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1. 发明申请

WO2012053253A1 単結晶炭化珪素基板を有する複合基板审中-公开
标题翻译：具有单晶碳化硅基体的复合基板
公开(公告)号：WO2012053253A1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/JP2011/063951
申请日：2011-06-17
申请人：住友電気工業株式会社 , 堀勉 , 原田真 , 井上博揮 , 佐々木信 , 伊藤里美 , 並川靖生
发明人：堀　勉 , 原田　真 , 井上　博揮 , 佐々木　信 , 伊藤　里美 , 並川　靖生
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/203 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/02002 , H01L21/02529 , H01L21/02609 , H01L21/02667 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要：　第１の単結晶炭化珪素基板（１１）の第１の辺（Ｓ１）と、第２の単結晶炭化珪素基板（１２）の第２の辺（Ｓ２）とが直線状に並ぶように、第１の単結晶炭化珪素基板（１１）の第１の頂点（Ｐ１）と、第２の単結晶炭化珪素基板（１２）の第２の頂点（Ｐ２）とが互いに突き合わされている。また第１の辺（Ｓ１）の少なくとも一部と、第２の辺（Ｓ２）の少なくとも一部とが、第３の単結晶炭化珪素基板（１３）の第３の辺（Ｓ３）に突き合わされている。これにより、複合基板を用いた半導体装置の製造において単結晶炭化珪素基板の間の隙間に起因した工程変動を抑制することができる。
摘要翻译：第一单晶碳化硅衬底（11）的第一顶点（P1）和第二单晶碳化硅衬底（12）的第二顶点（P2）彼此相邻地定位，使得第第一单晶碳化硅衬底（11）和第二单晶碳化硅衬底（12）的第二侧（S2）以直线排列。此外，第一侧面（S1）的至少一部分和第二侧面（S2）的至少一部分与第三单晶碳化硅基板（13）的第三面（S3）相邻。因此，可以在使用复合衬底的半导体器件的制造中控制由单晶碳化硅衬底之间的间隙引起的工艺变化。

2. 发明申请

WO2011118055A1 ティシュペーパー製品用二次原反ロールの製造方法及びティシュペーパー製品の製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造组织纸产品的第二原始织物辊的方法和用于制造组织纸产品的方法
公开(公告)号：WO2011118055A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：PCT/JP2010/063037
申请日：2010-08-02
申请人：大王製紙株式会社 , 花田知弘 , 石川睦 , 佐々木信義
发明人：花田　知弘 , 石川　睦 , 佐々木　信義
IPC分类号： A47K10/16 , B05D7/00 , D21H27/00
CPC分类号： A47K10/16 , D21H27/002 , D21H27/30
摘要：【課題】マルチスタンド式インターフォルダで利用されるティシュペーパー製品用二次原反ロールを製造するにあたり、大幅な設備改造を要することなく、既設備のマイナーな改造で足りる生産性に優れた製造方法を提供する。【解決手段】複数の一次原反ロールＪＲから繰り出される一次連続シートＳ１１、Ｓ１２をその連続方向に沿って積層して積層連続シートＳ２とする積層工程（５１）と、積層連続シートＳ２に対して薬液を噴霧状態で付与する第一次薬液噴霧工程（４０Ａ，４０Ｂ）と、その後にフレキソ印刷方式又はグラビア印刷方式によって塗布する第二次薬液塗布工程（５３Ａ、５３Ｂ）と、積層連続シートＳ２をティシュペーパー製品の製品幅又はその複数倍幅となるようにスリットするスリット工程（５５）と、スリットされた各積層連続シートＳ２を同軸で巻取ってティシュペーパー製品の製品幅又はその複数倍幅の複数の二次原反ロールＲを形成する巻取り工程（５６）とを有するティシュペーパー製品用二次原反ロールの製造方法である。
摘要翻译：公开了一种制造用作多支架型夹板的薄纸制品的第二原始织物卷的方法，所述制造方法通过轻微改善现有设备而不需要大量改进设备而提供高生产率。用于制造用于薄纸产品的第二原始织物卷的方法包括：层叠工艺（51），其中从多个初级原始织物辊（JR）展开的主要连续片材（S11，S12）沿着连续地形成层压连续片材（S2）; 将液体剂喷射到层叠连续片材（S2）上的主要液体剂喷射方法（40A，40B）; 在主液体喷雾处理（40A，40B）之后通过柔性版印刷或凹版印刷施加液体试剂的第二液剂施加方法（53A，53B）; 切割方法（55），其中层压的连续片材（S2）被切割成具有与薄纸制品相同的宽度或几分之一的薄纸制品的宽度; 以及卷绕方法（56），其中所述狭缝层压的连续片（S2）同轴地被卷绕以形成具有与薄纸产品相同的宽度的几个第二原始织物卷（R）或棉纸的宽度的几倍产品。

