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1. 发明申请

WO2016079087A1 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON DOTIERTEN, POLYKRISTALLINEN HALBLEITERSCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：用于生产掺杂，多晶半导体层
公开(公告)号：WO2016079087A1
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：PCT/EP2015/076761
申请日：2015-11-17
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , MADER, Christoph , WUNNICKE, Odo , MARTENS, Susanne , LEHMKUHL, Jasmin , GUENTHER, Christian
发明人： MADER, Christoph , WUNNICKE, Odo , MARTENS, Susanne , LEHMKUHL, Jasmin , GUENTHER, Christian
IPC分类号： H01L31/068 , H01L21/02 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/182 , B05D1/005 , B05D3/0254 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02628 , H01L31/0288 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von hochdotierten polykristallinen Halbleiterschichten auf einem Halbleitersubstrat, wobei eine erste Si-Precursorzusammensetzung enthaltend mindestens ein erstes Dotiermittel auf einen oder mehrere Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats aufgebracht wird; optional eine zweite Si-Precursorzusammensetzung enthaltend mindestens ein zweites Dotiermittel auf einen oder mehrere andere Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats aufgebracht wird, wobei das erste Dotiermittel ein Dotiermittel vom n-Typ ist und das zweite Dotiermittel ein Dotiermittel vom p-Typ ist oder umgekehrt; und die beschichteten Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats jeweils konvertiert werden, so dass aus dem Si-Precursor polykristallines Silizium entsteht. Die Erfindung betrifft ferner die nach dem Verfahren erhältlichen Halbleiter und ihre Verwendung, insbesondere bei der Herstellung von Solarzellen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在半导体衬底上制造高掺杂多晶半导体层的过程中，第一Si前体组合物的至少第一掺杂剂被施加到包括在半导体衬底的表面的一个或多个区域; 任选地包含至少在所述半导体衬底的表面的一个或多个其他区域的第二掺杂剂的第二Si前体组合物施加，其中该第一掺杂剂是n型，所述第二掺杂剂的掺杂剂的p型的掺杂剂，或反之亦然; 和所述半导体衬底的表面的涂覆区域被转换，分别使得多晶硅从Si前体产生的。本发明还涉及到半导体和获得通过该方法及其用途，特别是在太阳能电池的生产。

2. 发明申请

WO2014202405A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG STRUKTURIERTER BESCHICHTUNGEN, MIT DEM VERFAHREN HERGESTELLTE STRUKTURIERTE BESCHICHTUNGEN UND IHRE VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：用于生产结构化涂料，与上述方法结构化涂层及其用途
公开(公告)号：WO2014202405A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/EP2014/061789
申请日：2014-06-06
申请人： EVONIK INDUSTRIES AG , MADER, Christoph , WÖBKENBERG, Paul Henrich , ERZ, Joachim , TRAUT, Stephan , PATZ, Matthias , CÖLLE, Michael , WIEBER, Stephan , STENNER, Patrik , KLATT, Janette , WUNNICKE, Odo
发明人： MADER, Christoph , WÖBKENBERG, Paul Henrich , ERZ, Joachim , TRAUT, Stephan , PATZ, Matthias , CÖLLE, Michael , WIEBER, Stephan , STENNER, Patrik , KLATT, Janette , WUNNICKE, Odo
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： H01L21/02628 , C23C18/1204 , H01L21/02532
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigphasenverfahren zur Herstellung strukturierter Silicium- und/oder Germanium-haltiger Beschichtungen, bei dem mindestens eine Beschichtungszusammensetzung auf ein Substrat aufgebracht, die resultierende Beschichtung auf dem beschichteten Substrat partiell aktiviert und nicht aktivierte Beschichtung auf dem Substrat oxidiert wird, die nach dem Verfahren hergestellten Schichten und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产结构化硅和/或含锗基涂层的液相方法，其中至少一种涂料组合物施涂到基材上，部分地激活，涂布的基材上所得的涂层和未激活涂层被氧化基底上之后上用的方法和它们的用途制备的层。

