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1. 发明申请

WO2018035993A1 阵列基板及液晶显示面板审中-公开
公开(公告)号：WO2018035993A1
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：PCT/CN2016/106033
申请日：2016-11-16
申请人：武汉华星光电技术有限公司
发明人：谢应涛
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/324
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/133345 , G02F1/136227 , G02F2202/10 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/02345 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/0274 , H01L21/441 , H01L21/47635 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1262 , H01L29/42356 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要：一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板包括：在氧化物半导体材料层（14,23,24,25）形成后，在射频照射下、并在压缩空气中进行退火形成钝化层（17）或栅极绝缘层（13,26）。通过上述方式，能够调节多个氧化物薄膜晶体管的阈值电压之间的差异，并进而为减少氧化物半导体TFT阈值电压的漂移，实现均匀的显示效果提供技术基础。

2. 发明申请

WO2018029547A1 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：WO2018029547A1
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：PCT/IB2017/052785
申请日：2017-05-12
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人： OHNO, Masakatsu , YASUMOTO, Seiji , IKEZAWA, Naoki , IDOJIRI, Satoru , YAMAZAKI, Shunpei
IPC分类号： H01L21/02 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC分类号： H01L21/6835 , G02F1/133553 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2201/123 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02664 , H01L21/481 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/1266 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L51/0097 , H01L51/56 , H01L2221/68345 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2251/5338
摘要： The yield of a manufacturing process of a display device is increased. The productivity of a display device is increased. A hydrogen-containing layer is formed over a substrate. Then, an oxygen-containing layer is formed over the hydrogen-containing layer. After that, a first layer is formed over the oxygen-containing layer with the use of a material containing a resin or a resin precursor. Subsequently, first heat treatment is performed on the first layer, so that a resin layer is formed. Next, a layer to be peeled is formed over the resin layer. The layer to be peeled and the substrate are separated from each other. The first heat treatment is performed in an oxygen-containing atmosphere.
摘要翻译：显示装置的制造工艺的成品率增加。显示装置的生产率提高。在衬底上形成含氢层。然后，在含氢层上形成含氧层。之后，使用含有树脂或树脂前体的材料在含氧层上形成第一层。随后，对第一层进行第一热处理，从而形成树脂层。接着，在树脂层上形成要剥离的层。要剥离的层和衬底彼此分离。第一次热处理是在含氧气氛下进行的。

3. 发明申请

WO2018011645A1 SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
标题翻译：溅射靶和制造该靶的方法
公开(公告)号：WO2018011645A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：PCT/IB2017/053577
申请日：2017-06-16
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人： YAMAZAKI, Shunpei , NAKASHIMA, Motoki , BABA, Haruyuki
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： H01J37/3429 , B28B1/008 , B28B11/24 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/58 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/3852 , C04B2235/72 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414 , G02F1/133345 , G02F1/133514 , G02F1/133553 , G02F1/1368 , G02F2203/02 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： A novel metal oxide or a novel sputtering target is provided. A sputtering target includes a conductive material and an insulating material. The insulating material includes an oxide, a nitride, or an oxynitride including an element M1. The element M1 is one or more kinds of elements selected from Al, Ga, Si, Mg, Zr, Be, and B. The conductive material includes an oxide, a nitride, or an oxynitride including indium and zinc. A metal oxide film is deposited using the sputtering target in which the conductive material and the insulating material are separated from each other.
摘要翻译：提供了一种新型金属氧化物或新型溅射靶。溅射靶包括导电材料和绝缘材料。绝缘材料包括包含元素M1的氧化物，氮化物或氮氧化物。元素M1是选自Al，Ga，Si，Mg，Zr，Be和B中的一种或多种元素。导电材料包括包含铟和锌的氧化物，氮化物或氮氧化物。使用其中导电材料和绝缘材料彼此分离的溅射靶沉积金属氧化物膜。

