基本信息:
- 专利标题： 고전자이동도 트랜지스터 및 그의 제조방법
- 专利标题（英）：High electron mobility transistor and manufacturing method therefor
- 专利标题（中）：高电子迁移率晶体管及其制造方法
- 申请号：PCT/KR2016/011535 申请日：2016-10-14
- 公开(公告)号：WO2017069461A1 公开(公告)日：2017-04-27
- 发明人： 이상민 , 정연국 , 구황섭 , 김현제 , 정희석
- 申请人： (주)기가레인
- 申请人地址： 18449 경기도 화성시 삼성1로5길 46 (석우동), Gyeonggi-do KR
- 专利权人： (주)기가레인
- 当前专利权人： (주)기가레인
- 当前专利权人地址： 18449 경기도 화성시 삼성1로5길 46 (석우동), Gyeonggi-do KR
- 代理机构： 특허법인 주원
- 优先权： KR10-2015-0147655 20151023; KR10-2016-0047550 20160419
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/66 ; H01L29/417 ; H01L21/768 ; H01L21/02
摘要：
고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 고전자이동도 트랜지스터는 소스전극배선형성부위가 정의된 기판, 상기 기판 상부에 형성되는 베이스층, 상기 소스전극배선형성부위의 상기 베이스층 상부에 형성되고 중공이 형성된 소스전극, 상기 소스전극과 이격되어 상기 베이스층 상부에 형성되는 드레인전극, 상기 소스전극과 상기 드레인전극 사이 상기 베이스층 상부에 형성되는 게이트전극 및 상기 소스전극의 중공 내측 상기 소스전극배선형성부위의 상기 베이스층 및 상기 기판을 전면에서부터 소정 깊이로 식각하고 전도체를 충진하여 형성되는 소스전극배선용 비아패드를 포함한다.
摘要（中）：
公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。 本发明的高电子迁移率晶体管包括：衬底，其上限定了源电极布线形成区域;衬底层，形成在衬底上;源电极，形成在源电极布线形成区域上的基底层上并形成有中空的， 以及形成在基层上以与源电极分隔开的漏电极，形成在源电极和漏电极之间的基层上的栅电极， 并且通过从基板的正面蚀刻预定深度并填充导体而形成用于源电极布线的通孔焊盘。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/778 | .....带有二维载流子气沟道的，如HEMT |