：本揭示案的实施例大体上系关于用于减少处理腔室中的颗粒产生之设备与方法。在一实施例中，该方法大体上包括：在一供电的顶部电极与一接地的底部电极之间产生一等离子，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在一膜沉积处理期间施加一恒定为零的DC偏压电压至该供电的顶部电极，以最小化该供电的顶部电极与该等离子之间的该电位差及/或该接地的底部电极与该等离子之间的该电位差。最小化该等离子与该等电极之间的该电位差可减少颗粒产生，因为该等电极的该鞘区域中的该等离子的加速系减少，且该等离子与该等电极上的保护涂覆层之碰撞力系最小化。因此，减少基板表面上的颗粒产生。

9. 发明专利

TW201820398A 用於鹵化物驅氣的處理系統及方法审中-公开
简体标题：用于卤化物驱气的处理系统及方法
公开(公告)号：TW201820398A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW107104260
申请日：2014-03-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王安川 , WANG,ANCHUAN , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 李資慧 , LI,ZIHUI , 浜名宏 , HAMANA,HIROSHI , 陳智君 , CHEN,ZHIJUN , 徐菁鎂 , HSU,CHING-MEI , 黃嘉瑩 , HUANG,JIAYIN , 英格爾尼汀K , INGLE,NITIN K. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DIMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR , 薩庫瑞希爾 , THAKUR,RANDHIR
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要：提供用於控制濕氣污染物造成之製程缺陷的系統、腔室及製程。系統可提供用於腔室之設置以在真空或受控環境中施行多項操作。腔室可包括組合腔室設計中之設置以提供附加處理功能。方法可提供對老化缺陷之限制、防止及修正，該等老化缺陷可由系統工具施行之蝕刻製程造成。
简体摘要：提供用于控制湿气污染物造成之制程缺陷的系统、腔室及制程。系统可提供用于腔室之设置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中之设置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷之限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行之蚀刻制程造成。

10. 发明专利

TW201705186A 具有以直接上轉換對微波場之旋轉頻率進行數位控制的電漿反應器审中-公开
简体标题：具有以直接上转换对微波场之旋转频率进行数码控制的等离子反应器
公开(公告)号：TW201705186A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105108504
申请日：2016-03-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 菅井英夫 , SUGAI, HIDEO , 朴書南 , PARK, SOONAM , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KARTIK , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32302 , H01J37/32311
摘要：一種用於處理工件的電漿反應器具有微波源與使用者介面，微波源具有使用直接數位上轉換來作數位同步的旋轉頻率，使用者介面用於控制該旋轉頻率。
简体摘要：一种用于处理工件的等离子反应器具有微波源与用户界面，微波源具有使用直接数码上转换来作数码同步的旋转频率，用户界面用于控制该旋转频率。

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