4. 发明申请

WO2018002763A1 TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：晶体管和半导体器件
公开(公告)号：WO2018002763A1
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：PCT/IB2017/053576
申请日：2017-06-16
申请人： SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人： YAMAZAKI, Shunpei
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/24 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/78696
摘要： A transistor includes a gate electrode, a first conductor, a second conductor, a gate insulator, and a metal oxide. The gate insulator is located between the gate electrode and the metal oxide. The gate electrode includes a region overlapping with the metal oxide with the gate insulator therebetween. The first conductor and the second conductor each include a region in contact with top and side surfaces of the metal oxide. The metal oxide has a layered structure in which oxides each having a first band gap and oxides each having a second band gap and being adjacent to the oxide having the first band gap are alternately stacked in a thickness direction. The metal oxide includes two or more oxides each having the first band gap. The first band gap is smaller than the second band gap.
摘要翻译：晶体管包括栅电极，第一导体，第二导体，栅极绝缘体和金属氧化物。栅绝缘体位于栅电极和金属氧化物之间。栅电极包括与其间的栅极绝缘体与金属氧化物重叠的区域。第一导体和第二导体各自包括与金属氧化物的顶面和侧面接触的区域。金属氧化物具有这样的层状结构，其中各自具有第一带隙的氧化物和各自具有第二带隙的氧化物和与具有第一带隙的氧化物相邻的氧化物在厚度方向上交替堆叠。金属氧化物包括两种或更多种各自具有第一带隙的氧化物。第一个带隙小于第二个带隙。

5. 发明申请

WO2017219438A1 TFT基板的制造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017219438A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：PCT/CN2016/091810
申请日：2016-07-27
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：卢马才 , 赵书力
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L21/31138 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78669 , H01L29/7869
摘要：一种TFT基板的制造方法包括：步骤10、在基板（200）上利用第一道光罩形成TFT栅极图案（203）；步骤20、在该基板（200）上利用第二道光罩形成有源层图案（305）、源漏极金属电极图案（306）；步骤30、在该基板（200）上沉积钝化层（401），以及涂布光阻（402），利用第三道光罩工艺定义像素电极图案，进行刻蚀以及光阻制绒，然后沉积像素电极（501）；步骤40、通过刻蚀处理或直接光阻剥离，形成像素电极图案（601）。TFT基板的制造方法提供了PR上沉积ITO有效剥离方法用于3Mask TFT制程，将会提高制程效率及降低难度，有效提升3Mask TFT制程能力。

6. 发明申请

WO2017219412A1 顶栅型薄膜晶体管的制作方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017219412A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：PCT/CN2016/090106
申请日：2016-07-15
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：邓永
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/428 , H01L21/44 , H01L21/443 , H01L21/461 , H01L21/477 , H01L29/42384 , H01L29/495 , H01L29/7869
摘要：提供一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，通过在氧化物半导体层（3）上形成还原金属层（6），并利用激光退火工艺将覆盖有还原金属层的氧化物半导体层还原成导体，形成源极接触区（7）与漏极接触区（8），利用被还原成导体的源极接触区与漏极接触区与源极（10）和漏极（11）接触，能够大大降低源极和漏极的接触电阻，提升顶栅型薄膜晶体管的性能，制作方法简单。

7. 发明申请

WO2017215109A1 双栅电极氧化物薄膜晶体管及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017215109A1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：PCT/CN2016/095421
申请日：2016-08-16
申请人：武汉华星光电技术有限公司
发明人：谢应涛
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78648 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/0274 , H01L21/47635 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/78693
摘要：一种双栅电极氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括基板（1）；形成于基板（1）上方的底栅电极（31）；形成于底栅电极（31）上方的第一栅极绝缘层（41）；形成于第一栅极绝缘层（41）上方的半导体层（5）；形成于半导体层（5）上方的第二栅极绝缘层（42）；形成于第二栅极绝缘层（42）上方的顶栅电极（32）；双栅电极氧化物薄膜晶体管还包括数据线（2），数据线（2）与底栅电极（31）或者数据线（2）与顶栅电极（32）处于同一金属层。薄膜晶体管的制备方法中，将数据线与底栅(或顶栅)电极共用同一金属层，且一次光刻实现图形化处理，从而减少光罩数量的使用，降低生产成本。另外，由于最终制得薄膜晶体管为双栅电极结构，能够增强薄膜晶体管的稳定性、提高其响应速度。

