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    • 1. 发明申请
    • PROGRAMMABLE ON-DIE TERMINATION TIMING IN A MULTI-RANK SYSTEM
    • 多排序系统中可编程的终端定时时序
    • WO2017052853A1
    • 2017-03-30
    • PCT/US2016/047511
    • 2016-08-18
    • INTEL CORPORATION
    • BAINS, KuljitKOSTINSKY, AlexeyBONEN, Nadav
    • G11C7/10
    • H03K19/017545G06F3/061G06F3/0629G06F3/0673G06F13/1668
    • On-die termination (ODT) control enables programmable ODT latency settings. A memory device can couple to an associated memory controller via one or more buses shared by multiple memory devices organized ranks of memory. The memory controller generates a memory access command for a target rank. In response to the command, memory devices can selectively engage ODT for the memory access operation based on being in the target rank or a non-target rank, and based on whether the access command includes a Read or a Write. The memory device can engage ODT in accordance with a programmable ODT latency setting. The programmable ODT latency setting can set different ODT timing values for Read and Write transactions.
    • 片上终端(ODT)控制启用可编程的ODT延迟设置。 存储器设备可以通过由多个存储器设备组织的存储器级共享的一个或多个总线耦合到相关联的存储器控​​制器。 存储器控制器产生用于目标等级的存储器访问命令。 响应于该命令,存储器件可以基于目标等级或非目标等级,并且基于访问命令是包括读取还是写入,选择性地接合ODT用于存储器访问操作。 存储器件可以根据可编程的ODT延迟设置接合ODT。 可编程ODT延迟设置可以为读写事务设置不同的ODT时序值。
    • 3. 发明申请
    • 入力保護回路
    • 输入保护电路
    • WO2012114392A1
    • 2012-08-30
    • PCT/JP2011/004197
    • 2011-07-26
    • パナソニック株式会社結城 寿則小松 義英岩田 徹中村 穣
    • 結城 寿則小松 義英岩田 徹中村 穣
    • H03K19/003H03K19/0175
    • H02H3/20H03K19/0005H03K19/017545
    •  入力保護回路において、低振幅差動インターフェース回路400の外部端子対Sig+、Sig-間に接続された終端装置100のインピーダンス中間点TCに保護回路200の抵抗素子201の一端が接続され、前記抵抗素子201の他端がダイオード素子203のアノード端子に接続されると共に前記ダイオード素子203のカソード端子が基準電位端子VSSに接続される。これにより、伝送信号の品質を維持しながら、低耐電圧の回路の外部端子Sig+又はSig-がソケットSの信号端子(高抵抗を介して常にプルアップされているバス端子)HVBUSに誤接触して高電圧V DDH にプルアップされた際にも、回路を構成する素子の劣化の促進や破壊などが良好に低コストで保護される。
    • 在该输入保护电路中,保护电路(200)的电阻(201)的一端连接到终端装置(100)的阻抗中点(TC),该端接装置连接在一对外部端子(Sig +, 低压差分接口电路(400)的Sig-),并且电阻器(201)的另一端连接到二极管元件(203)的阳极端子,并且二极管元件(203)的阴极端子 连接到参考电位端子(VSS)。 这种配置在保持低电压电路的外部端子(Sig +,Sig-)的同时保持传输信号的质量的同时,提供了良好的低成本保护,以防止包括电路的元件的劣化或破坏等 错误地与插座(S)的信号端子(不断被高电阻上拉的总线端子)(HVBUS)接触,并被上拉到高电压(VDDH)。
    • 4. 发明申请
    • IMPEDANCE CONTROL CIRCUIT
    • 阻抗控制电路
    • WO99006845A2
    • 1999-02-11
    • PCT/US1998/014846
    • 1998-07-17
    • H03K19/00H03K19/0175G01R
    • H03K19/017545H03K19/0005
    • Briefly, in accordance with one embodiment of the invention an integrated circuit includes: a digital feedback control circuit to adjust the impedance of an interface circuit output buffer based, at least in part, on having adjusted the impedance of a non-data signal output buffer coupled to an external impedance. Briefly, in accordance with another embodiment of the invention, a method of digitally adjusting the impedance of an interface circuit output buffer comprises: digitally adjusting the impedance of a non-data signal output buffer coupled to an external impedance, and digitally adjusting the impedance of the interface circuit output buffer based, at least in part, on the digitally adjusted impedance of the non-data signal output buffer.
    • 简而言之,根据本发明的一个实施例,集成电路包括:数字反馈控制电路,用于至少部分地基于调整了非数据信号输出缓冲器的阻抗来调整接口电路输出缓冲器的阻抗 耦合到外部阻抗。 简而言之,根据本发明的另一个实施例,一种数字调节接口电路输出缓冲器的阻抗的方法包括:数字调节耦合到外部阻抗的非数据信号输出缓冲器的阻抗,并数字调节 所述接口电路输出缓冲器至少部分地基于非数据信号输出缓冲器的数字调节阻抗。
    • 9. 发明申请
    • コモンモード電圧制御装置
    • 共模电压控制器
    • WO2007032089A1
    • 2007-03-22
    • PCT/JP2005/017197
    • 2005-09-16
    • 富士通株式会社神田 浩一松原 聡
    • 神田 浩一松原 聡
    • H03K19/0175
    • H04L25/0276H03K5/003H03K19/017545H04L25/028
    •  伝送信号の帯域に影響を与えることなく、また系の安定性を確保しながら、例えば2つの回路ブロックの間でのコモンモード電圧の調整を行うためのコモンモード電圧制御装置は、信号伝送回路内の1つのバッファに対応するコモンモード電圧を発生する第1の参照電圧発生部と、その1つのバッファの後段、または前段のバッファに対応するコモンモード電圧を発生する第2の参照電圧発生部と、2つの参照電圧発生部の出力の差に対応して、その1つのバッファのコモンモード電圧を制御する信号を生成して、その1つのバッファと第1の参照電圧発生部とに与える制御信号生成部とを備える。
    • 用于调整例如两个电路块之间的共模电压而不影响传输信号的频带但具有系统稳定性的共模电压控制器包括:第一参考电压发生器,其产生对应于一个缓冲器的共模电压 在信号传输电路中,产生与一个缓冲器的后一级或前级的缓冲器相对应的共模电压的第二参考电压发生器,以及一个产生用于控制一个缓冲器的共模电压的信号的控制信号发生器 根据两个参考电压发生器的输出之间的差异,提供一个缓冲器,并将信号提供给一个缓冲器和第一个参考电压发生器。