3. 发明申请

WO2011092893A1 炭化珪素基板の製造方法审中-公开
标题翻译：生产碳化硅基体的方法
公开(公告)号：WO2011092893A1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/JP2010/066754
申请日：2010-09-28
申请人：住友電気工業株式会社 , 佐々木信 , 原田真 , 西口太郎 , 沖田恭子 , 井上博揮 , 並川靖生
发明人：佐々木　信 , 原田　真 , 西口　太郎 , 沖田　恭子 , 井上　博揮 , 並川　靖生
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/36 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , C30B29/36 , C30B33/06 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/2007 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7813
摘要：　炭化珪素基板の製造方法は、炭化珪素からなるベース基板（１０）と単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板（２０）とを準備する工程と、ベース基板（１０）とＳｉＣ基板（２０）とを互いの主面（１０Ａ，２０Ｂ）同士が接触するように積み重ねることにより、積層基板を作製する工程と、積層基板を加熱することにより、ベース基板（１０）とＳｉＣ基板（２０）とを接合して接合基板（３）を作製する工程と、ベース基板（１０）とＳｉＣ基板（２０）との間に温度差が形成されるように接合基板（３）を加熱することにより、接合基板（３）を作製する工程においてベース基板（１０）とＳｉＣ基板（２０）との接合界面（１５）に形成されたボイド（３０）を外部に排出する工程とを備えている。
摘要翻译：一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：提供包括碳化硅的基底衬底（10）和包括单晶碳化硅的SiC衬底（20）; 将基板（10）和SiC基板（20）彼此堆叠，使得基板的主表面（10A，20B）彼此接触以制备层压基板; 加热所述层压基板以将所述基板（10）和所述SiC基板（20）彼此接合以制造键合衬底（3）; 以及加热所述键合衬底（3）使得在所述基底衬底（10）和所述SiC衬底（20）之间建立温度差以产生形成在所述接合界面（15）中的空隙（30）的所述键合衬底（3）在基底基板（10）和SiC基板（20）之间被排出到外部。

4. 发明申请

WO2011077797A1 炭化珪素基板审中-公开
标题翻译：碳化硅基板
公开(公告)号：WO2011077797A1
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/JP2010/066765
申请日：2010-09-28
申请人：住友電気工業株式会社 , 井上博揮 , 原田真 , 佐々木信 , 西口太郎 , 沖田恭子 , 並川靖生
发明人：井上　博揮 , 原田　真 , 佐々木　信 , 西口　太郎 , 沖田　恭子 , 並川　靖生
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/36 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02444 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , H01L21/0475 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要：　炭化珪素以外の材料からなる異種材料層が形成された場合でも反りを抑制可能な炭化珪素基板（１）は、炭化珪素からなるベース層（１０）と、ベース層（１０）上に平面的に見て並べて配置された単結晶炭化珪素からなる複数のＳｉＣ層（２０）とを備えている。そして、隣り合うＳｉＣ層（２０）の端面（２０Ｂ）同士の間には、隙間（６０）が形成されている。
摘要翻译：公开了即使在其上形成由碳化硅以外的材料形成的不同材料层的情况下也能够防止翘曲的碳化硅基板（1）。碳化硅衬底（1）包括由碳化硅形成的基底层（10）和由单晶碳化硅形成并且在基底层（10）上形成的多个SiC层（20），当在计划。在彼此相邻的SiC层（20）的端面（20B）之间设置间隙（60）。

