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1. 发明专利

TW201419403A 晶圓處理設備中的化學物質控制特徵审中-公开
简体标题：晶圆处理设备中的化学物质控制特征
公开(公告)号：TW201419403A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102132460
申请日：2013-09-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 祝基恩 , CHUC, KIEN , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DIMITRY , 朴書南 , PARK, SOONAM , 楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR , 崔恩托恩 , TRAN, TOAN , 辛克里金柏利 , HINCKLEY, KIMBERLY , 賈格沙魯巴 , GARG, SAURABH
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449 , B05B1/005 , B05B1/18 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/002 , H01L21/67069
摘要：茲描述氣體分配組合件，包括環形主體、上板材及下板材。該上板材可以界定第一複數孔，並且該下板材可以界定第二和第三複數孔。該上板材和該下板材可以彼此耦接並與該環形主體耦接，使得該第一和第二孔形成通過該氣體分配組合件的通道，並且該上板材和該下板材之間界定一容積。
简体摘要：兹描述气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一复数孔，并且该下板材可以界定第二和第三复数孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的信道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。

2. 发明专利

TW201417172A 用以改良控制之利用直流電輔助射頻功率的半導體處理审中-公开
简体标题：用以改良控制之利用直流电辅助射频功率的半导体处理
公开(公告)号：TW201417172A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102127133
申请日：2013-07-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 朴書南 , PARK, SOONAM , 白宗薰 , BAEK, JONGHOON , 賈格沙魯巴 , GARG, SAURABH , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32091 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32146 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67069 , H01L21/67075
摘要：所揭露之半導體處理系統包括一處理腔室。該處理腔室包括一上蓋組件、柵電極、傳導性插件，以及接地電極。每一構件係耦接於一或多個電源供應器，該等電源供應器可運作以於該處理腔室內產生一電漿。每一構件係經由置放複數個絕緣構件而電氣隔離。該一或多個電源供應器係利用切換機制而電氣耦接於該處理腔室。開關係可切換以使該一或多個電源供應器電氣耦接至該處理腔室的構件。
简体摘要：所揭露之半导体处理系统包括一处理腔室。该处理腔室包括一上盖组件、栅电极、传导性插件，以及接地电极。每一构件系耦接于一或多个电源供应器，该等电源供应器可运作以于该处理腔室内产生一等离子。每一构件系经由置放复数个绝缘构件而电气隔离。该一或多个电源供应器系利用切换机制而电气耦接于该处理腔室。开关系可切换以使该一或多个电源供应器电气耦接至该处理腔室的构件。

3. 发明专利

TWI594319B 用以改良控制之利用直流電輔助射頻功率的半導體處理有权
简体标题：用以改良控制之利用直流电辅助射频功率的半导体处理
公开(公告)号：TWI594319B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW102127133
申请日：2013-07-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：楊章喬 , YANG, JANG-GYOO , 陳興隆 , CHEN, XINGLONG , 朴書南 , PARK, SOONAM , 白宗薰 , BAEK, JONGHOON , 賈格沙魯巴 , GARG, SAURABH , 凡卡塔拉曼尙卡爾 , VENKATARAMAN, SHANKAR
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32091 , C23C16/50 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J37/32146 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02274 , H01L21/0262 , H01L21/28556 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67069 , H01L21/67075

5. 发明专利

TW201538995A 陶瓷環測試裝置审中-公开
简体标题：陶瓷环测试设备
公开(公告)号：TW201538995A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104105882
申请日：2015-02-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：小林悟 , KOBAYASHI, SATORU , 朱俞飛 , ZHU, YUFEI , 賈格沙魯巴 , GARG, SAURABH , 朴書南 , PARK, SOONAM , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： G01R31/12 , G01N33/38
摘要：一種用於測試腔室元件(例如陶瓷環)之電性特性的測試裝置，該測試裝置包括外部導體及內部導體，該內部導體設置於該外部導體內且與該外部導體電性隔離。該外部導體具有基座、頂部及設置於該基座與該頂部之間的內部體積側壁。該內部導體具有頂部部分及底部部分，該頂部部分具有第一直徑且該底部部分具有第二直徑，其中該第二直徑大於該第一直徑。樣品面積定義於該外部導體之該基座與該內部導體之該底部部分之間，且該樣品面積經配置以接收腔室元件。該腔室元件的電性特性可基於施加信號至該外部導體或該內部導體之至少一者而量測。
简体摘要：一种用于测试腔室组件(例如陶瓷环)之电性特性的测试设备，该测试设备包括外部导体及内部导体，该内部导体设置于该外部导体内且与该外部导体电性隔离。该外部导体具有基座、顶部及设置于该基座与该顶部之间的内部体积侧壁。该内部导体具有顶部部分及底部部分，该顶部部分具有第一直径且该底部部分具有第二直径，其中该第二直径大于该第一直径。样品面积定义于该外部导体之该基座与该内部导体之该底部部分之间，且该样品面积经配置以接收腔室组件。该腔室组件的电性特性可基于施加信号至该外部导体或该内部导体之至少一者而量测。

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