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1. 发明申请

WO2009116152A1 光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009116152A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/JP2008/055113
申请日：2008-03-19
申请人：富士通株式会社 , 松田学 , 山本剛之
发明人：松田学 , 山本剛之
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： H01S5/1228 , B82Y20/00 , H01S5/0654 , H01S5/1215 , H01S5/124 , H01S5/2209 , H01S5/2275 , H01S5/32333 , H01S5/3403 , H01S5/3434
摘要：　光素子を、光導波路（１）と、光導波路（１）に沿って設けられた複数の回折格子層（２，３）とを備えるものとし、各回折格子層（２，３）を、分断された一の半導体層（１０２，１０４）と、一の半導体層（１０２，１０４）と屈折率が異なり、一の半導体層（１０２，１０４）を埋め込む他の半導体層（１０３，１０７）とによって構成される回折格子（２Ａ，３Ａ）を含むものとし、複数の回折格子層を、回折格子（２Ａ，３Ａ）が形成されている領域の長さが異なる少なくとも２つの回折格子層（２，３）を含むものとし、複数の回折格子層（２，３）は、対応する領域に形成されている回折格子（２Ａ，３Ａ）の位相、周期が同一になっている。
摘要翻译：光电元件包括光波导（1）和沿着光波导（1）形成的多个衍射光栅层（2,3）。每个衍射光栅层（2,3）包括由一个分割的半导体层（102,104）和另一个半导体层（103,107）构成的衍射光栅（2A，3A），该半导体层的折射率不同于一个半导体层（102,104），并且其中嵌入有一个半导体层（102,104）。多个衍射光栅层包括对形成衍射光栅（2A，3A）的区域具有不同长度的至少两个衍射光栅层（2,3）。在多个衍射光栅层（2,3）中，形成在相应区域中的衍射光栅（2A，3A）具有相同的相位和相同的频率。

2. 发明申请

WO2013091174A1 激光器、无源光网络系统、装置以及波长控制方法审中-公开
公开(公告)号：WO2013091174A1
公开(公告)日：2013-06-27
申请号：PCT/CN2011/084295
申请日：2011-12-20
申请人：华为技术有限公司 , 周小平
发明人：周小平
IPC分类号： H01S5/12 , H04B10/12 , H04L12/28
CPC分类号： H01S5/06251 , H01S5/06256 , H01S5/12 , H01S5/22 , H01S5/32333 , H04B10/503 , H04B10/5563 , H04B10/572
摘要：本发明实施例提供了一种激光器、无源光网络系统、装置以及波长控制方法，其中激光器包括：激光区和光栅调节区，所述激光器通过第一电隔离层将所述激光器分隔为激光区和光栅调节区；所述激光区，用于产生光信号，所述光信号包括"0"信号所对应的波长的光信号和"1"信号所对应的波长的光信号；所述光栅调节区，用于通过控制所述光栅调节区的电流，调节所述光栅调节区的波长，使得所述激光区的"1"信号所对应的波长的光信号通过所述光栅调节区，所述激光区的"0"信号所对应的波长的光信号返回所述激光区，从而实现了对直接调制激光器啁啾的抑制。

3. 发明申请

WO2019095529A1 一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片审中-公开
公开(公告)号：WO2019095529A1
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：PCT/CN2018/000305
申请日：2018-08-27
申请人：太原理工大学
发明人：张明江 , 张建忠 , 牛亚楠 , 刘毅 , 赵彤 , 乔丽君 , 王安帮 , 王云才
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/125 , H01S5/32333
摘要：一种随机散射光反馈的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片，由左分布式反馈半导体激光器（1），双向放大的半导体光放大器（2），左无源光波导部分（3），掺杂无源光波导部分（4），右无源光波导部分（5），右分布式反馈半导体激光器（6）六部分组成，具体包括：N+电极层（7），N型衬底（8），InGaAsP下限制层（9），无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层（10），杂质（11），分布反馈Bragg光栅（12），InGaAsP上限制层（13），P型重掺杂的InP盖层（14），P型重掺杂InGaAs接触层（15），P+电极层（16），出光口（17），隔离沟（18），有效解决了现有混沌激光源体积大、混沌信号带有时延特征、带宽窄以及光与光波导的耦合效率低的问题。