5. 发明申请

WO2011065122A1 半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体衬底的方法
公开(公告)号：WO2011065122A1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/JP2010/066827
申请日：2010-09-28
申请人：住友電気工業株式会社 , 佐々木信 , 原田真 , 西口太郎 , 沖田恭子 , 並川靖生
发明人：佐々木　信 , 原田　真 , 西口　太郎 , 沖田　恭子 , 並川　靖生
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L29/1608
摘要：　複数の炭化珪素基板（１０）と支持部（３０）とが加熱される。一の平面（ＰＬ１）に垂直な方向であってかつ支持部（３０）から遠ざかる方向へ複数の炭化珪素基板（１０）から延びる第１の空間（ＳＰ１）において複数の炭化珪素基板（１０）に面する第１の放射面（ＲＰ１）の温度が第１の温度とされる。一の平面（ＰＬ１）に垂直な方向であってかつ複数の炭化珪素基板（１０）から遠ざかる方向へ支持部（３０）から延びる第２の空間（ＳＰ２）において支持部（３０）に面する第２の放射面（ＲＰ２）の温度が第１の温度よりも高い第２の温度とされる。一の平面（ＰＬ１）に沿って複数の炭化珪素基板（１０）間の隙間（ＧＰ）から延びる第３の空間（ＳＰ３）において複数の炭化珪素基板（１０）に面する第３の放射面（ＲＰ３）の温度が第２の温度よりも低い第３の温度とされる。
摘要翻译：多个碳化硅衬底（10）和支撑部分（30）被加热。第一辐射表面（RP1）的温度被设定为第一温度。第一辐射表面（RP1）在从多个碳化硅衬底（10）沿垂直于一个平面（PL1）的方向延伸的第一空间（SP1）中面向多个碳化硅衬底（10），以及远离支撑部分（30）。第二辐射表面（RP2）的温度被设定为高于第一温度的第二温度。第二辐射表面（RP2）在第二空间（SP2）中面向支撑部分（30），第二空间（SP2）从垂直于一个平面（PL1）的方向从支撑部分（30）延伸并远离多个的碳化硅衬底（10）。第三辐射表面（RP3）的温度被设定为低于第二温度的第三温度。第三辐射表面（RP3）在沿着一个平面（PL1）从多个碳化硅衬底（10）之间的间隙（GP）延伸的第三空间（SP3）中面对多个碳化硅衬底（10）。

6. 发明申请

WO2011058831A1 半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体衬底的方法
公开(公告)号：WO2011058831A1
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：PCT/JP2010/066832
申请日：2010-09-28
申请人：住友電気工業株式会社 , 佐々木信 , 原田真 , 西口太郎 , 沖田恭子 , 並川靖生
发明人：佐々木　信 , 原田　真 , 西口　太郎 , 沖田　恭子 , 並川　靖生
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02529 , H01L21/02612 , H01L21/02614 , H01L21/02656 , H01L21/02667 , H01L21/047 , H01L29/66068
摘要：　支持部（３０）と第１および第２の炭化珪素基板（１１、１２）とを有する複合基板が準備される。第１の炭化珪素基板（１１）は第１の表面と第１の側面（Ｓ１）とを有する。第２の炭化珪素基板は第２の表面と第２の側面（Ｓ２）とを有する。第２の側面（Ｓ２）は、第１および第２の表面（Ｆ１、Ｆ２）の間に開口を有する隙間が第１の側面（Ｓ１）との間に形成されるように配置されている。溶融したシリコンを開口から隙間内へ導入することで、開口を塞ぐように第１および第２の側面（Ｓ１、Ｓ２）をつなぐシリコン接合部（ＢＤｐ）が形成される。シリコン接合部（ＢＤｐ）が炭化されることで、炭化珪素接合部（ＢＤａ）が形成される。
摘要翻译：在所提供的用于制造半导体衬底的方法中，制备具有支撑部分（30）以及第一和第二碳化硅衬底（11,12）的复合衬底。第一碳化硅衬底（11）具有第一顶面和第一侧面（S1）。第二碳化硅衬底具有第二顶面和第二侧面（S2）。第二侧表面（S2）设置成使得在第一侧表面（S1）和第二侧表面（S2）之间形成在第一顶表面（F1）和第二顶表面（F2）之间具有开口的间隙。经由开口将熔融硅引入到间隙中形成连接第一侧表面和第二侧表面（S1，S2）以塞住开口的硅接合部分（BDp）。通过碳化硅接合部分（BDp），形成碳化硅接合部分（BDa）。

