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1. 发明申请

WO2022003813A1 電磁波センサ装置および表示装置审中-公开
公开(公告)号：WO2022003813A1
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：PCT/JP2020/025640
申请日：2020-06-30
申请人：シャープ株式会社
发明人：田中　勇司
IPC分类号： G01J1/02 , H01L31/0264 , H01L31/10 , G09F9/30 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L27/32 , H05B33/12 , H01L51/50 , H05B33/14
摘要：所望の波長範囲の電磁波のみを選択的に検出することが可能な電磁波センサ装置を実現する。電磁波センサ装置（１０１）は、第２センサ（２）の出力と第１センサ（１）の出力との差を演算する演算部（３）を備えている。

2. 发明申请

WO2020241348A1 光電変換素子、それを有する受光素子、光電変換装置、移動体、光電変換膜の製造方法、光電変換素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2020241348A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/JP2020/019617
申请日：2020-05-18
申请人：キヤノン株式会社
发明人：矢島　孝博 , 角田　隆行
IPC分类号： H01L31/0264
摘要：本開示の一実施形態は、第一電極と第二電極と前記第一電極と前記第二電極との間に配置されている光電変換層とを有する光電変換素子であって、前記光電変換層は、第一領域、前記第一領域と前記第二電極との間に配置されている第二領域、前記第二領域と前記第二電極との間に配置され、前記第二領域に接している第三領域を有し、前記第二領域における無機配位子の比率は前記第一領域における無機配位子の比率よりも高く、前記第三領域における前記第二領域との界面における無機配位子の比率は前記第一領域における無機配位子の比率よりも低く、前記第二領域における無機配位子の比率が前記第三領域に向かって増加していることを特徴とする光電変換素子を提供する。

3. 发明申请

WO2020235124A1 半導体ウエハ、放射線検出素子、放射線検出器、及び化合物半導体単結晶基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2020235124A1
公开(公告)日：2020-11-26
申请号：PCT/JP2019/047672
申请日：2019-12-05
申请人： JX金属株式会社
发明人：村上　幸司 , 野田　朗 , 平野　立一
IPC分类号： G01T1/24 , H01L31/0264 , H01L27/144 , C30B29/46
摘要：低電圧から高電圧印加した場合においても、リーク電流が少なく、０～９００Ｖの印加電圧の変化に対して、抵抗率の変動が小さく、安定した抵抗率値を維持できるＣｄＺｎＴｅ単結晶基板を提供する。亜鉛濃度が４．０原子％以上６．５原子％以下で、塩素濃度が０．１重量ｐｐｍ以上５．０重量ｐｐｍ以下のテルル化亜鉛カドミウム単結晶からなり、０～９００Ｖの範囲内で電圧を印加したときの各印加電圧値に対する抵抗率が１．０×１０ 7 Ωｃｍ以上７．０×１０ 8 Ωｃｍ以下であり、０～９００Ｖの範囲内の印加電圧に対する各抵抗率の相対変動係数が１００％以下であることを特徴とする半導体ウエハ。

4. 发明申请

WO2020157299A1 CHARGE SENSING DEVICE WITH GATE VOLTAGE SELECTED TO OPERATE AROUND THE CHARGE NEUTRALITY POINT AND TUNE THE QUANTUM CAPACITANCE 审中-公开
公开(公告)号：WO2020157299A1
公开(公告)日：2020-08-06
申请号：PCT/EP2020/052468
申请日：2020-01-31
申请人： FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES , INSTITUCIÓ CATALANA DE RECERCA I ESTUDIS AVANÇATS
发明人： GOOSSENS, Stijn , KOPPENS, Frank , KONSTANTATOS, Gerasimos
IPC分类号： H04N5/374 , H01L29/786 , H01L31/0264
摘要： The present invention relates to a system comprising an electronic apparatus which comprises: - an electronic device comprising: - a gate electrode(G, BE); - a dielectric (D) arranged over the gate electrode (G, BE); and - a charge sensing structure (CE) with a 2-dimensional charge sensing layer to provide a gate capacitance (C g ) between the charge sensing structure (CE) and the gate electrode structure (G, BE) and a quantum capacitance (C q ) resulting in a total capacitance (C tot ); - a voltage detector to detect an output voltage (V o ) stored in the total capacitance (C tot ). The system further comprises means to apply a gate voltage (V g ) to the gate electrode structure (G, BE) selected to: - make the device operate around most sensitive point of fermi level of the charge sensing structure (CE); and - tune the quantum capacitance (C q ). The present invention also relates to an electronic apparatus adapted to allow the tuning of its quantum capacitance.

