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1. 发明专利

TWI443738B 環形擋板有权
简体标题：环形挡板
公开(公告)号：TWI443738B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW097115345
申请日：2008-04-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：霍夫曼丹尼爾J , HOFFMAN, DANIEL J. , 貝拉卡羅 , BERA, KALLOL
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： F15D1/0005 , C23C14/22 , C23C16/44 , C23C16/4412 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01J37/32009 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831

2. 发明专利

TWI385279B 磁場增強式電漿反應器中的磁場成形方法失效
简体标题：磁场增强式等离子反应器中的磁场成形方法
公开(公告)号：TWI385279B
公开(公告)日：2013-02-11
申请号：TW096148505
申请日：2007-12-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：霍格森史考特A. , HOGENSON, SCOTT A. , 林黎羅傑艾倫 , LINDLEY, ROGER ALAN , 霍夫曼丹尼爾J , HOFFMAN, DANIEL J.
IPC分类号： C23F1/00
CPC分类号： H01J37/3266 , H01J37/32623 , H01J37/32688

3. 发明专利

TW201016078A 具有不同高度內外電極之陰極 CATHODE WITH INNER AND OUTER ELECTRODES AT DIFFERENT HEIGHTS 审中-公开
简体标题：具有不同高度内外电极之阴极 CATHODE WITH INNER AND OUTER ELECTRODES AT DIFFERENT HEIGHTS
公开(公告)号：TW201016078A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098120827
申请日：2009-06-22
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：霍夫曼丹尼爾J , 布卻柏格道格拉斯A 二世 , 凱斯桑永 , 卡茲丹
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01L21/6833
摘要：一種可在基板表面及在超出基板表面邊緣處產生均勻電漿的設備，具有一介電體，該介電體中嵌設有一上方電極和一環形電極。此上方電極的外周長與此環形電極的一內周長彼此重疊。在一具體實施方式中，上方電極以鉬通孔與環形電極電性耦接。在一具體實施方式中，上方電極耦接至一DC電力源，以產生靜電力吸住基板。在一具體實施方式中，上方電極耦接於一RF電力源，以激發一或多種製程氣體使其作為可用以處理基板的電漿。
简体摘要：一种可在基板表面及在超出基板表面边缘处产生均匀等离子的设备，具有一介电体，该介电体中嵌设有一上方电极和一环形电极。此上方电极的外周长与此环形电极的一内周长彼此重叠。在一具体实施方式中，上方电极以钼通孔与环形电极电性耦接。在一具体实施方式中，上方电极耦接至一DC电力源，以产生静电力吸住基板。在一具体实施方式中，上方电极耦接于一RF电力源，以激发一或多种制程气体使其作为可用以处理基板的等离子。

4. 发明专利

TWI527116B 環形擋板有权
简体标题：环形挡板
公开(公告)号：TWI527116B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW103118275
申请日：2008-04-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：霍夫曼丹尼爾J , HOFFMAN, DANIEL J. , 貝拉卡羅 , BERA, KALLOL
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： F15D1/0005 , C23C14/22 , C23C16/44 , C23C16/4412 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01J37/32009 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831

5. 发明专利

TWI457456B 介電射頻濺射靶上的腐蝕輪廓控制有权
简体标题：介电射频溅射靶上的腐蚀轮廓控制
公开(公告)号：TWI457456B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW098134651
申请日：2009-10-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：福斯特約翰C , FORSTER, JOHN C. , 霍夫曼丹尼爾J , HOFFMAN, DANIEL J. , 皮皮頓約翰A , PIPITONE, JOHN A. , 唐先敏 , TANG, XIANMIN , 汪榮軍 , WANG, RONGJUN
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/32082 , H01J37/3408 , H01J37/347 , Y10T156/10

6. 发明专利

TWI433215B 基材清洗室及清潔與調節之方法有权
简体标题：基材清洗室及清洁与调节之方法
公开(公告)号：TWI433215B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW097116866
申请日：2008-05-07
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：曼塔溫納 , MEHTA, VINEET , 布朗卡爾 , BROWN, KARL , 皮皮頓約翰A. , PIPITONE, JOHN A. , 霍夫曼丹尼爾J , HOFFMAN, DANIEL J. , 薛儂史蒂芬C , SHANNON, STEVEN C. , 米勒凱斯 , MILLER, KEITH , 帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D.
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065
CPC分类号： B08B7/0035 , C25F7/00 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01L21/02046 , H01L21/0206