7. 发明申请

WO2011052321A1 炭化珪素基板の製造方法および炭化珪素基板审中-公开
标题翻译：硅碳化硅基板生产方法和碳化硅基板
公开(公告)号：WO2011052321A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/JP2010/066704
申请日：2010-09-27
申请人：住友電気工業株式会社 , 原田真 , 佐々木信 , 西口太郎 , 玉祖秀人 , 並川靖生
发明人：原田　真 , 佐々木　信 , 西口　太郎 , 玉祖　秀人 , 並川　靖生
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02428 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要：　炭化珪素基板（１）の製造方法は、単結晶炭化珪素からなる複数のＳｉＣ基板（２０）を準備する工程と、複数のＳｉＣ基板（２０）を平面的に見て複数並べて配置した状態で、複数のＳｉＣ基板（２０）を保持する炭化珪素からなるベース層（１０）を形成する工程と、当該複数のＳｉＣ基板（２０）同士の隙間を充填する充填部（６０）を形成する工程とを備えている。
摘要翻译：公开了一种包括用于制备包括单晶碳化硅的多个SiC衬底（20）的工艺的碳化硅衬底（1）的制造方法，用于形成保持多个SiC的碳化硅基底层（10）的工艺在多个SiC基板（20）的平面图中并列配置的状态下的基板（20）以及填充所述多个SiC基板（20）之间的间隙的填充部（60）的工序。

8. 发明申请

WO2010131570A1 炭化珪素基板および半導体装置审中-公开
标题翻译：碳化硅基板和半导体器件
公开(公告)号：WO2010131570A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：PCT/JP2010/057442
申请日：2010-04-27
申请人：住友電気工業株式会社 , 原田真 , 佐々木信 , 西口太郎 , 並川靖生 , 藤原伸介
发明人：原田　真 , 佐々木　信 , 西口　太郎 , 並川　靖生 , 藤原　伸介
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , C30B23/00 , C30B29/36 , C30B33/06 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/2007 , H01L29/045 , H01L29/0878 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395
摘要：　熱処理による積層欠陥の発生を抑制しつつ、厚み方向の抵抗率を低減することが可能な炭化珪素基板(１)は、炭化珪素からなるベース層(１０)と、単結晶炭化珪素からなり、上記ベース層(１０)の一方の主面(１０Ａ)上に配置されたＳｉＣ層(２０)とを備えている。ベース層(１０)の不純物濃度は２×１０１９ｃｍ -３よりも大きい。そして、ＳｉＣ層(２０)の不純物濃度は５×１０１８ｃｍ -３よりも大きく２×１０１９ｃｍ -３よりも小さい。
摘要翻译：本发明提供一种碳化硅基板（1），其在厚度方向上具有降低的电阻率，同时抑制由于热处理而产生的层叠缺陷。所述碳化硅基板设置有：由碳化硅构成的基底层（10）以及由单晶碳化硅构成并设置在基层（10）的一个主面（10A）上的SiC层（20）。基层（10）的杂质浓度高于2×10 19 cm -3。 SiC层（20）的杂质浓度高于5×1018 cm -3，但低于2×1019 cm-3。