8. 发明申请

WO2017166343A1 薄膜晶体管阵列面板审中-公开
公开(公告)号：WO2017166343A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/CN2016/080028
申请日：2016-04-22
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：李珊
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/0257 , H01L21/02631 , H01L21/44 , H01L21/47635 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969
摘要：一种薄膜晶体管阵列面板。薄膜晶体管阵列面板中的薄膜晶体管具有背沟道刻蚀结构，半导体层（104）所对应的半导体材料是锡硅氧化物，在背沟道刻蚀结构中，源极（105）和漏极（106）均设置于半导体层（104）上，并且源极（105）和漏极（106）均与半导体层（104）相接触，能有效提高半导体层（104）的耐刻蚀性，能够有效保护薄膜晶体管中的背沟道。

9. 发明申请

WO2017152442A1 薄膜晶体管、液晶显示面板及薄膜晶体管的制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017152442A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：PCT/CN2016/077952
申请日：2016-03-31
申请人：深圳市华星光电技术有限公司
发明人：胡小波
IPC分类号： H01L29/423 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L29/78618 , G02F1/1368 , H01L21/42 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/423 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：一种薄膜晶体管（10）、液晶显示面板及薄膜晶体管（10）的制备方法。薄膜晶体管（10）包括：基板（110）及设置在基板（110）同侧的栅极（120）、栅极绝缘层（130）、源极（140）、漏极（150）、沟道层（160）、第一、第二欧姆接触层（170a、170b）、钝化层（180）及像素电极（190），栅极（120）设置在基板（110）的表面，栅极绝缘层（130）覆盖栅极（120），源极（140）、漏极（150）、沟道层（160）、第一及第二欧姆接触层（170a、170b）设置在栅极绝缘层（130）上，源极（140）与漏极（150）间隔设置，沟道层（160）设置在源极（140）与漏极（150）之间且沟道层（160）对应栅极（120）设置，第一欧姆接触层（170a）设置在源极（140）与沟道层（160）之间且第一欧姆接触层（170a）相对的两端分别与源极（140）及沟道层（160）接触，第二欧姆接触层（170b）设置在漏极（150）与沟道层（160）之间且第二欧姆接触层（170b）相对的两端分别与漏极（150）及沟道层（160）接触，第一欧姆接触层（170a）、第二欧姆接触层（170b）及沟道层（160）位于同一层，其中，沟道层（160）为金属氧化物层。

10. 发明申请

WO2017148007A1 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2017148007A1
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：PCT/CN2016/082315
申请日：2016-05-17
申请人：武汉华星光电技术有限公司
发明人：谢应涛
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/44 , H01L21/467 , H01L21/47573 , H01L27/1225 , H01L29/78603 , H01L29/7869
摘要：一种金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该制备方法包括以下步骤：提供一基板（1）；在基板（1）上依次形成缓冲层（2）、氧化物膜层（31）、栅极绝缘层（4）和第一金属层（51）；采用一道光罩分别对第一金属层（51）、栅极绝缘层（4）、氧化物膜层（31）进行图形化处理，形成栅极（52）、图形化的栅极绝缘层（4）、氧化物有源层（32）。在该制造方法中，对于氧化物有源层和栅极等膜层结构，采用先沉积、后分别刻蚀的方法，仅需使用一道光罩，即可完成对氧化物有源层和栅极等膜层结构的图形化处理过程。由于能够减少使用光罩的数量，因此能够简化工艺制程、节省工艺时间，有效降低生产成本。

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