3. 发明申请

WO2015165755A1 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG UNTERSCHIEDLICH DOTIERTER HALBLEITER 审中-公开
标题翻译：方法生产不同掺杂半导体
公开(公告)号：WO2015165755A1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：PCT/EP2015/058371
申请日：2015-04-17
申请人： EVONIK INDUSTRIES AG , MADER, Christoph , GÜNTHER, Christian , ERZ, Joachim , MARTENS, Susanne , LEHMKUHL, Jasmin , TRAUT, Stephan , WUNNICKE, Odo
发明人： MADER, Christoph , GÜNTHER, Christian , ERZ, Joachim , MARTENS, Susanne , LEHMKUHL, Jasmin , TRAUT, Stephan , WUNNICKE, Odo
IPC分类号： H01L21/228 , H01L31/18 , H01L21/22
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigphasenverfahren zum Dotieren eines Halbleitersubstrats, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Zusammensetzung enthaltend mindestens ein erstes Dotiermittel auf einen oder mehrere Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats aufgebracht wird, um einen oder mehrere mit der ersten Zusammensetzung beschichtete(n) Bereich(e) der Oberfläche des Halbleitersubstrats zu erzeugen; eine zweite Zusammensetzung enthaltend mindestens ein zweites Dotiermittel auf einen oder mehrere Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats aufgebracht wird, um einen oder mehrere mit der zweiten Zusammensetzung beschichtete(n) Bereich(e) der Oberfläche des Halbleitersubstrats zu erzeugen, wobei der eine oder die mehreren Bereich(e), die mit der ersten Zusammensetzung beschichtet sind, und der eine oder die mehreren Bereich(e), die mit der zweiten Zusammensetzung beschichtet sind, verschieden sind und nicht wesentlich überlappen und wobei das erste Dotiermittel ein Dotiermittel vom n-Typ ist und das zweite Dotiermittel ein Dotiermittel vom p-Typ ist oder umgekehrt; die mit der ersten Zusammensetzung und die mit der zweiten Zusammensetzung beschichteten Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats jeweils vollständig oder partiell aktiviert werden; optional die mit der ersten Zusammensetzung und die mit der zweiten Zusammensetzung beschichteten, nicht aktivierten Bereiche der Oberfläche des Halbleitersubstrats jeweils oxidiert werden; und das Halbleitersubstrat auf eine Temperatur erhitzt wird, bei der die Dotiermittel aus der Beschichtung in das Halbleitersubstrat diffundieren. Die Erfindung betrifft ferner die nach dem Verfahren erhältlichen Halbleiter und ihre Verwendung, insbesondere bei der Herstellung von Solarzellen.
摘要翻译：本发明涉及一种液相方法用于掺杂的半导体衬底，其特征在于第一组合物，其包含至少第一掺杂剂至该半导体衬底的表面的一个或多个区域被施加到一个或多个涂覆有第一组合物（S）面积（S ），以产生在半导体衬底的表面上; 的第二组合物，其包含至少一个第二掺杂剂被施加到包括在半导体衬底的表面的一个或多个区域，以产生一个或多个涂覆有所述半导体衬底的表面的第二组合物（S）的区域（S），其中的一个或多个区域涂覆有涂覆有所述第二组合物中的第一组合物和所述一个或多个字段（或多个）（e）是不同的，并且基本上不重叠，并且其中，所述第一掺杂剂是n型的掺杂剂和所述第二掺杂剂是p型的，或者反之亦然的掺杂剂; 可以完全或部分地与所述第一组合物和与所述半导体衬底的表面的区域中的涂覆第二组合物被激活; 任选地，第一具有组合物和涂布与第二组合物，所述半导体衬底的所述表面的非活化的区域分别被氧化; 和所述半导体衬底被加热到从所述涂层中的掺杂剂扩散到半导体衬底的温度。本发明还涉及到半导体和获得通过该方法及其用途，特别是在太阳能电池的生产。

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