9. 发明申请

WO2009054479A1 スピロ環化合物及びその医薬用途审中-公开
标题翻译： SPIRO-RING化合物及其用于医疗用途
公开(公告)号：WO2009054479A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：PCT/JP2008/069296
申请日：2008-10-24
申请人：日本たばこ産業株式会社 , 嶌田隆司 , 上野弘資 , 堤一弘 , 青柳幸一 , 眞部知幸 , 佐々木信也 , 加藤晋
发明人：嶌田隆司 , 上野弘資 , 堤一弘 , 青柳幸一 , 眞部知幸 , 佐々木信也 , 加藤晋
IPC分类号： C07C59/72 , A61K31/41 , A61K31/421 , A61K31/426 , A61K31/44 , A61P3/10 , A61P43/00 , C07C235/34 , C07D213/64 , C07D257/04 , C07D263/32 , C07D277/20 , C07D277/34
CPC分类号： C07C59/72 , C07B2200/07 , C07C59/86 , C07C69/734 , C07C235/34 , C07C235/78 , C07C2602/50 , C07D213/64 , C07D213/643 , C07D257/04 , C07D263/32 , C07D277/20 , C07D277/34
摘要：　下記一般式［Ｉａ］で表されるスピロ環化合物又はその医薬上許容される塩、或いはその溶媒和物。
摘要翻译：公开了由通式[Ia]表示的螺环化合物，其药学上可接受的盐，或该化合物的溶剂化物或其药学上可接受的盐。

10. 发明申请

WO2008126771A1 燃料直噴エンジン审中-公开
标题翻译：直接燃油喷射发动机
公开(公告)号：WO2008126771A1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：PCT/JP2008/056710
申请日：2008-04-03
申请人：本田技研工業株式会社 , 園比呂志 , 内本達也 , 山谷幸久 , 池谷健一郎 , 但馬寛 , 柴田光弘 , 佐々木信彦
发明人：園比呂志 , 内本達也 , 山谷幸久 , 池谷健一郎 , 但馬寛 , 柴田光弘 , 佐々木信彦
IPC分类号： F02B23/06 , F02B23/00 , F02F3/26
CPC分类号： F02B23/0669 , F02B3/06 , F02B23/0621 , F02B23/0651 , F02B23/0696 , F02B2275/14 , F02B2275/40 , Y02T10/123 , Y02T10/125
摘要：　スキッシュエリア（ＳＡ）の幅（Ｗ２）が大きく、スキッシュクリアランス（Ｃ２）が小さいためにピストン（１３）の外周部からキャビティ（２５）に向かって流れるスキッシュ流が大きい断面では、燃料噴射軸（Ｌｉ２）がキャビティ（２５）に衝突する衝突角（α２）を大きくし、逆にスキッシュエリア（ＳＡ）の幅が小さく、スキッシュクリアランスが大きいためにスキッシュ流が小さい断面では、燃料噴射軸がキャビティ（２５）に衝突する衝突角を小さくする。これにより、スキッシュ流が小さい断面で燃料がキャビティ（２５）の外部に流出する傾向が弱くなり、スキッシュ流が大きい断面で燃料がキャビティ（２５）の外部に流出する傾向が強くなるため、キャビティ（２５）の全域に亘って燃料および空気の混合状態を均一化することができる。
摘要翻译：在挤压区域（SA）具有较大宽度（W2）但挤压间隙（C2）较小的部分中，使得从活塞（13）的外周到空腔（25）的挤压流动较大，使燃料喷射轴（Li2）与空腔（25）碰撞的碰撞角（a2）变大。在挤压区域（SA）具有小的宽度但挤压间隙大的部分中，挤压流动较小，使得燃料喷射轴与空腔（25）碰撞的碰撞角变小。结果，燃料流出到空腔25的外部的趋势在低挤压流的截面中变弱，但是燃料流出到空腔25的外部的趋势，在高挤压流动的截面中变强，使得燃料和空气的混合状态可以在空腔（25）的整个区域上均匀化。

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