4. 发明申请

WO2014095903A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITER-LASERELEMENTEN UND HALBLEITER-LASERELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体激光器组件和半导体激光元件
公开(公告)号：WO2014095903A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/EP2013/076953
申请日：2013-12-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ENZMANN, Roland , HORN, Markus , GRAUL, Markus , VEIT, Thomas , DACHS, Jürgen , LISTL, Stefan , ARZBERGER, Markus
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/022 , H01S5/323
CPC分类号： H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0206 , H01S5/02236 , H01S5/0226 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/323 , H01S5/32333
摘要： In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Laserelementen (1) eingerichtet undumfasst die folgenden Schritte: A) Bereitstellen eines Trägerverbunds (20) mit einer Vielzahl von Trägern (2) für die Halbleiter-Laserelemente (1), B) Bereitstellen eines Laserbarrens (30) mit einer Vielzahl von Halbleiter-Laserdioden (3), die ein gemeinsames Aufwachssubstrat (31) und eine darauf aufgewachsene Halbleiterschichtenfolge (32) umfassen, C) Erzeugen von Sollbruchstellen (35) an einer der Halbleiterschichtenfolge (32) abgewandten Substratunterseite (34) des Aufwachssubstrats (31), D) Anbringen des Laserbarrens (30) auf einer Trägeroberseite (23) des Trägerverbunds (20), wobei das Anbringen bei einer erhöhten Temperatur erfolgt und von einem Abkühlen gefolgt wird, und E) Vereinzeln zu den Halbleiter-Laserelementen (1), wobei die Schritte B) bis E) in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt werden.
摘要翻译：在至少一个实施方案中，用于生产半导体激光元件（1）的方法被布置并包括以下步骤：A）提供具有多个载波的载体组件（20）（2）为半导体激光元件（1），B）提供具有多个半导体激光二极管的激光条（30）的（3），其包括共同的生长衬底（31）和一个在其上生长的半导体层序列（32），c）产生预定的断裂点（35）（从基板底部背对半导体层序列32）中的一个（34）在生长衬底（31），D）安装在载体组件（20），其中所述连接在升高的温度下进行，并随后冷却的载波顶部（23），激光条（30），以及e）分离所述半导体激光元件（1），其中，所述步骤B）中）给予到E的顺序被执行。

5. 发明申请

WO2007005796A1 PLANAR WAVEGUIDES WITH AIR THIN FILMS USED AS ANTIREFLECTIVE LAYERS, BEAM SPLITTERS AND MIRRORS 审中-公开
标题翻译：具有空气薄膜的平面波形用作反射层，光束分离器和反射镜
公开(公告)号：WO2007005796A1
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：PCT/US2006/025922
申请日：2006-06-30
申请人： INTEL CORPORATION , MCDONALD, Mark
发明人： MCDONALD, Mark
IPC分类号： H01S5/14 , G02B6/12
CPC分类号： H01S5/0265 , G02B2006/12104 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/02284 , H01S5/02438 , H01S5/028 , H01S5/0612 , H01S5/0683 , H01S5/101 , H01S5/1085 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/32333
摘要： Integrated structures including a waveguide that passes through each of the sections, with the waveguide further including an in-waveguide mirror, a beam splitter or an anti-reflective element. The in-waveguide mirror, beam splitter or anti-reflective element are formed by using one or more focused ion beam (FIB) cuts or slits through the waveguide. The cuts or slits used for the mirrors, beam splitters and anti-reflective elements all have high aspect ratios. the mirrors include on eslit extending through the core, prerpendicular to an axis of the core; the beam splitters include a single slit extneding throught the core at angle with respect to an axis of the core; and the anti-reflective elements include a pair of spaced apart slits extending through the core, perpendicular to an axis of the core.
摘要翻译：集成结构，包括穿过每个部分的波导，波导还包括波导反射镜，分束器或抗反射元件。通过使用通过波导的一个或多个聚焦离子束（FIB）切口或狭缝形成波导内反射镜，分束器或抗反射元件。用于镜子，分束器和抗反射元件的切口或狭缝都具有高纵横比。反射镜包括在垂直于芯的轴线的方向延伸穿过芯部的光线; 分束器包括相对于芯的轴线成角度地延伸穿过芯的单个狭缝; 并且抗反射元件包括垂直于芯的轴线延伸穿过芯的一对间隔开的狭缝。

6. 发明申请

WO0209242A3 OPTICAL STRUCTURE ON COMPLIANT SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：合适基板的光学结构
公开(公告)号：WO0209242A3
公开(公告)日：2003-01-30
申请号：PCT/US0122567
申请日：2001-07-18
申请人： MOTOROLA INC
发明人： RAMDANI JAMAL , HILT LYNDEE , DROOPAD RAVINDRANATH
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/36 , H01L33/00 , H01L33/30 , H01S5/02 , H01S5/183 , H01S5/32 , H01S5/323 , H01S5/327
CPC分类号： H01L33/30 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02521 , H01L33/0066 , H01S5/021 , H01S5/0218 , H01S5/183 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/32333 , H01S5/327 , H01S2301/173
摘要： High quality epitaxial layers of compound semiconductor materials (108) can be grown overlying large silicon wafers by first growing an accommodating buffer layer (104) on a silicon wafer (102). The accommodating buffer layer is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer (112) of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layer. Optical structures such as visible light lasers and light emitting diodes can be grown on the high quality epitaxial compound semiconductor material to create highly reliable devices having reduced costs.
摘要翻译：通过首先在硅晶片（102）上生长容纳缓冲层（104），可以将复合半导体材料（108）的高质量外延层生长成覆盖在大的硅晶片上。容纳缓冲层是通过氧化硅的非晶界面层（112）与硅晶片间隔开的单晶氧化物层。非晶界面层消耗应变并允许高质量单晶氧化物容纳缓冲层的生长。通过非晶界面层处理容纳缓冲层和底层硅衬底之间的任何晶格失配。可以在高质量外延化合物半导体材料上生长诸如可见光激光器和发光二极管之类的光学结构，从而产生具有降低成本的高可靠性器件。

7. 发明申请

WO02009242A2 OPTICAL STRUCTURE ON COMPLIANT SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：合适基板的光学结构
公开(公告)号：WO02009242A2
公开(公告)日：2002-01-31
申请号：PCT/US2001/022567
申请日：2001-07-18
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/36 , H01L33/00 , H01L33/30 , H01S5/02 , H01S5/183 , H01S5/32 , H01S5/323 , H01S5/327 , H01S
CPC分类号： H01L33/30 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02521 , H01L33/0066 , H01S5/021 , H01S5/0218 , H01S5/183 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/32333 , H01S5/327 , H01S2301/173
摘要： High quality epitaxial layers of compound semiconductor materials (108) can be grown overlying large silicon wafers by first growing an accommodating buffer layer (104) on a silicon wafer (102). The accommodating buffer layer is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer (112) of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layer. Optical structures such as visible light lasers and light emitting diodes can be grown on the high quality epitaxial compound semiconductor material to create highly reliable devices having reduced costs.
摘要翻译：通过首先在硅晶片（102）上生长容纳缓冲层（104），可以将复合半导体材料（108）的高质量外延层生长成覆盖在大的硅晶片上。容纳缓冲层是通过氧化硅的非晶界面层（112）与硅晶片间隔开的单晶氧化物层。非晶界面层消耗应变并允许高质量单晶氧化物容纳缓冲层的生长。通过非晶界面层处理容纳缓冲层和底层硅衬底之间的任何晶格失配。可以在高质量外延化合物半导体材料上生长诸如可见光激光器和发光二极管之类的光学结构，从而产生具有降低成本的高可靠性器件。

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