7. 发明专利

TW201243924A 基材清洗室及清潔與調節之方法 SUBSTRATE CLEANING CHAMBER AND CLEANING AND CONDITIONING METHODS 审中-公开
简体标题：基材清洗室及清洁与调节之方法 SUBSTRATE CLEANING CHAMBER AND CLEANING AND CONDITIONING METHODS
公开(公告)号：TW201243924A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101121147
申请日：2008-05-07
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：曼塔溫納 , 布朗卡爾 , 皮皮頓約翰A , 霍夫曼丹尼爾J , 薛儂史蒂芬C , 米勒凱斯 , 帕克維傑D
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B7/0035 , C25F7/00 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01L21/02046 , H01L21/0206
摘要：基材清潔室包括具有拱形表面之輪廓頂電極,該拱形表面面對基材支撐件且具有多變的橫截面厚度,以改變拱形表面與基材支撐件之間的間隙大小好提供橫跨基材支撐件多變的電漿密度。清潔室之介電環包括底部、脊部以及覆蓋基材支撐件之周圍唇部的輻射狀向內架部。底部擋板包括具有至少一周圍壁之圓形盤。亦描述清潔室之清潔與調節處理。
简体摘要：基材清洁室包括具有拱形表面之轮廓顶电极,该拱形表面面对基材支撑件且具有多变的横截面厚度,以改变拱形表面与基材支撑件之间的间隙大小好提供横跨基材支撑件多变的等离子密度。清洁室之介电环包括底部、嵴部以及覆盖基材支撑件之周围唇部的辐射状向内架部。底部挡板包括具有至少一周围壁之圆形盘。亦描述清洁室之清洁与调节处理。

8. 发明专利

TWI544530B 基材清洗室及清潔與調節之方法有权
简体标题：基材清洗室及清洁与调节之方法
公开(公告)号：TWI544530B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW101121147
申请日：2008-05-07
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：曼塔溫納 , MEHTA, VINEET , 布朗卡爾 , BROWN, KARL , 皮皮頓約翰A , PIPITONE, JOHN A. , 霍夫曼丹尼爾J , HOFFMAN, DANIEL J. , 薛儂史蒂芬C , SHANNON, STEVEN C. , 米勒凱斯 , MILLER, KEITH , 帕克維傑D , PARKHE, VIJAY D.
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/3065
CPC分类号： B08B7/0035 , C25F7/00 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01L21/02046 , H01L21/0206

9. 发明专利

TWI376731B 電漿反應器中離子密度、離子能量分佈及離子解離之獨立控制 INDEPENDENT CONTROL OF ION DENSITY, ION ENERGY DISTRIBUTION AND ION DISSOCIATION IN A PLASMA REACTOR 有权
简体标题：等离子反应器中离子密度、离子能量分布及离子解离之独立控制 INDEPENDENT CONTROL OF ION DENSITY, ION ENERGY DISTRIBUTION AND ION DISSOCIATION IN A PLASMA REACTOR
公开(公告)号：TWI376731B
公开(公告)日：2012-11-11
申请号：TW095136928
申请日：2006-10-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：荷倫約翰P , 霍夫曼丹尼爾J
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01L21/67069
摘要：本發明係為一種在電漿反應器中處理工件的方法，包括：將來自具有三個各自頻率的至少三個RF功率源的RF功率耦合到反應器中的電漿；藉由選擇介於至少三個RF功率源中的第一對RF功率源的功率層級之間的比率而設定離子能量分佈形態；並且藉由選擇介於至少三個RF功率源中的第二對RF功率源的功率層級之間的比率而設定離子解離和離子密度。所述三個頻率可以是LF頻率、HF頻率或VHF頻率，其中所述第一對RF功率源相應於LF頻率和HF頻率，而第二對RF功率源相應於HF頻率和VHF頻率。另外，所述功率源包含四個RF功率源，其中第一對RF功率源相應於HF頻率和LF頻率，而第二對RF功率源相應於VHF頻率。
简体摘要：本发明系为一种在等离子反应器中处理工件的方法，包括：将来自具有三个各自频率的至少三个RF功率源的RF功率耦合到反应器中的等离子；借由选择介于至少三个RF功率源中的第一对RF功率源的功率层级之间的比率而设置离子能量分布形态；并且借由选择介于至少三个RF功率源中的第二对RF功率源的功率层级之间的比率而设置离子解离和离子密度。所述三个频率可以是LF频率、HF频率或VHF频率，其中所述第一对RF功率源相应于LF频率和HF频率，而第二对RF功率源相应于HF频率和VHF频率。另外，所述功率源包含四个RF功率源，其中第一对RF功率源相应于HF频率和LF频率，而第二对RF功率源相应于VHF频率。

