基本信息:
- 专利标题： COMPOSITIONALLY MATCHED MOLECULAR SOLDERS FOR SEMICONDUCTORS
- 专利标题（中）：用于半导体的组合匹配分子焊料
- 申请号：PCT/US2015/063145 申请日：2015-12-01
- 公开(公告)号：WO2016089840A1 公开(公告)日：2016-06-09
- 发明人： DOLZHNIKOV, Dmitriy S. , ZHANG, Hao , JANG, Jaeyoung , SON, Jae Sung , PANTHANI, Matthew G. , TALAPIN, Dmitri V.
- 申请人： THE UNIVERSITY OF CHICAGO
- 申请人地址： 5801 South Ellis Avenue Chicago, Illinois 60637 US
- 专利权人： THE UNIVERSITY OF CHICAGO
- 当前专利权人： THE UNIVERSITY OF CHICAGO
- 当前专利权人地址： 5801 South Ellis Avenue Chicago, Illinois 60637 US
- 代理机构： MANNING, Michelle et al.
- 优先权： US62/085,966 20141201
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L23/48
摘要：
Chalcogenidometallates of group IIB, IV and V elements and, particularly, alkali metal-containing chalcogenidometallates of cadmium, lead and bismuth are provided. Also provided are methods of using the chalcogenidometallates as molecular solders to form metal chalcogenide structures, including thin films, molded objects and bonded surfaces composed of metal chalcogenides.
摘要（中）：
提供IIB，IV和V族元素的硫族金属元素，特别是含有镉，铅和铋的含碱金属的硫属金属氧酸盐。 还提供了使用硫族金属金属盐作为分子焊料形成金属硫族化物结构的方法，包括薄膜，模制物体和由金属硫族化物组成的结合表面。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |