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1. 发明专利

TWI670391B 具有氣體分佈及個別泵送的批次固化腔室有权
简体标题：具有气体分布及个别泵送的批次固化腔室
公开(公告)号：TWI670391B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104113237
申请日：2015-04-24
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 英格爾尼汀庫利許納拉歐 , INGLE, NITIN KRISHNARAO , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/54

2. 发明专利

TWI594319B 用以改良控制之利用直流電輔助射頻功率的半導體處理有权
简体标题：用以改良控制之利用直流电辅助射频功率的半导体处理
公开(公告)号：TWI594319B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW102127133
申请日：2013-07-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 朴書南 , PARK, SOONAM , 白宗薰 , BAEK, JONGHOON , 賈格沙魯巴 , GARG, SAURABH , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32091 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32146 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67069 , H01L21/67075

3. 发明专利

TWI490366B ＣＶＤ腔室之流體控制特徵結構有权
简体标题：ＣＶＤ腔室之流体控制特征结构
公开(公告)号：TWI490366B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW099123311
申请日：2010-07-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：祝基恩N , CHUC, KIEN N. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 蓋葉韓D , NGUYEN, HANH D. , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 米勒馬修 , MILLER, MATTHEW , 朴書南 , PARK, SOONAM , 崔恩托恩Q , TRAN, TOAN Q. , 坎艾德柏 , KHAN, ADIB , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/452 , C23C16/45574 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T137/85938

4. 发明专利

TW201732926A 晶圓處理設備中的化學物質控制特徵审中-公开
简体标题：晶圆处理设备中的化学物质控制特征
公开(公告)号：TW201732926A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106117934
申请日：2013-09-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁奇偉 , LIANG,QIWEI , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 祝基恩 , CHUC,KIEN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DIMITRY , 朴書南 , PARK,SOONAM , 楊章喬 , YANG,JANG-GYOO , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR , 崔恩托恩 , TRAN,TOAN , 辛克里金柏利 , HINCKLEY,KIMBERLY , 賈格沙魯巴 , GARG,SAURABH
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449 , B05B1/005 , B05B1/18 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/002 , H01L21/67069
摘要：茲描述氣體分配組合件，包括環形主體、上板材及下板材。該上板材可以界定第一複數孔，並且該下板材可以界定第二和第三複數孔。該上板材和該下板材可以彼此耦接並與該環形主體耦接，使得該第一和第二孔形成通過該氣體分配組合件的通道，並且該上板材和該下板材之間界定一容積。
简体摘要：兹描述气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一复数孔，并且该下板材可以界定第二和第三复数孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的信道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。

6. 发明专利

TWI379358B 遠端電漿源的陳化方法 REMOTE PLASMA SOURCE SEASONING 有权
简体标题：远程等离子源的陈化方法 REMOTE PLASMA SOURCE SEASONING
公开(公告)号：TWI379358B
公开(公告)日：2012-12-11
申请号：TW099127602
申请日：2010-08-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：朴書南 , 全洙 , 崔恩托恩Q , 楊章喬 , 梁奇偉 , 路布米斯基德米崔
IPC分类号： H01L , H01J , C23C
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/401 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , Y10S438/905
摘要：在此描述陳化(seasoning)遠端電漿系統的方法。該等方法包括以下步驟：將含矽前驅物流進遠端電漿區域，以沉積含矽膜於遠端電漿系統的內部表面上。該等方法減少沉積製程期間與陳化壁的反應，造成沉積速率改善、沉積均勻性改善並且減少後續沉積期間的缺陷度。
简体摘要：在此描述陈化(seasoning)远程等离子系统的方法。该等方法包括以下步骤：将含硅前驱物流进远程等离子区域，以沉积含硅膜于远程等离子系统的内部表面上。该等方法减少沉积制程期间与陈化壁的反应，造成沉积速率改善、沉积均匀性改善并且减少后续沉积期间的缺陷度。