5. 发明申请

WO2017156475A1 IMAGE SENSORS INCLUDING THOSE PROVIDING GLOBAL ELECTRONIC SHUTTER 审中-公开
标题翻译：图像传感器，包括那些提供全球电子快门
公开(公告)号：WO2017156475A1
公开(公告)日：2017-09-14
申请号：PCT/US2017/021938
申请日：2017-03-10
申请人： INVISAGE TECHNOLOGIES, INC.
发明人： BEILEY, Zachary Michael , SARGENT, Edward Hartley
IPC分类号： H01L31/0264 , H01L31/108 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/307 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/14696 , H01L51/4226 , H01L51/447
摘要： Various embodiments include an image sensor providing global electronic shutter having an integrated circuit, a first charge-extracting layer, an optically sensitive layer, and a second hole-extracting layer. In a first mode (the 'on' mode), electrons are extracted via the first charge-extracting layer. In in a second mode (the 'off' mode), the extraction of holes is prevented by the first charge-extracting layer. Other embodiments are disclosed.
摘要翻译：各种实施例包括提供具有集成电路，第一电荷提取层，光敏层和第二空穴提取层的全局电子快门的图像传感器。在第一模式（“开”模式）中，通过第一电荷提取层提取电子。在第二模式（“关闭”模式）下，通过第一电荷提取层阻止空穴的提取。其他实施例被公开。

6. 发明申请

WO2017013371A1 NOUVEAUX MATERIAUX POUR DES APPLICATIONS PHOTOCATALYTIQUES OU EN PHOTOVOLTAIQUE 审中-公开
标题翻译：光化学或光伏用途的新材料
公开(公告)号：WO2017013371A1
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：PCT/FR2016/051899
申请日：2016-07-21
申请人： ECOLE NORMALE SUPERIEURE DE LYON , UNIVERSITE CLAUDE BERNARD LYON I , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
发明人： PAROLA, Stéphane , GUILLARD, Chantal , LEROUGE, Frédéric , CHAPUT, Frédéric
IPC分类号： B01J23/52 , B01J21/06 , B01J35/00 , B01J35/02 , A61L9/20 , B01J19/12 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0264 , B01J23/68 , B01J23/89 , B01J27/04 , B01J27/057
CPC分类号： B01J21/063 , A61L2/088 , A61L9/205 , B01D2255/802 , B01J23/52 , B01J23/681 , B01J23/687 , B01J23/8906 , B01J27/04 , B01J27/0573 , B01J35/0013 , B01J35/0033 , B01J35/004 , B01J35/006 , B01J35/023 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/032
摘要： La présente invention concerne un matériau (II) comprenant une matrice (IV) composée d'un réseau inorganique dans laquelle sont réparties des nanoparticules semi-conductrices (III) et des nanoparticules anisotropes d'or (I), les nanoparticules semi-conductrices (III) représentant de 30 à 70 % en masse de la masse totale du matériau (II), caractérisé en ce que : - les nanoparticules anisotropes d'or (I) représentent, en masse, de 0,1 à 10 % de la masse totale du matériau (II), de préférence de 0,5 à 5% de la masse totale du matériau (II), préférentiellement de 0,5 à 2% de la masse totale du matériau (II), - les nanoparticules anisotropes d'or (I) ont une forme particulière telle que définie à la revendication 1. L'invention a également pour objet l'utilisation d'un matériau selon l'invention, pour la dégradation photocatalytique de composés organiques, en particulier, d'agents biologiques ou chimiques ou pour la production d'énergie par effet photovoltaïque, ainsi qu'un procédé de préparation d'un tel matériau.
摘要翻译：本发明涉及一种含有由半导体纳米粒子（III）和各向异性金纳米粒子（I）分布的无机网络构成的基质（IV）的材料（II），半导体纳米粒子（III）为30〜70 （II）的总重量的wt％。所述材料的特征在于：各向异性金纳米粒子（I）占材料（II）总重量的0.1〜10重量％，优选为材料（II）总重量的0.5〜5重量％，更优选为材料（II）总重量的0.5〜2重量％，各向异性金纳米粒子（I）具有如权利要求1所定义的特定形状。本发明还涉及根据有机化合物，特别是生物或化学试剂的光催化分解或光伏发电生产的发明，以及制备这种材料的方法。