10. 发明专利

TWI359457B 具有一溫度分佈均勻之加熱／冷卻晶圓支撐件的電容式耦合電漿反應器 CAPACITIVELY COUPLED PLASMA REACTOR HAVING A COOLED/HEATED WAFER SUPPORT WITH UNIFORM TEMPERATURE DISTRIBUTION 有权
简体标题：具有一温度分布均匀之加热／冷却晶圆支撑件的电容式耦合等离子反应器 CAPACITIVELY COUPLED PLASMA REACTOR HAVING A COOLED/HEATED WAFER SUPPORT WITH UNIFORM TEMPERATURE DISTRIBUTION
公开(公告)号：TWI359457B
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100132768
申请日：2006-10-13
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：霍夫曼丹尼爾J , 布利哈特保羅路卡斯 , 佛菲爾理查 , 塔法梭利哈米德 , 布卻柏格道格拉斯二世A , 伯恩斯道格拉斯H , 貝拉卡羅
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67248 , F25B49/02 , F25B2400/0401 , F25B2400/0403 , F25B2400/0411 , F25B2700/21174 , F25B2700/21175 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32724 , H01J2237/2001 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H05H2001/4682
摘要：用於處理工作物件的電漿反應器包括一反應室、一位於反應室中之靜電吸座，用以支撐工作物件、一RF電漿偏壓功率產生器，用以施加RF功率至靜電吸座、以及一相變化熱傳(PCHT)迴路，包括一熱交換器，位於靜電吸座內且具有入口與出口。PCHT迴路可在二種模式下操作：冷卻模式(在此熱交換器當作蒸發器)、和加熱模式(在此熱交換器當作冷凝器)。PCHT迴路更包括一壓縮機(用以透過迴路抽吸相變化熱傳媒介)，不直接耦接至熱交換器的出口、一冷凝器(冷卻模式)，耦接壓縮機的出口、以及一擴張閥，耦接於冷凝器的出口與熱交換器的入口之間。較佳地，熱交換器內的PCHT媒介為氣相與液相的混合物。如此，靜電吸座與熱交換器內之PCHT媒介間的熱傳進行為一恆溫的過程。此將改善整個靜電吸座之溫度分布的均勻度。
简体摘要：用于处理工作对象的等离子反应器包括一反应室、一位于反应室中之静电吸座，用以支撑工作对象、一RF等离子偏压功率产生器，用以施加RF功率至静电吸座、以及一相变化热传(PCHT)回路，包括一热交换器，位于静电吸座内且具有入口与出口。PCHT回路可在二种模式下操作：冷却模式(在此热交换器当作蒸发器)、和加热模式(在此热交换器当作冷凝器)。PCHT回路更包括一压缩机(用以透过回路抽吸相变化热传媒介)，不直接耦接至热交换器的出口、一冷凝器(冷却模式)，耦接压缩机的出口、以及一扩张阀，耦接于冷凝器的出口与热交换器的入口之间。较佳地，热交换器内的PCHT媒介为气相与液相的混合物。如此，静电吸座与热交换器内之PCHT媒介间的热传进行为一恒温的过程。此将改善整个静电吸座之温度分布的均匀度。

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