7. 发明专利

TWI348334B 具有低電弧特性、圓柱形氣體出口及有形狀表面之頂置源功率電極之電漿反應器 PLASMA REACTOR OVERHEAD SOURCE POWER ELECTRODE WITH LOW ARCING TENDENCY, CYLINDRICAL GAS OUTLETS AND SHAPED SURFACE 有权
简体标题：具有低电弧特性、圆柱形气体出口及有形状表面之顶置源功率电极之等离子反应器 PLASMA REACTOR OVERHEAD SOURCE POWER ELECTRODE WITH LOW ARCING TENDENCY, CYLINDRICAL GAS OUTLETS AND SHAPED SURFACE
公开(公告)号：TWI348334B
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW094143440
申请日：2005-12-08
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：布卻柏格道格拉斯A 二世 , 霍夫曼丹尼爾J , 瑞杰門歐嘉 , 卡杜祺詹姆斯 , 堀岡啟二 , 楊章喬
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/3244
摘要：可形成至少一部份電漿反應器頂板之一種頂置氣體分佈電極具有面向此反應器製程區域的底表面。此電極包含一氣體供給歧管，用以接收具供給壓力且在電極頂端部份之製程氣體，以及複數個降壓圓柱狀孔洞，其中該些孔洞係由位於每個孔洞一端之氣體供給歧管處相對電極而軸向延伸。在電極內之一徑向氣體分佈歧管係徑向延伸整個電極。複數個軸向延伸之高傳導氣體流通道係連接各自複數個降壓孔洞的另一端至徑向氣體分佈歧管。複數個高傳導圓柱狀氣體出口孔形成於面向電漿之電極底表面中，以及軸向延伸至徑向氣體分佈歧管。
简体摘要：可形成至少一部份等离子反应器顶板之一种顶置气体分布电极具有面向此反应器制程区域的底表面。此电极包含一气体供给歧管，用以接收具供给压力且在电极顶端部份之制程气体，以及复数个降压圆柱状孔洞，其中该些孔洞系由位于每个孔洞一端之气体供给歧管处相对电极而轴向延伸。在电极内之一径向气体分布歧管系径向延伸整个电极。复数个轴向延伸之高传导气体流信道系连接各自复数个降压孔洞的另一端至径向气体分布歧管。复数个高传导圆柱状气体出口孔形成于面向等离子之电极底表面中，以及轴向延伸至径向气体分布歧管。

8. 发明专利

TW201014167A 雙頻電源應用之裝置 APPARATUS FOR DUAL FREQUENCY POWER APPLICATION 审中-公开
简体标题：双频电源应用之设备 APPARATUS FOR DUAL FREQUENCY POWER APPLICATION
公开(公告)号：TW201014167A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098124609
申请日：2009-07-21
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：沙倫史帝芬C , 楊章喬 , 米勒馬修L , 拉馬斯瓦米卡提克 , 克魯斯詹姆士P
IPC分类号： H03H , H05H , H03L
CPC分类号： H03H7/38
摘要：提供了與一製程腔室一起使用之電源匹配裝置的裝置與方法。在本發明之一態樣中，所提供之電源匹配裝置包括：一第一RF功率輸入，其耦接至一第一可調整電容器；一第二RF功率輸入，其耦接至一第二可調整電容器；一電源接合，其耦接至該第一可調整電容器與該第二可調整電容器；一接收器電路，其耦接至該電源接合；一高電壓濾波器，其耦接至該電源接合，且該高電壓濾波器具有一高電壓輸出；一電壓/電流偵測器，其耦接至該電源接合；以及一RF功率輸出，其連接至該電壓/電流偵測器。
简体摘要：提供了与一制程腔室一起使用之电源匹配设备的设备与方法。在本发明之一态样中，所提供之电源匹配设备包括：一第一RF功率输入，其耦接至一第一可调整电容器；一第二RF功率输入，其耦接至一第二可调整电容器；一电源接合，其耦接至该第一可调整电容器与该第二可调整电容器；一接收器电路，其耦接至该电源接合；一高电压滤波器，其耦接至该电源接合，且该高电压滤波器具有一高电压输出；一电压/电流侦测器，其耦接至该电源接合；以及一RF功率输出，其连接至该电压/电流侦测器。

10. 发明专利

TWI544837B 電漿源的設計有权
简体标题：等离子源的设计
公开(公告)号：TWI544837B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW099139386
申请日：2010-11-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 米勒馬修L , MILLER, MATTHEW L. , 賓森二世傑D , PINSON II, JAY D. , 祝基恩N , CHUC, KIEN N.
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32357

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