7. 发明申请

WO2015146424A1 放射線検出材料审中-公开
标题翻译：辐射检测材料
公开(公告)号：WO2015146424A1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：PCT/JP2015/055153
申请日：2015-02-24
申请人：三井金属鉱業株式会社
发明人：野島　太郎 , 久保田　高史 , 高橋　広己 , 百武　優 , 松澤　雅人 , 高橋　司
IPC分类号： H01L31/08 , C30B29/46 , G01T1/161 , G01T1/24 , H01L31/0264
CPC分类号： C30B29/46 , C30B13/00 , H01L31/032 , H01L31/115
摘要：　Ｔｌ 4+2x Ｓ x Ｉ 4 で表すことができる単結晶体を含有する放射線検出材料に関し、ＰＥＴなどの実用的な放射線検出器に使用できる放射線検出材料を提案する。　式：Ｔｌ 4+2x Ｓ x Ｉ 4 （式中、ｘ＝０．７７～１．１０）で表すことができる単結晶体を含有する放射線検出材料、中でも、前記単結晶体の比抵抗が１×１０ 11 Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする放射線検出材料を提案する。
摘要翻译：本发明涉及一种辐射检测材料，其包括可由Tl4 + 2xSxI4表示的单晶体，并提出可用于实际辐射检测器（例如PET）中的辐射检测材料。提出了一种辐射检测材料，其包括可由式T14 + 2xSxI4（其中x = 0.77至1.10）表示的单晶体，特别地，其中单晶体的电阻率为 1×1011Ω·cm以上。

8. 发明申请

WO2015047492A2 PHOTOVOLTAIC LEAD-SALT DETECTORS 审中-公开
标题翻译：光伏铅盐探测器
公开(公告)号：WO2015047492A2
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/US2014/043487
申请日：2014-06-20
申请人： THE BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF OKLAHOMA
发明人： SHI, Zhisheng , QIU, Jijun , WENG, Binbin
IPC分类号： H01L31/0264
CPC分类号： H01L31/0324 , H01L27/14665 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L31/035272 , H01L31/108 , H01L31/109
摘要： Disclosed is at least one embodiment of an infrared (IR) photovoltaic (PV) detector, comprising a IV-VI Lead (Pb)-salt layer disposed on a substrate and a charge-separation-junction (CSJ) structure associated with the IV-VI Pb-salt layer, wherein the CSJ structure comprises a plurality of element areas disposed upon or within the IV-VI Pb-salt layer, wherein the plurality of element areas are spaced apart from each other. Each element area may be connected to a first Ohmic contact thereby forming a plurality of interconnected first Ohmic contacts, and a second Ohmic contact may be disposed upon a portion of the IV-VI Pb-salt layer. In another non-limiting embodiment, a PV detector, comprising a heterojunction region that comprises at least one IV-VI Pb-salt material layer coupled to at least one non-Pb-salt layer, wherein the at least one IV-VI Pb-salt layer and the at least one non-Pb-salt layer form a p-n junction or Schottky junction with a type II band gap alignment.
摘要翻译：公开了红外（IR）光伏（PV）检测器的至少一个实施例，其包括设置在基板上的IV-VI引线（Pb） - 层，以及与IV型VI相关联的电荷分离 - 连接（CSJ） VI铅 - 盐层，其中CSJ结构包括设置在IV-VI Pb-盐层上或其中的多个元件区域，其中多个元件区域彼此间隔开。每个元件区域可以连接到第一欧姆接触，从而形成多个互连的第一欧姆接触，并且第二欧姆接触可设置在IV-VI Pb-盐层的一部分上。在另一个非限制性实施方案中，PV检测器包括异质结区，其包含至少一个与至少一个非Pb盐层相连的IV-VI Pb-盐材料层，其中所述至少一种IV-VI Pb- 盐层和至少一个非Pb盐层形成具有II型带隙对准的pn结或肖特基结。

9. 发明申请

WO2014174866A1 光検出器审中-公开
标题翻译：光探测器
公开(公告)号：WO2014174866A1
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：PCT/JP2014/051977
申请日：2014-01-29
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：中嶋　和利 , 新垣　実 , 廣畑　徹 , 山下　博行 , 赤堀　亘
IPC分类号： H01L31/0264 , G01J1/02
CPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/035209 , H01L31/035218 , H01L31/035236 , H01L31/09
摘要：　この光検出器１Ａは、第１の領域、及び所定の方向に垂直な面に沿って第１の領域に対し周期的に配列された第２の領域を含む構造体を有し、所定の方向に沿って光が入射したときに所定の方向の電界成分を生じさせる光学素子１０Ａと、光学素子１０Ａに対し所定の方向における一方の側とは反対側の他方の側に配置され、光学素子１０Ａにより生じさせられた所定の方向の電界成分によって電流を生じる半導体積層体４２を有する半導体層４０と、を備え、第２の領域の他方の側の端部は、第１の領域の他方の側の端部よりも他方の側に位置しており、第１の領域は、第２の領域の屈折率よりも大きい屈折率を有する誘電体からなる。
摘要翻译：该光检测器（1A）包括：光学元件（10A），还包括包括第一区域和第二区域的结构，所述第一区域和第二区域沿着垂直平面沿规定方向相对于第一区域周期性排列，并且产生电场当光线按指定方向进入时，指定方向的分量; 以及在规定方向上位于与光学元件（10A）的侧面相反的一侧的半导体层（40），还包括通过所述光学元件（10A）的电场分量产生电流的半导体堆叠（42）由光学元件（10A）产生的规定方向。另一侧的第二区域的端部比另一侧的第一区域的端部更靠近另一侧。第一区域由具有比第二区域的折射率更大的折射率的电介质形成。

10. 发明申请

WO2014078384A1 SPATIALLY DISTRIBUTED CDS IN THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES AND THEIR METHODS OF MANUFACTURE 审中-公开
标题翻译：薄膜光电器件中的空间分布式光盘及其制造方法
公开(公告)号：WO2014078384A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/US2013/069848
申请日：2013-11-13
申请人： FIRST SOLAR MALAYSIA SDN. BHD. , GOSSMAN, Robert, Dwayne , FELDMAN-PEABODY, Scott, Daniel , KOREVAAR, Bastiaan, Arie
发明人： GOSSMAN, Robert, Dwayne , FELDMAN-PEABODY, Scott, Daniel , KOREVAAR, Bastiaan, Arie
IPC分类号： H01L31/0264
CPC分类号： H01L31/073 , H01L31/035218 , Y02E10/543
摘要： Thin film photovoltaic devices are provided. The device includes a transparent substrate; a transparent conductive oxide layer on the transparent substrate; an n-type window layer on the transparent conductive oxide layer, an absorber layer on the n-type window layer, and a back contact layer on the absorber layer. The n-type window layer includes a plurality of nanoparticles spatially distributed within a medium, with the nanoparticles comprising cadmium sulfide. In one embodiment, the medium has an optical bandgap that is greater than about 3.0 eV (e.g., includes a material other than cadmium sulfide). Methods are also provided for such thin film photovoltaic devices.
摘要翻译：提供薄膜光伏器件。该装置包括透明基板; 在透明基板上的透明导电氧化物层; 透明导电氧化物层上的n型窗口层，n型窗口层上的吸收层和吸收层上的背面接触层。 n型窗口层包括在介质内空间分布的多个纳米颗粒，纳米颗粒包含硫化镉。在一个实施方案中，介质具有大于约3.0eV的光学带隙（例如，包括除硫化镉之外的材料）。还提供了用于这种薄膜光伏器件的方法。

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